公开(公告)号：CN106876294A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710124083.9

申请日：2017-03-03

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 程功 ,  李珩 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 本发明提供一种纳米孪晶铜布线层的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备第一钝化层，并于第一钝化层内形成用于与基片上器件结构互联的互联窗口；2）于第一钝化层表面及互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成光刻胶层，在光刻胶层内形成定义出纳米孪晶铜布线层形状的图形窗口；4）以图形化处理后的光刻胶层为掩膜，于裸露的种子层表面形成布线铜层；5）将得到的结构进行退火处理。本发明制备方法和现有半导体工艺相兼容，生产效率高，生产成本低，且制备的纳米孪晶铜布线层的力学性能及电学性能优良，热稳定性好，可以大幅度提高布线层的可靠性，且可以大面积地制备，适合当前半导体制造的发展方向。

公开(公告)号：CN107452638B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201710686454.2

申请日：2017-08-11

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 程功 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明提供一种圆片级封装结构及其制备方法，所述圆片级封装结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆内形成有半导体结构；2）于晶圆的上表面形成重新布线层，并在形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；3）于重新布线层的上表面形成凸点下金属层及焊球。本发明的晶圆级封装结构的制备方法通过形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理，可以释放封装过程中产生的应力，有效降低晶圆由高温固化等带来的翘曲，在仅以提高极小的成本为代价的前提下，提高了制备过程中的精度和可操作性，进而提高了元器件的可靠性；同时，允许在封装结构中内嵌其他无源器件。

公开(公告)号：CN107452638A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710686454.2

申请日：2017-08-11

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 程功 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L24/11 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11914

摘要： 本发明提供一种圆片级封装结构及其制备方法，所述圆片级封装结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆内形成有半导体结构；2）于晶圆的上表面形成重新布线层，并在形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；3）于重新布线层的上表面形成凸点下金属层及焊球。本发明的晶圆级封装结构的制备方法通过形成重新布线层的过程中或形成重新布线层后将得到的结构进行低温处理，可以释放封装过程中产生的应力，有效降低晶圆由高温固化等带来的翘曲，在仅以提高极小的成本为代价的前提下，提高了制备过程中的精度和可操作性，进而提高了元器件的可靠性；同时，允许在封装结构中内嵌其他无源器件。