公开(公告)号：CN105185906A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510551282.9

申请日：2015-09-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑涛 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  周杨

IPC: H01L49/02 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明涉及一种高密度电感的制造方法，包括以下步骤：在硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。本发明采用干湿混合法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底，然后通过丝网印刷工艺在电感背面的深坑中及电感正上方填充复合磁性材料，形成三明治结构(磁性材料-电感-磁性材料)提高电感值。

公开(公告)号：CN109346821A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811092065.8

申请日：2018-09-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张伟博 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  周杨

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q5/10 ,  H01Q5/20 ,  H01L23/66

Abstract: 本发明提供一种圆片级硅基集成小型化分形天线及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2)于所述晶圆内形成穿硅通孔，并于所述穿硅通孔的内壁形成绝缘层；3)于所述穿硅通孔内填充金属层以形成导电穿硅通孔结构；4)于所述晶圆的第一表面上形成分形天线，所述分形天线的形状呈二阶皮亚诺分形曲线状；所述分形天线与所述导电穿硅通孔结构相连接；5)于所述晶圆的第二表面形成共面波导，所述共面波导与所述导电穿硅通孔结构相连接。本发明分形天线通过导电穿硅通孔结构及共面波导实现馈电，分形天线的谐振频率为24GHz和35GHz，可以同时满足射频段的信号接收和发射需求。