半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置

    公开(公告)号:CN101740098B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN200910225288.1

    申请日:2009-11-12

    Inventor: 金子哲也

    CPC classification number: G11C7/103 G11C7/1039

    Abstract: 本发明提供一种能够减小电路规模的半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置。在从串行输出端子(20)串行读出数据的半导体存储装置的读出电路的多个读出放大器中,在确定地址前的规定时间存在4个确定地址时有可能被选择的字节选择器的场合,总共只需要4个读出放大器(A1~A4),因此读出电路及半导体存储装置的电路规模变小。

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