公开(公告)号：CN106608615A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510694882.0

申请日：2015-10-22

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 薛维佳 ,  陈倩 ,  袁霞

IPC分类号： B81C3/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C3/001 ,  B81C1/00873

摘要： 本发明公开了一种MEMS器件的制造方法。该制造方法包括：在SOI片或载体裸硅片的表面喷涂临时键合后解键合时所需的释放层；于SOI片或载体裸硅片上旋涂临时键合时所需的黏胶层；将SOI片和载体裸硅片临时键合在一起并固化；在键合片的载体裸硅片的表面旋涂抗碱腐蚀的胶层；对SOI片的底层硅基体进行腐蚀，以将基底部分腐蚀去除；去除抗碱胶层并清洗键合片；腐蚀去除埋氧层；将键合片器件层一面粘贴于UV膜上；将键合片解键合以移除载体裸硅片；清洗器件层，去除解键合后残留于器件层表面的释放层，以得到器件。本发明的制造方法，能够生产制造10um甚至以下厚度的超薄器件，同时保持极佳的厚度均匀性，制造精度高且便于量产。

公开(公告)号：CN104195529B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410509492.7

申请日：2014-09-28

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 杨力勇 ,  沈震

IPC分类号： G06F11/32

摘要： 本发明提供一种LPCVD炉管及其主阀联锁装置电路，该电路输入端接到真空检测仪，输出端对应到炉管的工艺终止部件；该电路采用双电源输入；该电路包括：第一电阻，一端接收真空检测信号；第二电阻和电位器，串联后接于正电源端和地端间，从中提供炉管预真空的设定数值对应的比较器的动作电压；比较器，正输入端接于第二电阻和电位器间，负输入端与第一电阻另一端连接；比较器还分别与正、负电源端连接；第三电阻，一端与比较器输出端连接；三极管，基极与第三电阻另一端连接，发射极接地；继电器，一端与三极管集电极连接，另一端与正电源端连接；第四电阻，一端与三极管集电极连接；状态显示元件，一端与第四电阻另一端连接，另一端与正电源端连接。

公开(公告)号：CN104049652B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410287391.X

申请日：2014-06-24

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 杨力勇 ,  沈震

IPC分类号： G05D23/22

摘要： 本发明提出了一种管路温度控制装置，在排气管路上添加加热单元，由温控单元控制加热单元给排气管路加热，使其保持在预定温度，测温单元检测排气管路的温度，并将检测结果反馈至温控单元，避免排气管路温度出现较大波动，通过对排气管路的加热，避免堆积在排气管路内的副产物吸附水汽，并将水汽带至硅片表面，形成气泡缺陷，从而提高硅片的合格率。此外，保护单元用于保护整个装置，当出现漏电、温控单元失控、测温单元脱落及电源断电等异常情况时，保护整个装置，停止加热或者使反应腔室停止进行下一轮反应，提高整个装置的运行可靠性。

公开(公告)号：CN103996608B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201410250516.1

申请日：2014-06-06

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 史超 ,  王海红 ,  曹荣

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/22

摘要： 本发明提供了一种改善外延层电阻率均匀性的方法，通过根据测试样品生长的外延层的电阻率的分布情况，选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖，即在所述腔体内生长一层含有所述掺杂剂的薄膜，之后对衬底进行外延工艺。在进行外延工艺过程中，进行过预覆盖的腔体的内部的腔体的侧壁和基座上的所覆盖的掺杂剂会受高温影响扩散出来，从而改变衬底边缘的掺杂气体浓度，掺杂气体进入外延层中，改变了所述外延层边缘的电阻率分布，降低了自掺杂现象对外延层电阻率均匀性的影响，提高了产品良率。

公开(公告)号：CN102569035B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210044578.8

申请日：2012-02-27

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 姜剑光 ,  徐雷军 ,  刘峰松 ,  厉冰峰 ,  陈怡骏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/60

