具有耗尽型MOS晶体管的半导体装置

Invention Grant

CN102208445B 具有耗尽型MOS晶体管的半导体装置失效 - 权利终止转让

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Patent Title: 具有耗尽型MOS晶体管的半导体装置
Application No.: CN201110086411.3

Application Date: 2011-03-29
Publication No.: CN102208445B

Publication Date: 2016-03-30
Inventor: 原田博文
Applicant: 精工半导体有限公司
Applicant Address: 日本千叶县
Assignee: 精工半导体有限公司
Current Assignee: 艾普凌科有限公司
Current Assignee Address: 日本千叶县
Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
Agent 何欣亭; 王忠忠
Priority: 2010-076366 2010.03.29 JP
Main IPC: H01L29/78
IPC: H01L29/78 ; H01L29/10

Abstract:

得到改善的耗尽型MOS晶体管，其中包括：半导体衬底上的第一导电型的阱区；在阱区上形成的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的栅电极；在栅电极的两端形成的第二导电型的源极/漏极区；在源极/漏极区之间的栅极氧化膜下形成的第二导电型的低浓度杂质区；以及在源极/漏极区之间的第二导电型的低浓度杂质区之下形成的第一导电型的低浓度杂质区。

Public/Granted literature

CN102208445A 具有耗尽型MOS晶体管的半导体装置 Public/Granted day:2011-10-05

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的