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公开(公告)号：CN102509718A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110419761.7
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种GaAs CCD图像传感器圆片级芯片尺寸封装结构工艺，其特征在于①首先通过树脂粘接剂进行玻璃晶圆和砷化镓晶圆键合，保护芯片有源面并提高芯片晶圆强度；②然后通过湿法腐蚀或者物理方法制作梯形槽结构，使芯片互连区衬底厚度减薄；③接着通过干法刻蚀技术制作垂直互连通孔，使芯片有源面焊盘暴露出来；④再溅射种子层金属并电镀，制作孔金属化和RDL层，从而实现芯片有源面到芯片背面的电路互连；⑤然后制作钝化层、UBM层和凸点；⑥最后划片形成独立封装芯片。背面梯形槽结构只在有焊盘区域进行减薄，有效地降低了成本，而且垂直通孔互连能提高封装互连密度，缩短信号传输路径。
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公开(公告)号：CN102064120B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010515444.0
申请日：2010-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L24/11 , C25D3/46 , C25D3/54 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/50 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03849 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05666 , H01L2224/11462 , H01L2224/11502 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13099 , H01L2224/13109 , H01L2224/13562 , H01L2224/13639 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2224/05647 , H01L2224/11 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种基于铟凸点的无助焊剂回流的工艺方法，其特征在于包括基板金属化、钝化层开口、凸点下金属化层增厚、电镀铟凸点、电镀银层包覆铟凸点、凸点回流。采用本发明提供的工艺可实现铟凸点阵列的无助焊回流，该工艺可应用于某些特殊的光电芯片，MEMS芯片和生物检测芯片中的倒装互连中。
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公开(公告)号：CN101996906A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010275967.2
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/81
Abstract: 本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；(c)采用倒扣焊机实现锡凸点与斜槽中焊盘之间的对准，凸点插入斜槽内并和焊盘进行焊接。本发明提供的工艺最终可以实现焊盘间距74μm/焊盘宽度50μm的焊盘结构，优于目前的“减法工艺”和“半加法工艺”得到的焊盘面积与焊盘间间距的关系参数。而且该倒扣焊工艺不需要制作阻焊层结构，利用腐蚀槽的阻挡作用凹槽可限制焊料的流动，防止回流过程中焊料的流动造成相邻焊盘之间的短接。
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公开(公告)号：CN101840856A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010156028.6
申请日：2010-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/302 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法，其特征在于所述的腐蚀槽壁具有垂直的特征，腐蚀槽表面积为经光刻后涂覆的BCB的表面积的1.2-1.3倍，腐蚀槽的垂直槽壁的深度略小于涂覆的BCB厚度，BCB是涂覆在裸支撑晶圆上。涂覆的所述的腐蚀槽的制作材料是TSV晶圆。所述的TSV封装制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面首先DRIE刻蚀出腐蚀槽，腐蚀槽位置与支撑晶圆上光刻后的BCB位置相对应，然后DRIE刻蚀TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆的正面经对准后在键合机中键合，熔融BCB在延展过程中被腐蚀槽阻挡，该结构起到控制BCB的键合尺寸的作用。
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公开(公告)号：CN100494046C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610024616.8
