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公开(公告)号：CN113671425B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010366784.5
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种耐高温的柔性磁电传感器及其制备方法。所述耐高温的柔性磁电传感器包括磁致伸缩材料层，压电材料层，其中磁致伸缩材料层是Terfenol‑D单晶薄片，压电材料层是BiScO3‑PbTiO3压电陶瓷薄片。磁致伸缩材料层与压电材料层之间使用高温银胶粘结，从而得到耐高温的柔性磁电传感器。本发明所制备的磁电传感器具有高灵敏度、小型化、柔性、高温工作、功耗低、成本低的突出综合性能优势，在国防安全、智能交通、先进制造等涉及高温的领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113578334B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202010368445.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种ITO玻璃/BiVO4纳米棒@Bi2FeCrO6/纳米粒子催化材料及其制备方法，Bi2FeCrO6薄膜包裹BiVO4纳米棒，纳米粒子弥散分布在Bi2FeCrO6薄膜上，形成所述的催化材料。本发明采用催化、铁电性能俱佳的Bi2FeCrO6薄膜包裹BiVO4纳米棒，可以使材料在催化过程中具有更高的效率和稳定性；Bi2FeCrO6薄膜表面弥散分布的纳米粒子可以提高电子‑空穴对的传输效率，该催化材料可以用于水分解产氢的用途中。
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公开(公告)号：CN113594356A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010366737.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种铁电氧化物与MAxFA1‑xPbI3 0‑3复合的薄膜材料，以平均粒径12~18 nm的0维铁电材料，将该0维铁电材料均匀分布于MAxFA1‑xPbI3形成的3维连通的骨架之中，得到所述的薄膜材料。与现有卤素钙钛矿薄膜相比，铁电氧化物与MAxFA1‑xPbI30‑3复合的薄膜材料内部具有大量纳米铁电畴，能有效降低光生电子‑空穴对的复合，提高材料的光伏性能，形成了一类全新的MAxFA1‑xPbI3铁电半导体材料。
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公开(公告)号：CN113584588A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010366740.2
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光‑力协同催化的单晶纳米片材料及其制备方法，该材料组分为(1‑x)BiScO3‑xPbTiO3‑yBiFeO3‑zBiMnO3，其中0.61≤x≤0.65，0≤y≤0.03，0≤z≤0.03，通过特殊的水热法获得，所获得的单晶纳米片表面为(001)c伪立方晶面，且自发的宏观铁电极化方向垂直于(001)c晶面。通过该方法制备的单晶纳米片具有优异的光‑力协同催化性能，厚度可达12.2纳米，长度与厚度之比为92.6，该单晶纳米片在光‑力协同催化作用(光照和超声振动同时进行)60分钟后，降解罗丹明B的Kobs值可达86.55×10‑3 min‑1，是单独光照的2.5倍，超声振动的2.3倍。水分解产氢速率可达4954μmol·h‑1·g‑1，是单独光照的2.0倍，超声振动的1.7倍。
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公开(公告)号：CN109036849B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810697031.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01G7/06
Abstract: 本发明公开了无机柔性钙钛矿氧化物压控变容管及其制备方法。该透明柔性压控变容管由依次连接的云母衬底、全透明层状(Ag/ITO)n底电极、钙钛矿氧化物薄膜和透明ITO顶电极组成。该压控变容管以云母为衬底，使用O2作为溅射气体，利用溅射沉积技术在云母上依次沉积厚度为150nm‑250nm的(Ag/ITO)n底电极、厚度为200nm的钙钛矿氧化物薄膜和厚度为100nm‑300nm的ITO顶电极，制得无机柔性全透明钙钛矿氧化物压变变容管。本发明的压控变容管调谐率优异、透光率高；且柔性耐弯折，弯曲半径为1.4mm时其调谐率接近平整状态时的数值，在柔性、透明电子器件中具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103343315B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310223929.6
申请日：2013-06-04
Applicant: 南京理工大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料为n型半导体，分子式为BiFe1-xAxO3，其中x为0.0005-0.5，A为Nb或Mn元素中的一种或两种，且其厚度为15-500nm，电阻率为8.6×10-5-3×10-3Ω·cm，n型载流子浓度为1.4×1019-1.6×1022cm-3。本发明通过调节掺杂量，精确调控其电阻率、n型载流子浓度等半导体性能，在电子元器件、光电探测器和太阳能电池等领域具有巨大的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN103740327B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310671979.0
申请日：2013-12-10
Applicant: 南京理工大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 本发明公开了一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法。所述的薄膜为晶体薄膜，具备铁电性，其组成物质为有机-无机化合物分子铁电体。将分子铁电体溶液与清洁的基片相接触，并均匀地在基片上铺展且蒸发以获得均匀的薄膜，并将制得的均匀薄膜与质量浓度不小于其饱和时90%的该分子铁电体溶液相接触一定时间。本发明的意义在于，采用溶液浸泡生长法制备的分子铁电薄膜具备良好的铁电性，可以利用外加电场反转薄膜任意特定区域的极化方向，实现基于铁电效应的数据存储。本发明在铁电存储器领域具备潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN105355714A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510753796.2
申请日：2015-11-06
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , C23C14/28 , H01L31/02 , H01L31/02005 , H01L31/02008
Abstract: 本发明公开了一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜，所述薄膜成分以通式Bi2(1-x)A2x(FeCr)1-yB2yO6(1-δ)来表示，其中A为Gd元素，B为Ni元素，且x＝0.04～0.075，y＝0.06～0.1，δ＝0.05～0.3。所述的双层钙钛矿薄膜的制备方法为先采用固相烧结法制备靶材，再利用脉冲激光沉积法生长出均匀致密的薄膜。本发明所述的经掺杂后的双层钙钛矿薄膜具有铁电和N型半导体特征，相对其他铁电薄膜，具有更大的光伏效应开路电压(1.0～1.2V)，更大的光伏效应短路电流密度(13～40mA/cm2)。
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公开(公告)号：CN102173877A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110031966.8
申请日：2011-01-28
Applicant: 南京理工大学 , 南通扬子碳素股份有限公司
IPC: C04B41/90
Abstract: 本发明公开了一种使用火焰喷涂提高石墨电极抗氧化性能的方法，该方法利用火焰喷涂技术，在石墨电极的表面喷涂三层复合涂层，其主要成分从内而外分别为硅、硼酸铝和金属铝。在石墨电极的高温使用环境下，内层与石墨基体反应紧密结合，中间层隔热保护，最外层不仅表面钝化，还熔融渗透至电极的孔隙，有效隔绝了石墨基体与氧的接触，提升了涂层与基体的结合力。实践表明，利用本方法对石墨电极进行表面处理能够大幅提高电极的抗氧化性能，吨钢电极消耗与未处理过的石墨电极相比降低18％以上。本发明可广泛应用于钢铁冶金行业相关的石墨电极抗氧化技术领域。
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公开(公告)号：CN101974730A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010557401.9
申请日：2010-11-24
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜方法，本发明使用真空腔、真空系统、磁控溅射镀膜系统、振动筛及电源等设备，完成粉体的分散、易氧化薄膜在超低氧分压下的生长及封装，最终得到镀过易氧化薄膜的微米级颗粒。微米级颗粒通过一定的工艺在其表面镀有单层或几层复合薄膜，使它既有原组成材料的性质，又具有镀层材料的一些特性，因而在各行各业中都将有着广泛的应用前景。
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