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公开(公告)号：CN119332344A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411348729.8
申请日：2024-09-26
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种应用于S波段宽带滤波器的大线宽石榴石铁氧体单晶材料的生长方法，属于铁氧体单晶材料技术领域，本发明的方法为使用Ho3+离子与Ga3+离子共同掺杂，并采用PbO‑PbF2助熔剂体系生长石榴石Y3‑xHoxFe5‑yGayO12单晶，该方法制备的Y3‑xHoxFe5‑yGayO12铁氧体单晶材料铁磁共振线宽可达20 Oe~30 Oe，磁晶各向异性场约为50 Oe，且元素掺杂浓度分布均匀性良好，饱和磁化强度为1000±25Gs，可应用于超宽瞬时带宽带阻滤波器中。
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公开(公告)号：CN114978076A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210884540.5
申请日：2022-07-26
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种小型化旋磁滤波器集成组件，属于磁性器件技术领域，包括下磁路（11）、上磁路（12）、驱动器（3）、谐振电路（4）、线圈L1（51）和线圈L2（52），上磁路（12）在顶部开设有一腔体，驱动器（3）安装在该腔体内；谐振电路（4）位于由上磁路（12）、下磁路（11）形成的工作气隙内；线圈L1（51）与线圈L2（52）按相同绕向串接后套在下磁路（11）极柱上；本发明的组件体积能够大幅减少50%以上，还能够提高驱动器对滤波器工作频率的补偿精度；而且减少了故障模式点，方便了调试工序对谐振电路参数的调整。
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公开(公告)号：CN114696052A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210616878.2
申请日：2022-06-01
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P1/217
Abstract: 本发明公开了一种带磁路气隙场微调结构的磁调谐滤波器及调试方法，滤波器包括由上磁路、下磁路、工作气隙、谐振电路，所述谐振电路包括多个耦合的谐振小球，谐振小球一侧设有小球调节杆，当谐振小球为三个时，上磁路对应级间小球处，竖直设有一贯穿螺孔，当谐振小球大于三个时，上磁路对应输入输出小球处，分别竖直设有一贯穿螺孔，贯穿螺孔内设有一微调螺钉。本发明调试方式简单，通过微调螺钉来调节个别小球局部磁场，再结合小球调节杆来调整该个别小球的固定频率差，实现该谐振子频率与其余谐振子频率在宽的频率范围内重合。解决在宽频带调谐时由谐振小球频率不同步引起的滤波器响应波形变形、指标变差的难题，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN111681864A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010709588.3
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第九研究所
Abstract: 本发明公开了一种多通道旋磁滤波器磁路，属于磁性器件集成技术领域，包括下磁路（1）、上磁路（2）、上下磁路的磁极柱（3）、主线圈（4）、补偿线圈（5）、线圈安装槽（6）和多路谐振电路（7）；其中，所述线圈安装槽（6）位于上下磁极柱（3）的端面且垂直端面，将磁极柱（3）的端面均分为滤波器通道集成数量n，补偿线圈（5）套在线圈安装槽（6）内，其数量不少于n-1；本发明的磁路能够在P-Ku波段实现0-200MHz的频率补偿能力，滤波器谐振电路级数不受限制，适用性广，可覆盖所有旋磁滤波器的多通道集成；有利于器件减小功耗；有利于控制补偿调频范围和提高可靠性；并有利于控制滤波器产品制造成本与提高生产效率。
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公开(公告)号：CN111681859A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010709585.X
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第九研究所
Abstract: 本发明公开了一种旋磁滤波器低涡流磁路，属于磁性器件技术领域，包括下磁路（1）、上磁路（2）、磁极柱（3）和调谐线圈（5），其特征在于：还包括切槽（4）和工艺孔（6）；其中，所述切槽（4）垂直于磁极柱（3）端面，并贯穿磁极柱（3）或延展至磁路底部磁轭，所述工艺孔（6）位于磁极柱（3）或磁路底部磁轭；采用本发明的结构，可实现小于400μs/GHz的调谐速度，相对于现有的小型化块体磁路频率调谐速度提高200-300μs/GHz；与现有的叠片磁路相比，设计、加工简化，工作气隙精度高，制造成本降低，可生产性增强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117276832A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311243517.9