申请日：2006-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及凸点连接气密封装MEMS器件的结构及制作方法，其特征在于：利用硅硅键合，将含MEMS芯片的硅片和含有腔体图形的硅片键合在一起，形成MEMS器件的下腔体，然后，将含有腔体图形的硅片的背面减薄，并将含MEMS芯片的硅片的背面刻蚀。再利用硅玻璃阳极键合将玻璃片键合在含MEMS芯片的硅片的背面，形成MEMS器件的上腔体。所形成的硅/硅/玻璃三层结构，将MEMS器件的可动部件被包封在可靠气密特性的腔体内。本发明将MEMS器件的可动部件的制作与MEMS器件的气密封装有机结合，不仅能提高MEMS器件气密封装的气密特性和输出的电性能，降低气密封装的成本；而且制作的器件可与现有的先进IC封装工艺相兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1817784A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610024616.8
申请日：2006-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及凸点连接气密封装MEMS器件的结构及制作方法，其特征在于：利用硅硅键合，将含MEMS芯片的硅片和含有腔体图形的硅片键合在一起，形成MEMS器件的下腔体，然后，将含有腔体图形的硅片的背面减薄，并将含MEMS芯片的硅片的背面刻蚀。再利用硅玻璃阳极键合将玻璃片键合在含MEMS芯片的硅片的背面，形成MEMS器件的上腔体。所形成的硅/硅/玻璃三层结构，将MEMS器件的可动部件被包封在可靠气密特性的腔体内。本发明将MEMS器件的可动部件的制作与MEMS器件的气密封装有机结合，不仅能提高MEMS器件气密封装的气密特性和输出的电性能，降低气密封装的成本；而且制作的器件可与现有的先进IC封装工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN109461661B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201811110350.8
申请日：2018-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种滤波器封装结构及其封装方法，包括如下步骤：1)提供一高阻硅基板；2)于高阻硅基板的第一表面形成具有预设深度的凹槽，并于高阻硅基板内形成穿硅通孔；3)于穿硅通孔的内壁形成绝缘层；4)形成导电穿硅通孔结构；5)形成第一地线及第二地线，并形成第一介质层；6)形成第二介质层；并形成第三介质层；7)形成第一传输线；并形成第二传输线；8)形成第四介质层，并形成第三传输线。本发明采用高阻硅基板作为滤波器的芯片衬底，利用微带线传输结构将滤波器与衬底相连接，高阻硅基板上的导电穿硅通孔结构将引线引至高阻硅基板的背面，从而可以从垂直方向直接与封装基底相连接，与封装体内其他器件实现互联。
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公开(公告)号：CN107452638B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710686454.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供一种圆片级封装结构及其制备方法，所述圆片级封装结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆内形成有半导体结构；2）于晶圆的上表面形成重新布线层，并在形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；3）于重新布线层的上表面形成凸点下金属层及焊球。本发明的晶圆级封装结构的制备方法通过形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理，可以释放封装过程中产生的应力，有效降低晶圆由高温固化等带来的翘曲，在仅以提高极小的成本为代价的前提下，提高了制备过程中的精度和可操作性，进而提高了元器件的可靠性；同时，允许在封装结构中内嵌其他无源器件。
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公开(公告)号：CN109346821A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811092065.8
申请日：2018-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种圆片级硅基集成小型化分形天线及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2)于所述晶圆内形成穿硅通孔，并于所述穿硅通孔的内壁形成绝缘层；3)于所述穿硅通孔内填充金属层以形成导电穿硅通孔结构；4)于所述晶圆的第一表面上形成分形天线，所述分形天线的形状呈二阶皮亚诺分形曲线状；所述分形天线与所述导电穿硅通孔结构相连接；5)于所述晶圆的第二表面形成共面波导，所述共面波导与所述导电穿硅通孔结构相连接。本发明分形天线通过导电穿硅通孔结构及共面波导实现馈电，分形天线的谐振频率为24GHz和35GHz，可以同时满足射频段的信号接收和发射需求。
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公开(公告)号：CN109216162A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810997049.7
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一基底；2）于基底的表面形成具有预设深度的凹槽；3）于凹槽内形成介质层，介质层填满凹槽，且介质层裸露的表面与基底形成有所述凹槽的表面相平齐。本发明通过先在基底的表面形成凹槽，然后再在凹槽内形成介质层，位于凹槽内的介质层可以间接提供一定的介质层厚度，在需要在基底表面制作无源器件时，可以直接将无源器件制作在凹槽的上方，从而可以减少介质层的涂覆工艺次数，尽可能避免介质层开裂、剥落等问题；同时，本发明的半导体结构的制备方法不会占用基底正面的面积，不会影响正面功率器件的性能，与集成电路后道封装工艺相兼容。
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