一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用

    公开(公告)号:CN113249789A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202110532288.7

    申请日:2021-05-17

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: C30B29/32 C30B19/00 C30B19/12

    摘要: 本发明公开了一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用。该薄膜是在掺铌钛酸锶基底上外延生长的大面积高质量的锆钛酸铅单晶薄膜,具有面积接近cm2级别的宏观尺寸,厚度可达微米级,且在铁电极化方向上锆离子和钛离子比例呈梯度变化。该单晶锆钛酸铅薄膜是通过将共沉淀反应和水热反应结合,在远低于居里温度的环境中制备得到的,工艺过程简单、可控,成本低,易于规模化生产,在铁电存储器、热释电传感器和电光探测器等领域具有广泛的潜在应用前景。

    一种取向生长P(VDF-TrFE)薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109972136A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201910234426.6

    申请日:2019-03-26

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: C23C26/00

    摘要: 本发明公开了一种取向生长偏二氟乙烯三氟乙烯共聚物(P(VDF‑TrFE))薄膜的制备方法。该方法以一种特殊的石墨烯/铜为衬底,将P(VDF‑TrFE)粉末均匀溶解在四氢呋喃有机溶剂中,取适量溶液在基底上进行旋涂,最后进行真空干燥退火处理。该方法工艺简单、效果显著,制备所得P(VDF‑TrFE)薄膜取向性非常好,在柔性换能器、红外探测器、传感器以及信息存储等领域有广阔的应用前景。

    一种取向生长多肽分子阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN109913955B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201910234419.6

    申请日:2019-03-26

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: C40B50/14 C40B40/10

    摘要: 本发明公开了一种取向生长多肽分子阵列的制备方法。该方法主要步骤为:将一定量的多肽溶于有机溶剂中,充分振荡均匀形成溶液,取适量溶液滴在石墨烯/铜基底上,用匀胶机进行旋涂,最后在真空条件下干燥得到取向生长多肽。本方法效果显著,工艺简单,成本较低,对生物材料本征的应用以及拓展生物材料在其他领域应用例如压电方面具有深远的意义。

    一种取向生长P(VDF-TrFE)薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109972136B

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201910234426.6

    申请日:2019-03-26

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: C23C26/00

    摘要: 本发明公开了一种取向生长偏二氟乙烯三氟乙烯共聚物(P(VDF‑TrFE))薄膜的制备方法。该方法以一种特殊的石墨烯/铜为衬底,将P(VDF‑TrFE)粉末均匀溶解在四氢呋喃有机溶剂中,取适量溶液在基底上进行旋涂,最后进行真空干燥退火处理。该方法工艺简单、效果显著,制备所得P(VDF‑TrFE)薄膜取向性非常好,在柔性换能器、红外探测器、传感器以及信息存储等领域有广阔的应用前景。

    一种光控多功能P(VDF-TrFE)复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN115232337A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210749914.2

    申请日:2022-06-28

    摘要: 本发明公开了一种光控多功能P(VDF‑TrFE)复合薄膜的制备方法。该方法是将P(VDF‑TrFE)粉末均匀溶解在N,N‑二甲基甲酰胺中,再在其中加入配制好的MAPbI3前驱体溶液,搅拌均匀后取适量溶液旋涂在衬底上,再进行退火处理,得到光控多功能P(VDF‑TrFE)复合薄膜。该发明得到的复合薄膜在光照条件下光吸收明显增强且复合体产生光致伸缩效应,通过应力作用薄膜矫顽场随光强增强而减小,铁电极化强度维持不变,因此具有力、电、光耦合的多功能性。该复合薄膜在光学传感器件、电子功能器件等领域具有重要应用前景。

    一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用

    公开(公告)号:CN113249789B

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202110532288.7

    申请日:2021-05-17

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: C30B29/32 C30B19/00 C30B19/12

    摘要: 本发明公开了一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用。该薄膜是在掺铌钛酸锶基底上外延生长的大面积高质量的锆钛酸铅单晶薄膜,具有面积接近cm2级别的宏观尺寸,厚度可达微米级,且在铁电极化方向上锆离子和钛离子比例呈梯度变化。该单晶锆钛酸铅薄膜是通过将共沉淀反应和水热反应结合,在远低于居里温度的环境中制备得到的,工艺过程简单、可控,成本低,易于规模化生产,在铁电存储器、热释电传感器和电光探测器等领域具有广泛的潜在应用前景。

    一种取向生长多肽分子阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN109913955A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910234419.6

    申请日:2019-03-26

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: C40B50/14 C40B40/10

    摘要: 本发明公开了一种取向生长多肽分子阵列的制备方法。该方法主要步骤为:将一定量的多肽溶于有机溶剂中,充分振荡均匀形成溶液,取适量溶液滴在石墨烯/铜基底上,用匀胶机进行旋涂,最后在真空条件下干燥得到取向生长多肽。本方法效果显著,工艺简单,成本较低,对生物材料本征的应用以及拓展生物材料在其他领域应用例如压电方面具有深远的意义。