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公开(公告)号：CN113249789B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110532288.7
申请日：2021-05-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用。该薄膜是在掺铌钛酸锶基底上外延生长的大面积高质量的锆钛酸铅单晶薄膜，具有面积接近cm2级别的宏观尺寸，厚度可达微米级，且在铁电极化方向上锆离子和钛离子比例呈梯度变化。该单晶锆钛酸铅薄膜是通过将共沉淀反应和水热反应结合，在远低于居里温度的环境中制备得到的，工艺过程简单、可控，成本低，易于规模化生产，在铁电存储器、热释电传感器和电光探测器等领域具有广泛的潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN113584594A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010368474.7
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铅位掺杂甲胺铅碘单晶薄膜及其制备方法，所述单晶薄膜以CH3NH3PbI3为母体，在铅位掺杂La，得到分子式为CH3NH3Pb1‑xLa2x/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜，在铅位掺杂Sm，得到分子式为CH3NH3Pb1‑ySm2y/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜，在铅位掺杂Pr，得到分子式为CH3NH3Pb1‑zPrzI3(z=0.005‑0.27)的单晶薄膜。本发明通过La、Sm、Pr元素的掺杂有效的提高了载流子的饱和极化强度、剩余极化强度、压电系数和迁移率，铅位取代较大地提高了其光电性能，且降低了重金属铅带来的毒性，该工艺简单，制备过程易于控制，重复性高。
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公开(公告)号：CN111733450B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010690248.0
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第九研究所
Abstract: 本发明公开了一种改善液相外延大尺寸石榴石单晶薄膜厚度均匀性的方法及采用该方法制得的单晶薄膜，属于薄膜材料技术领域，调整制备所述薄膜的原料中PbO‑B2O3的比例，按摩尔比计，12≤PbO/B2O3≤17，优选调整所述薄膜生长时衬底转速r1，100rpm≤r1≤150rpm，调整最终在石榴石单晶薄膜生长结束后衬底转速r2，r2>300rpm；采用本发明的方法，能够实现3英寸石榴石单晶薄膜中大于70％的膜面厚度变化小于2％。
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公开(公告)号：CN108565449B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810163146.6
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学) , 厦门大学深圳研究院
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , C30B29/52 , C30B19/00
Abstract: 本发明提供一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用，涉及材料技术领域。其制备方法为：在保护气体下，将锡基钎料加热至完全熔化，并保温。然后将铜基薄片浸入到液态钎料中，反应一定时间后取出，冷却后，去除铜基薄片表面残余的钎料。将反应后的铜基薄片在20～60℃下等温时效10～30天，以使铜基薄片表面获得致密排列的单向性Cu6Sn5纳米棒阵列。制得的Cu6Sn5纳米棒具有与Cu基电极结合强度高、导电性能优异、比表面积大、制备成本低、制备流程简单、可实现批量制备的优点。尤其是此种纳米棒在与Li的合金化和脱合金化过程中不易粉化脱落，为高性能Li离子电池负极材料的制备提供了一种可行路线。
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公开(公告)号：CN107699954B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201710905082.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种强耦合的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法，所述超晶格结构是由一系列三十二面体金纳米颗粒密集排布所组成，颗粒平均间距控制在几十纳米到几纳米，整个超晶格呈现为一种单层薄膜形态，可见‑近红外波段范围内其存在两个特征化的等离子体耦合共振峰；自组装制备方法是结合了静电和毛细吸附的共同作用。本发明所选用的试剂和仪器设备简单易得、自组装方式灵活高效，所制备的强耦合金纳米超晶格结构实际面积达到cm2级，且重复性好。本发明为构造设计功能性的新型光学材料和器件奠定了实验基础，对于自组装其他形态的纳米晶结构单元制备大面积的超晶及其应用具有重要的参考价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110835756A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911125525.7
