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公开(公告)号:CN102629568B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201210026493.7
申请日:2012-02-07
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor: 山本祐广
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05624 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074
Abstract: 本发明提供半导体装置,其能够更好地防止焊盘下面的绝缘膜产生裂缝。作为解决手段,半导体装置具有三层结构的焊盘,该三层结构的焊盘由第1金属膜、第2金属膜和第3金属膜构成,第2金属膜具有比第1金属膜和第3金属膜的杨氏模量高的杨氏模量。
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公开(公告)号:CN102208445B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201110086411.3
申请日:2011-03-29
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor: 原田博文
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L29/1083 , H01L29/7838
Abstract: 得到改善的耗尽型MOS晶体管,其中包括:半导体衬底上的第一导电型的阱区;在阱区上形成的栅极绝缘膜;在栅极绝缘膜上形成的栅电极;在栅电极的两端形成的第二导电型的源极/漏极区;在源极/漏极区之间的栅极氧化膜下形成的第二导电型的低浓度杂质区;以及在源极/漏极区之间的第二导电型的低浓度杂质区之下形成的第一导电型的低浓度杂质区。
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公开(公告)号:CN101740098B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN200910225288.1
申请日:2009-11-12
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor: 金子哲也
IPC: G11C7/06
CPC classification number: G11C7/103 , G11C7/1039
Abstract: 本发明提供一种能够减小电路规模的半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置。在从串行输出端子(20)串行读出数据的半导体存储装置的读出电路的多个读出放大器中,在确定地址前的规定时间存在4个确定地址时有可能被选择的字节选择器的场合,总共只需要4个读出放大器(A1~A4),因此读出电路及半导体存储装置的电路规模变小。
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公开(公告)号:CN104242374B
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:CN201410245117.6
申请日:2014-06-04
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor: 斋藤启
IPC: H02J7/00
CPC classification number: H02J7/0031
Abstract: 本发明提供充放电控制电路和电池装置,能够在不使电池电压失衡且不缩短电池装置的寿命的情况下,检测中间端子断开。在对串联连接的多个二次电池的充放电进行控制的充放电控制电路中,具备中间端子断开检测电路,该中间端子断开检测电路被设置于各二次电池的正极端子和负极端子之间,并间歇地以相等的检测电流检测各中间端子的中间端子断开。
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公开(公告)号:CN107706264A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201710675937.2
申请日:2017-08-09
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor: 朝生龙也
IPC: H01L31/103 , H01L21/225 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0284 , H01L21/0455 , H01L21/70 , H01L27/1203 , H01L27/1443 , H01L31/02024 , H01L31/0203 , H01L31/024 , H01L31/103 , H01L21/225 , H01L31/1804
Abstract: 作为具有因较浅的pn结而对紫外线的灵敏度高的光电二极管的半导体装置的制造方法,不利用对硅衬底的离子注入,而作成能够以良好灵敏度检测紫外线的光电二极管,因此向硅衬底表面沉积以高浓度包含杂质的氧化物,然后,利用高速升降温装置进行伴随快速的温度变化的热扩散,形成扩散区域,设置极浅的pn结。
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公开(公告)号:CN104022744B
公开(公告)日:2018-02-09
申请号:CN201410061894.5
申请日:2014-02-24
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor: 津崎敏之
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/45 , H03F1/52 , H03F3/45475 , H03F2200/441 , H03F2203/45101 , H03F2203/45604 , H03F2203/45616
Abstract: 本发明提供运算放大器,能够在不限制输入信号的电压范围的情况下检测出输入端子成为开路的情况。该运算放大器具备:第一比较器,其检测运算放大器的反相输入端子的开路;第二比较器,其检测运算放大器的同相输入端子的开路;第一电阻和第一开关,它们由第一比较器和第二比较器的输出信号控制,串联连接在运算放大器的同相输入端子与接地端子之间;以及第二电阻和第二开关,它们串联连接在运算放大器的反相输入端子与电源端子之间。
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公开(公告)号:CN103887305B
公开(公告)日:2018-02-09
申请号:CN201310705960.3
申请日:2013-12-19
Applicant: 精工半导体有限公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L21/761 , H01L27/0255 , H01L27/0921
Abstract: 本发明提供半导体装置,其能够以小的面积抑制闩锁效应的发生。在少数载流子捕获区域中,P型扩散区(22)、N型阱(24)和P型扩散区(25)形成于P型半导体衬底(27)的表面。N型扩散区(23)形成于N型阱(24)的表面。此时,N型阱(24)夹在P型扩散区(22)和P型扩散区(25)之间。P型扩散区(22)和P型扩散区(25)不是以最短距离进行连接,而是通过迂回地配置的金属膜配线进行连接,并且,双方都与接地焊盘(12)连接。
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公开(公告)号:CN104567947B
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201410574022.9
申请日:2014-10-24
Applicant: 精工半导体有限公司
IPC: G01D5/14
CPC classification number: G01R33/0017 , G01R19/16538 , G01R31/2829
Abstract: 本发明提供防止动作电源电压范围内的电源电压发生变动时误检测/误解除脉冲输出并输出所希望的检测脉冲的磁性传感器电路。构成为具备检测电源电压或内部电源电压的变动的检测电路,基于检测电路输出的电源变动检测信号,将振荡电路输出的控制时钟信号的逻辑保持一定时间,决定输出端子的输出逻辑的闩锁电路对比较电路的判定输出不进行闩锁。
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