Invention Grant
- Patent Title: 半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置
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Application No.: CN200910225288.1Application Date: 2009-11-12
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Publication No.: CN101740098BPublication Date: 2016-03-30
- Inventor: 金子哲也
- Applicant: 精工半导体有限公司
- Applicant Address: 日本千叶县
- Assignee: 精工半导体有限公司
- Current Assignee: 艾普凌科有限公司
- Current Assignee Address: 日本长野县
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 何欣亭; 王丹昕
- Priority: 2008-289480 2008.11.12 JP
- Main IPC: G11C7/06
- IPC: G11C7/06
Abstract:
本发明提供一种能够减小电路规模的半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置。在从串行输出端子(20)串行读出数据的半导体存储装置的读出电路的多个读出放大器中，在确定地址前的规定时间存在4个确定地址时有可能被选择的字节选择器的场合，总共只需要4个读出放大器(A1～A4)，因此读出电路及半导体存储装置的电路规模变小。
Public/Granted literature
- CN101740098A 半导体存储装置的读出电路及半导体存储装置 Public/Granted day:2010-06-16
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