摘要： 本发明涉及一种背面金属工艺中断后晶片的返工方法，包括以下步骤：当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对晶片进行降温；腔室破真空，取出晶片；重返高真空腔室对晶片进行烘烤；继续当前金属层的背面金属工艺。本发明在腔室故障后，采用高真空降温，降低晶片取出后的被氧化性，再返回高真空腔室进行烘烤，再进行当前金属层的沉积，有效的防止了背面金属层之间的剥落，从而提高晶片的良率和可靠性。

公开(公告)号：CN103935953B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201410172235.9

申请日：2014-04-25

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 徐元俊 ,  颜毅林 ,  薛维佳

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC分类号： B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2201/053

摘要： 本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。

公开(公告)号：CN105047561A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510319322.7

申请日：2015-06-11

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 张栋

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/66325 ,  H01L21/265 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/6609

摘要： 本发明公开了一种双极性功率器件的制作方法，包括以下步骤：S1、遮挡所述双极性功率器件的元胞区域，以使所述元胞区域不被辐照；S2、对所述双极性功率器件进行辐照；S3、对所述双极性功率器件进行退火。与现有技术相比，本发明通过对双极性功率器件中除去元胞区域以外的区域，特别是对靠近终端保护环的区域进行辐照或注入重金属掺杂，使得功率器件关断时的反向恢复电流减小，功率器件的电流关断能力得到提高，从而提高了功率器件的安全工作区，有效降低了功率器件发生闩锁效应的可能性。另外，本发明的制作方法操作简单，成本低，适用于批量生产，应用广泛。

公开(公告)号：CN104952910A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510256691.6

申请日：2015-05-19

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 高文玉 ,  陶有飞 ,  徐雷军 ,  刘启星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种超结半导体器件的终端结构及其制造方法。所述终端结构具有若干超结P柱，每个超结P柱包括一顶部P柱和一底部P柱，每个超结P柱中顶部P柱的宽度不小于底部P柱的宽度。本发明的超结半导体器件的终端结构及其制造方法，能够提供高可靠小尺寸的半导体器件终端结构，并具有成本低、工艺简单容易实现和工艺窗口宽的优点。

公开(公告)号：CN104882476A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510271962.5

申请日：2015-05-25

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 张栋

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/266 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L21/027 ,  H01L21/266

摘要： 本发明公开了一种横向IGBT及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：S1、形成掩模图形，所述掩模图形包括多个光刻胶图形，所述光刻胶图形的间距依次增大；S2、向所述光刻胶图形之间注入N型掺杂，形成N型缓冲层。与现有横向IGBT的制作方法相比，本发明通过设置多个间距依次增大的光刻胶图形，并向每个间距内注入掺杂，在IGBT的漏端形成掺杂浓度渐变分布的N型缓冲层，使得利用本发明制作方法制成的IGBT器件具有更优的电场、静态特性、动态特性以及开关特性。

公开(公告)号：CN104882382A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510256681.2

申请日：2015-05-19

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 高文玉 ,  郎金荣 ,  陶有飞 ,  刘启星

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66522 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/401 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种MOSFET终端结构及其制造方法，方法包括：S1、在N型重掺杂单晶硅衬底上生长N型轻掺杂硅外延层，并在所述N型轻掺杂硅外延层上生长二氧化硅场氧化层；S2、将若干场限环区域上方的二氧化硅场氧化层除去，形成若干场氧化层开口区；S3、在若干场氧化层开口区中生长二氧化硅栅氧化层，并在二氧化硅场氧化层和二氧化硅栅氧化层上淀积多晶硅层；S4、蚀刻多晶硅层，以形成若干多晶硅场板、若干耦合多晶硅条及若干连接多晶硅条；S5、执行自对准P型杂质离子注入操作，并进行高温退火以形成若干场限环。本发明制造出的终端结构具有尺寸小和不受金属加工精度限制的优点。