申请日：2019-11-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种单晶高温合金基体上外延生长单晶MCrAlY涂层的制备方法，所述方法将单晶高温合金基体采用砂纸打磨试样表面，去除表面层应力和氧化物；采用丙酮超声清洗吹干；将MCrAlY粉末在干燥箱中干燥，采用压片机压成一定厚度的薄片后放置于高温合金基体表面；采用电子束熔覆设备将粉末薄片熔覆在基体上形成涂层。本发明为单晶高温合金基体表面外延生长MCrAlY单晶涂层提供了一种新的方法，本方法可一次性制备较厚的与基体取向一致的单晶涂层，且涂层中杂晶组织少，基体无需预热等。本发明可用于所有单晶高温合金基体上单晶涂层的制备。
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公开(公告)号：CN109082708A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810824851.6
申请日：2018-07-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备具有两种a轴晶粒的c轴YBCO高温超导厚膜的方法，包括步骤：1)将BaCO3粉末和CuO粉末进行配料并烧结，制得Ba-Cu-O粉末；2)将Ba-Cu-O粉末加入到Y2O3坩埚中加热至高温待其充分融化后，向其中加入重量固定的Ba-Cu-O粉末并通过长期的保温，获得初始状态恒定的Y-Ba-Cu-O溶液；3)在高温溶液中加入重量固定的Ba-Cu-O粉末，通过改变Ba-Cu-O粉末的熔化时间△tm来调节欠过饱和度的中间状态Uint，使溶液的状态达到Uint2；4)将溶液降温至第二温度；5)将固定在连接杆的籽晶材料插入到步骤4)中生长5～15s。本发明通过精细地调节溶液过饱和度，使Y-Ba-Cu-O溶液在亚稳区准确的达到指定的过饱和度的状态，生长得到具有两种a轴晶粒的c轴YBCO高温超导厚膜，工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN105543973B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201510940974.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种形貌可演变的无机‑有机复合反蛋白石结构光子晶体的制备方法及应用。所述方法采用竖直沉积法制备有序性良好的光子晶体模板，并在其间隙中填充前驱体，通过在有机溶剂中去除光子晶体模板，制备得到反蛋白石结构光子晶体。本发明还通过电浸润过程，利用电压控制，实现了液滴在结构表面发生各向异性浸润，完成了反蛋白石光子晶体结构内部的形貌变化，并且使得浸润的地方发生颜色的变化。本发明利用该过程实现了光子晶体图案的快速、简单的制备方法，发展了光子晶体在图案化制备方面的又一新方法，拓宽了光子晶体在光学器件、显示器、微流控设备等方面的潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN105463566B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510835789.7
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学技术大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种外延生长MoSe2‑XnSem异质纳米结构的液相方法，其特征是：首先制备MoSe2纳米薄片；然后在MoSe2纳米薄片表面外延生长XnSem纳米晶，即获得MoSe2‑XnSem异质纳米结构。本发明以高沸点有机物质为溶剂，首次用液相方法合成出了MoSe2‑XnSem(包括MoSe2‑NiSe、MoSe2‑Bi2Se3、MoSe2‑CdSe和MoSe2‑PbSe)异质纳米结构，反应条件简易温和，工艺操作简单；尤其是其中的MoSe2‑NiSe异质纳米结构作为析氢催化剂具有良好的电催化活性和电化学稳定性，这进一步表明了其在能量转换领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN107287656A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710442213.3
申请日：2017-06-13
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: C30B29/12 , C09K11/72 , C09K11/7492 , C30B19/00
Abstract: 本发明公开了一种III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，包括以下步骤：(1)将III-V族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶液，将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，再将量子点溶液与无机配体分散液混合搅拌，极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；(2)将PbX2与MAX均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶液；(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长晶体，从而在III-V族量子点上外延诱导生长得到MAPbX3钙钛矿晶体。本发明通过对关键III-V族量子点异质外延生长界面配体的种类和结构等进行改进，能够有效解决III-V族量子点无法与Pb、X卤族元素相键合的问题。
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