公开(公告)号：CN101996906A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010275967.2

申请日：2010-09-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 曹毓涵 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  袁媛

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/81

Abstract: 本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；(c)采用倒扣焊机实现锡凸点与斜槽中焊盘之间的对准，凸点插入斜槽内并和焊盘进行焊接。本发明提供的工艺最终可以实现焊盘间距74μm/焊盘宽度50μm的焊盘结构，优于目前的“减法工艺”和“半加法工艺”得到的焊盘面积与焊盘间间距的关系参数。而且该倒扣焊工艺不需要制作阻焊层结构，利用腐蚀槽的阻挡作用凹槽可限制焊料的流动，防止回流过程中焊料的流动造成相邻焊盘之间的短接。

公开(公告)号：CN101851775A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010200009.9

申请日：2010-06-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 曹毓涵 ,  罗乐

IPC: C25D17/08 ,  C25D5/04

Abstract: 本发明涉及一种适用于自下而上电镀方法制作TSV的电镀挂件，其特征在于所述的电镀挂件包括主体结构和不锈钢块，其中，主体结构的形状类似于方型的网球拍，球拍的主体部分为四周呈圆角的正方形，中央有圆形凹陷用于放置硅片，四周有六个开孔，用于放置丁字螺栓，球拍的柄部为一个矩形，通过螺栓依次将有机玻璃板、橡胶片和硅片，固定在主体结构的主体部分；将薄铜纸铺放在硅片背面，与硅片背面的种子层电接触，通过铜丝与薄铜纸相触；铜丝通过螺栓与主体结构背面的不锈钢块电连接。本发明特点在于简单实用，可以提供良好的电接触，提高通孔金属化的效率。

公开(公告)号：CN101996906B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010275967.2

申请日：2010-09-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 曹毓涵 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  袁媛

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/81

Abstract: 本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；(c)采用倒扣焊机实现锡凸点与斜槽中焊盘之间的对准，凸点插入斜槽内并和焊盘进行焊接。本发明提供的工艺最终可以实现焊盘间距74μm/焊盘宽度50μm的焊盘结构，优于目前的“减法工艺”和“半加法工艺”得到的焊盘面积与焊盘间间距的关系参数。而且该倒扣焊工艺不需要制作阻焊层结构，利用腐蚀槽的阻挡作用凹槽可限制焊料的流动，防止回流过程中焊料的流动造成相邻焊盘之间的短接。

公开(公告)号：CN101434374A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810207646.1

申请日：2008-12-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 曹毓涵 ,  罗乐

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件圆片级芯片尺寸的封装结构及实现方法。所述封装结构特征在于①利用TMAH湿法减薄硅片作为封装结构的盖板；②利用凸点替代封装结构中的垂直通孔，所述的凸点是由在减薄的硅盖板上TMAH湿法腐蚀开出的垂直通孔，植入焊球，回流后形成，凸点同时作为封装结构的输入和输出端口；③由焊点(617)与凸点(608)的电连接实现被封器件与外界之间的电互联，由焊环(314)实现上下盖板的键合并提供器件工作所需的真空气密环境。它是采用盖板和MEMS器件的晶片键合，然后TMAH湿法腐蚀，通过在盖板上形成斜槽，最后一次性完成通孔的金属化以及盖板表面凸点制备的，不需使用干法刻蚀制备垂直互连通孔，降低了封装成本。