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公开(公告)号：CN101210345A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610169751.1
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，下部为恒温区，工作时处于高温状态，由热容大的加热器、控温探头和保温层构成；上部为调温区，由热容小导热好的衬底托盘、衬底、测温探头和隔热层构成，通过控制进入导热托盘与隔热层间隙的调温气体的开关时间和吹气流量来实现低温P型掺杂生长和高温快速退火的温度周期调制。本发明同时公开了一种生长氧化锌薄膜的方法。利用本发明，能提高氧化锌薄膜结晶质量和实现均匀生长，并满足制备短波长光电器件需要。
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公开(公告)号：CN100345247C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN03155388.5
申请日：2003-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解耦合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外延层的支撑，与中间层共同对整个结构实现解耦合的作用。
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公开(公告)号：CN101051608A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200610067134.0
申请日：2006-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及半导体材料与器件技术领域，特别是半导体InN薄膜材料的制备方法。在衬底上生长完InN薄膜之后，再在上面生长一层易于去除的、熔点和分解温度都高于InN材料的可在低温下生长的材料，我们称这层材料为盖层；接下来在氮气和氨气保护下对上面得到的外延片进行退火处理；最后去除上面生长的盖层和盖层与InN材料之间的互扩散层。
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公开(公告)号：CN1885050A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200510011983.X
申请日：2005-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明设计了一种强磁场的霍尔效应测试装置。该装置由外延片、电磁铁组、恒流源、极性控制电路、可控稳压源、测量电路、计算机、三相交流电、温控装置连接构成。该测试方法步骤：(1)将外延片做好电极，连接好导线；(2)接通三线交流电源，运行计算机控制程序，根据程序要求，依次输入各参数；(3)可以改变样品环境温度，在新的平衡温度下继续测量相关参数；(4)将测量结果存档或者打印出来，测试结束。
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公开(公告)号：CN1844867A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200510063801.3
申请日：2005-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种原位非接触探测金属有机物化学气相沉积(MOCVD)石墨温度分布的方法。该方法是利用数码相机对石墨进行拍摄，并根据需要在相机镜头前加滤光镜，然后利用电脑读取所拍摄的图像中的数据文件，根据文件所记录的构成每个象素点的三基色(红、绿、蓝)分量值的大小来确定石墨的温度分布特性。该方法不仅成本低、温度分辨率和空间分辨率很高，而且多点同时测量，测量速度快，可以进行数字处理、记录和保存。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1832111A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200510054173.2
申请日：2005-03-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/40
Abstract: 一种生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构，包括：一上罩机构为一桶状，底部开有一圆孔，侧壁上开有一侧孔；一下罩机构为一管状，该上罩机构、下罩机构固接；一辅气气嘴机构包括：一柱体，下面固接有一喇叭口；一三路喷气气嘴机构包括：一固定座为圆筒形，该固定座的小径端插入并固定在侧孔内；一气嘴座为一柱体，包括一大径端和小径端，该小径端的直径与固定座内孔相同，该气嘴座插入固定座内孔固定，该气嘴座的纵向开有三个通孔，该通孔为阶梯状，该通孔朝向内端插接有三根气体喷管，朝向外端插接有三根金属管；一旋转机构包括：一旋转轴，该旋转轴的一端与底座上的通凹孔配合，另一端固定一托盘，该托盘正对着辅气气嘴机构上的喇叭口。
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公开(公告)号：CN1796597A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410098995.6
申请日：2004-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/00 , C23C16/455
Abstract: 本发明设计涉及到半导体设备制造技术领域，特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的多层流反应室结构。该结构有多层气流，包括至少一层原材料气流层，一层隔离气流层，或/和反应室天棚的控温装置。原材料气流层紧贴着衬底，其中原材料通过扩散等机制迁移到衬底表面参与材料生长。隔离气流层夹在原材料气流层和反应室天棚之间，减少原材料与反应室天棚之间的接触和淀积。另外，反应室天棚的控温装置，控制反应室天棚的温度，提高了隔离气流层的隔离效果。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积，提高原料的使用效率和衬底上生长晶体的质量。
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公开(公告)号：CN1713349A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410048229.9
申请日：2004-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在硅衬底上生长大面积无裂纹III族氮化物薄膜的新方法，其主要特征在于：在传统的Si基氮化物缓冲层和III族氮化物薄膜之间插入一层或多层三元或四元III族氮化物自适应柔性层，此柔性层可随生长中应力的变化而自发调节其组分，自适应大失配异质外延晶格常数或热应力的变化，该层的主要作用是阻止界面处裂纹源的产生。
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公开(公告)号：CN1591772A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03155388.5
申请日：2003-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解偶合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外延层的支撑，与中间层共同对整个结构实现解偶合的作用。
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公开(公告)号：CN1154155C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN01100454.1
申请日：2001-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物单/多层异一种质应变薄膜的制作方法，包括如下制备步骤：(1)用一衬底，使在该衬底上外延的III族氮化物晶体生长平面能够和(0001)晶面垂直；(2)在衬底材料上外延预定厚度的III族氮化物作为下一步外延生长模板；(3)在模板上外延生长预定结构的III族氮化物单/多层异质应变薄膜，在垂直该外延薄膜平面的方向上没有压电场。
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