申请日：2023-09-26
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P1/217
Abstract: 本发明公开了一种低安装应力影响的旋磁器件结构，属于磁性器件技术领域，包括磁路和安装板，所述磁路包括上磁路和下磁路，所述下磁路的底部设置有凸台，在所述凸台外周套设有一隔离环，所述隔离环与凸台间隙配合，优选在所述隔离环与下磁路之间还套设过渡垫圈；本发明整体明显减小了安装应力对器件频率准确性的影响。
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公开(公告)号：CN114696052B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210616878.2
申请日：2022-06-01
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
IPC: H01P1/217
Abstract: 本发明公开了一种带磁路气隙场微调结构的磁调谐滤波器及调试方法，滤波器包括由上磁路、下磁路、工作气隙、谐振电路，所述谐振电路包括多个耦合的谐振小球，谐振小球一侧设有小球调节杆，当谐振小球为三个时，上磁路对应级间小球处，竖直设有一贯穿螺孔，当谐振小球大于三个时，上磁路对应输入输出小球处，分别竖直设有一贯穿螺孔，贯穿螺孔内设有一微调螺钉。本发明调试方式简单，通过微调螺钉来调节个别小球局部磁场，再结合小球调节杆来调整该个别小球的固定频率差，实现该谐振子频率与其余谐振子频率在宽的频率范围内重合。解决在宽频带调谐时由谐振小球频率不同步引起的滤波器响应波形变形、指标变差的难题，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN111733450B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010690248.0
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第九研究所
Abstract: 本发明公开了一种改善液相外延大尺寸石榴石单晶薄膜厚度均匀性的方法及采用该方法制得的单晶薄膜，属于薄膜材料技术领域，调整制备所述薄膜的原料中PbO‑B2O3的比例，按摩尔比计，12≤PbO/B2O3≤17，优选调整所述薄膜生长时衬底转速r1，100rpm≤r1≤150rpm，调整最终在石榴石单晶薄膜生长结束后衬底转速r2，r2>300rpm；采用本发明的方法，能够实现3英寸石榴石单晶薄膜中大于70％的膜面厚度变化小于2％。
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公开(公告)号：CN106252802B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610865406.5
申请日：2016-09-30
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种基于平面化谐振耦合结构的YIG带阻滤波器及制作方法，其中滤波器包括YIG带阻滤波器和驱动器，所述YIG带阻滤波器包括谐振腔，及设置在谐振腔内的平面化谐振耦合结构、为谐振腔提供稳定磁场的永磁偏置磁路、激励线圈。本发明采用在GGG玻璃正面设YIG薄膜、YIG薄膜上溅射光刻有一共面波导电路的方式，形成平面谐振耦合结构，代替了传统的环球立体耦合结构的YIG带阻谐振耦合结构，也就克服了该传统结构所存在的技术缺陷。加工工艺中，根据需要制成的产品形状，先将YIG薄膜光刻成需要的外形，再沿外形切割GGG玻璃；克服了直接对基于GGG基片的YIG薄膜切割易导致YIG薄膜崩边或者破损的缺陷。
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公开(公告)号：CN115799783A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310042305.8
申请日：2023-01-28
Applicant: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
Abstract: 本发明公开了一种多维度指标重构的磁调谐陷波器及调节方法，属于铁磁谐振器领域，磁调陷波器包括位于磁路中的上极柱、下极柱、工作气隙、谐振电路，谐振电路包括M个耦合的小球谐振子，工作气隙内的谐振电路下方，设有一分布磁场调节线圈组，所述分布磁场调节线圈组为偶数个，且分布磁场调节线圈组由中垂线分为左右两侧，同侧的线圈绕向相同，异侧线圈绕向相反，靠近中垂线的两线圈匝数相同，且从中间向分布磁场调节线圈的两端，各线圈的匝数等量递增，使各线圈产生的磁场大小从中间向两边依次等量变大。本发明能不改变陷波阻带的中心频率，不改变陷波器通带的插入损耗，且只需增加一个电流激励器就能控制阻带深度L与阻带带宽BW调节。
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