公开(公告)号：CN106328541A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610498779.3

申请日：2016-06-29

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 樱井仁美

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66575 ,  H01L2224/80874 ,  H01L2224/81874 ,  H01L2224/8188 ,  H01L29/66477 ,  H01L21/26506

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，用于抑制对多晶硅层(4)进行离子注入时的沟道效应，使在多晶硅层(4)的构图中使用的第1光致抗蚀剂层(5)在第2光致抗蚀剂层(8)的开口部露出，将第1光致抗蚀剂层(5)作为由多晶硅层(4)构成的栅电极(4-1)的掩模来离子注入杂质。

公开(公告)号：CN103887305B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201310705960.3

申请日：2013-12-19

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 樱井仁美 ,  广濑嘉胤

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0921

Abstract: 本发明提供半导体装置，其能够以小的面积抑制闩锁效应的发生。在少数载流子捕获区域中，P型扩散区（22）、N型阱（24）和P型扩散区（25）形成于P型半导体衬底（27）的表面。N型扩散区（23）形成于N型阱（24）的表面。此时，N型阱（24）夹在P型扩散区（22）和P型扩散区（25）之间。P型扩散区（22）和P型扩散区（25）不是以最短距离进行连接，而是通过迂回地配置的金属膜配线进行连接，并且，双方都与接地焊盘（12）连接。

公开(公告)号：CN104350586B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201380029681.8

申请日：2013-05-21

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 理崎智光 ,  中西章滋 ,  樱井仁美 ,  岛崎洸一

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/45 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/60 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L27/0296 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78303 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/35 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2924/00015

Abstract: 为了抑制焊盘开口部之下的裂缝，并且不增大芯片尺寸，保护膜6具有使一部分的最上层金属膜3露出的焊盘开口部9。该焊盘开口部9为矩形且为正方形，开口宽度为d0。第二金属膜2在焊盘开口部9之下具有开口部。该开口部为矩形且为正方形，开口宽度为d4。保护膜6的开口端与第二金属膜2的开口端的距离为d3。第二金属膜2为矩形的环形状，在焊盘开口部9的内侧露出距离d3。