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公开(公告)号：CN108565449A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810163146.6
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学) , 厦门大学深圳研究院
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , C30B29/52 , C30B19/00
Abstract: 本发明提供一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用，涉及材料技术领域。其制备方法为：在保护气体下，将锡基钎料加热至完全熔化，并保温。然后将铜基薄片浸入到液态钎料中，反应一定时间后取出，冷却后，去除铜基薄片表面残余的钎料。将反应后的铜基薄片在20～60℃下等温时效10～30天，以使铜基薄片表面获得致密排列的单向性Cu6Sn5纳米棒阵列。制得的Cu6Sn5纳米棒具有与Cu基电极结合强度高、导电性能优异、比表面积大、制备成本低、制备流程简单、可实现批量制备的优点。尤其是此种纳米棒在与Li的合金化和脱合金化过程中不易粉化脱落，为高性能Li离子电池负极材料的制备提供了一种可行路线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112122804B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011010707.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 厦门大学 , 厦门大学深圳研究院 , 厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学)
Abstract: 本发明提出了一种功率芯片封装用耐高温接头的低温快速无压制造方法，利用温度梯度、超声波及平板热压耦合工艺制造泡沫铜/金属间化合物复合耐高温焊锡预制片，及利用上述焊锡预制片结构实现功率芯片低温快速无压连接并获得大尺寸耐高温焊接接头的制造工艺。本发明制造的复合耐高温焊接预制片及耐高温焊接接头，具有制备工艺简单、焊接时间短、材料成本低廉等优点，所形成的耐高温焊接接头具有极高的剪切强度、良好的导电及导热性能。
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公开(公告)号：CN108565449B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810163146.6
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学) , 厦门大学深圳研究院
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , C30B29/52 , C30B19/00
Abstract: 本发明提供一种单向性Cu6Sn5纳米棒及其制备方法、应用，涉及材料技术领域。其制备方法为：在保护气体下，将锡基钎料加热至完全熔化，并保温。然后将铜基薄片浸入到液态钎料中，反应一定时间后取出，冷却后，去除铜基薄片表面残余的钎料。将反应后的铜基薄片在20～60℃下等温时效10～30天，以使铜基薄片表面获得致密排列的单向性Cu6Sn5纳米棒阵列。制得的Cu6Sn5纳米棒具有与Cu基电极结合强度高、导电性能优异、比表面积大、制备成本低、制备流程简单、可实现批量制备的优点。尤其是此种纳米棒在与Li的合金化和脱合金化过程中不易粉化脱落，为高性能Li离子电池负极材料的制备提供了一种可行路线。
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公开(公告)号：CN112317972B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011063155.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 厦门大学 , 厦门大学深圳研究院 , 厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学)
Abstract: 本发明提出了一种单向性耐高温焊接接头的低温快速制造方法，通过双面直流电解沉积工艺，可以获得具有高密度单向性的双面纳米孪晶铜箔，且铜箔表面取向为(111)晶面；将(111)纳米孪晶铜箔在还原性气氛且300‑500℃下低温时效，在0.5‑4h内快速形成双面单晶铜箔，且单晶铜箔表面取向为(111)晶面；将单晶铜箔、锡箔堆叠后与覆铜碳化硅芯片焊接，利用平板热压与温度梯度回流工艺，在5‑10分钟内快速形成单向性Cu6Sn5金属间化合物焊接接头，且Cu6Sn5晶粒的[0001]晶向与单晶铜箔的表面平行。由于Cu6Sn5金属间化合物的熔点高达415℃，且其[0001]晶向具有高剪切强度，所以形成的单向性Cu6Sn5金属间化合物焊接接头将具有极佳的耐高温性能，满足碳化硅等功率芯片长期高温与高可靠性的服役需求。
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公开(公告)号：CN112317972A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011063155.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 厦门大学 , 厦门大学深圳研究院 , 厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学)
Abstract: 本发明提出了一种单向性耐高温焊接接头的低温快速制造方法，通过双面直流电解沉积工艺，可以获得具有高密度单向性的双面纳米孪晶铜箔，且铜箔表面取向为(111)晶面；将(111)纳米孪晶铜箔在还原性气氛且300‑500℃下低温时效，在0.5‑4h内快速形成双面单晶铜箔，且单晶铜箔表面取向为(111)晶面；将单晶铜箔、锡箔堆叠后与覆铜碳化硅芯片焊接，利用平板热压与温度梯度回流工艺，在5‑10分钟内快速形成单向性Cu6Sn5金属间化合物焊接接头，且Cu6Sn5晶粒的[0001]晶向与单晶铜箔的表面平行。由于Cu6Sn5金属间化合物的熔点高达415℃，且其[0001]晶向具有高剪切强度，所以形成的单向性Cu6Sn5金属间化合物焊接接头将具有极佳的耐高温性能，满足碳化硅等功率芯片长期高温与高可靠性的服役需求。
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公开(公告)号：CN112122804A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011010707.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 厦门大学 , 厦门大学深圳研究院 , 厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学)
Abstract: 本发明提出了一种功率芯片封装用耐高温接头的低温快速无压制造方法，利用温度梯度、超声波及平板热压耦合工艺制造泡沫铜/金属间化合物复合耐高温焊锡预制片，及利用上述焊锡预制片结构实现功率芯片低温快速无压连接并获得大尺寸耐高温焊接接头的制造工艺。本发明制造的复合耐高温焊接预制片及耐高温焊接接头，具有制备工艺简单、焊接时间短、材料成本低廉等优点，所形成的耐高温焊接接头具有极高的剪切强度、良好的导电及导热性能。
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