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公开(公告)号：CN109461661A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811110350.8
申请日：2018-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种滤波器封装结构及其封装方法，包括如下步骤：1)提供一高阻硅基板；2)于高阻硅基板的第一表面形成具有预设深度的凹槽，并于高阻硅基板内形成穿硅通孔；3)于穿硅通孔的内壁形成绝缘层；4)形成导电穿硅通孔结构；5)形成第一地线及第二地线，并形成第一介质层；6)形成第二介质层；并形成第三介质层；7)形成第一传输线；并形成第二传输线；8)形成第四介质层，并形成第三传输线。本发明采用高阻硅基板作为滤波器的芯片衬底，利用微带线传输结构将滤波器与衬底相连接，高阻硅基板上的导电穿硅通孔结构将引线引至高阻硅基板的背面，从而可以从垂直方向直接与封装基底相连接，与封装体内其他器件实现互联。
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公开(公告)号：CN109461661B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201811110350.8
申请日：2018-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种滤波器封装结构及其封装方法，包括如下步骤：1)提供一高阻硅基板；2)于高阻硅基板的第一表面形成具有预设深度的凹槽，并于高阻硅基板内形成穿硅通孔；3)于穿硅通孔的内壁形成绝缘层；4)形成导电穿硅通孔结构；5)形成第一地线及第二地线，并形成第一介质层；6)形成第二介质层；并形成第三介质层；7)形成第一传输线；并形成第二传输线；8)形成第四介质层，并形成第三传输线。本发明采用高阻硅基板作为滤波器的芯片衬底，利用微带线传输结构将滤波器与衬底相连接，高阻硅基板上的导电穿硅通孔结构将引线引至高阻硅基板的背面，从而可以从垂直方向直接与封装基底相连接，与封装体内其他器件实现互联。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109346821A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811092065.8
申请日：2018-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种圆片级硅基集成小型化分形天线及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2)于所述晶圆内形成穿硅通孔，并于所述穿硅通孔的内壁形成绝缘层；3)于所述穿硅通孔内填充金属层以形成导电穿硅通孔结构；4)于所述晶圆的第一表面上形成分形天线，所述分形天线的形状呈二阶皮亚诺分形曲线状；所述分形天线与所述导电穿硅通孔结构相连接；5)于所述晶圆的第二表面形成共面波导，所述共面波导与所述导电穿硅通孔结构相连接。本发明分形天线通过导电穿硅通孔结构及共面波导实现馈电，分形天线的谐振频率为24GHz和35GHz，可以同时满足射频段的信号接收和发射需求。
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公开(公告)号：CN109216162A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810997049.7
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一基底；2）于基底的表面形成具有预设深度的凹槽；3）于凹槽内形成介质层，介质层填满凹槽，且介质层裸露的表面与基底形成有所述凹槽的表面相平齐。本发明通过先在基底的表面形成凹槽，然后再在凹槽内形成介质层，位于凹槽内的介质层可以间接提供一定的介质层厚度，在需要在基底表面制作无源器件时，可以直接将无源器件制作在凹槽的上方，从而可以减少介质层的涂覆工艺次数，尽可能避免介质层开裂、剥落等问题；同时，本发明的半导体结构的制备方法不会占用基底正面的面积，不会影响正面功率器件的性能，与集成电路后道封装工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN109037149B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201811019338.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种无缺陷穿硅通孔结构的制备方法，包括如下步骤：1）提供第一晶圆，于第一晶圆内形成穿硅通孔；2）于第一晶圆的第一表面上形成第一金属层；3）提供第二晶圆，于第二晶圆的一表面形成第二金属层；4）将第一晶圆与第二晶圆贴置在一起；5）将第二晶圆旋转，以裸露出部分第一金属层；6）将第二晶圆与第一晶圆键合在一起；7）将裸露的第一金属层经由导电介质与电镀夹具相连接，并将电镀夹具置于电镀液中；8）电镀以在穿硅通孔内形成至少填满穿硅通孔的电镀金属层；9）去除导电介质及第二晶圆。本发明可以使得金属能够逐渐自底向上生长，直至完全填满整个穿硅通孔，可以得到无缺陷的穿硅通孔结构。
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公开(公告)号：CN109216162B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201810997049.7
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一基底；2）于基底的表面形成具有预设深度的凹槽；3）于凹槽内形成介质层，介质层填满凹槽，且介质层裸露的表面与基底形成有所述凹槽的表面相平齐。本发明通过先在基底的表面形成凹槽，然后再在凹槽内形成介质层，位于凹槽内的介质层可以间接提供一定的介质层厚度，在需要在基底表面制作无源器件时，可以直接将无源器件制作在凹槽的上方，从而可以减少介质层的涂覆工艺次数，尽可能避免介质层开裂、剥落等问题；同时，本发明的半导体结构的制备方法不会占用基底正面的面积，不会影响正面功率器件的性能，与集成电路后道封装工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN109037149A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811019338.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481
Abstract: 本发明提供一种无缺陷穿硅通孔结构的制备方法，包括如下步骤：1）提供第一晶圆，于第一晶圆内形成穿硅通孔；2）于第一晶圆的第一表面上形成第一金属层；3）提供第二晶圆，于第二晶圆的一表面形成第二金属层；4）将第一晶圆与第二晶圆贴置在一起；5）将第二晶圆旋转，以裸露出部分第一金属层；6）将第二晶圆与第一晶圆键合在一起；7）将裸露的第一金属层经由导电介质与电镀夹具相连接，并将电镀夹具置于电镀液中；8）电镀以在穿硅通孔内形成至少填满穿硅通孔的电镀金属层；9）去除导电介质及第二晶圆。本发明可以使得金属能够逐渐自底向上生长，直至完全填满整个穿硅通孔，可以得到无缺陷的穿硅通孔结构。
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