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公开(公告)号：CN1334234A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN01120632.2
申请日：2001-07-18
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： B82B3/00 , H01L29/772
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , G11C2213/17 , H01L27/28 , H01L51/0002 , H01L51/0048 , H01L51/0504 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0545 , H01L51/057 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/89 , Y10S977/896 , Y10S977/90 , Y10S977/936 , Y10S977/938
摘要： 揭示了一种水平生长碳纳米管的方法,其中可以在形成有触媒的基底上的特定位置在水平方向选择性地生长碳纳米管,该方法可用于制造纳米器件。该方法包括以下步骤:(a)在第一基底上形成预定触媒图形;(b)在第一基底上形成垂直生长防止层,该防止层防止碳纳米管在垂直方向生长;(c)通过垂直生长防止层和第一基底形成多个小孔,以通过小孔露出触媒图形;(d)在触媒图形的暴露表面上合成碳纳米管以便在水平方向生长碳纳米管。
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公开(公告)号：CN109478599A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780035658.8
申请日：2017-06-09
申请人： 太阳视窗技术公司 , 可持续能源联盟有限责任公司
IPC分类号： H01L51/46
CPC分类号： H01L51/4253 , H01L51/0002 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0046 , H01L51/0047 , H01L51/442 , Y02E10/549
摘要： 提供了具有受体-供体-受体型聚合物电子供体的有机半导体光伏装置和组合物。在一个实施方案中，物质组合物包括具有受体-供体-受体部分重复单元的共聚物材料。
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公开(公告)号：CN108604639A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680075746.6
申请日：2016-12-21
申请人： 原子能和能源替代品委员会 , ISORG公司 , 曲克赛尔股份有限公司
CPC分类号： H01L51/4213 , B82Y30/00 , H01L27/308 , H01L51/0002 , H01L51/0026 , H01L51/0096 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 光电装置(1)包括布置在电绝缘的基底(2)上的层的堆叠，该堆叠至少包括：一个阴极(3)，其由功函数为 的材料制成；电子收集层(4)，其布置在所述阴极(3)之上，并且由功函数为 薄层电阻为R的材料制成；有源层(5)，其包括至少一个p型有机半导体材料，所述p型有机半导体材料具有能级HO1，其特征在于：所述电子收集层(3)的所述功函数与有源层(5)的所述能级HO1形成能够阻止空穴从所述阴极(3)注入所述有源层(5)的势垒，并且所述电子收集层(4)的所述薄层电阻R大于或等于108Ω。
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公开(公告)号：CN108122957A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711234906.X
申请日：2017-11-29
申请人： 乐金显示有限公司
发明人： 李明和
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3206 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L51/0002 , H01L51/5056 , H01L51/5203 , H01L2227/323
摘要： 提供了有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括：基板；在所述基板上的显示区域，所述显示区域包括：第一像素，其包括配置为发射第一颜色光的第一有机发光层；第二像素，其包括配置为发射第二颜色光的第二有机发光层；和第三像素，其包括配置为发射第三颜色光的第三有机发光层；以及在所述基板上的非显示区域中的检查图案区域，所述检查图案区域包括第一检查像素，所述第一检查像素包括包含与所述第一有机发光层相同的材料的第一检查有机发光层。
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公开(公告)号：CN105565292B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410594881.4
申请日：2014-10-29
申请人： 北京大学
IPC分类号： C01B32/159 , C01B32/162 , B82Y30/00
CPC分类号： C30B29/02 , B05D1/005 , B05D1/60 , B05D3/007 , B05D3/0406 , B05D3/0453 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0233 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/08 , C01B2202/22 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C16/45512 , C30B25/186 , C30B29/20 , C30B31/04 , H01L51/0002 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0558 , H01L51/0566 , Y10S977/75 , Y10S977/843 , Y10S977/938
摘要： 本发明公开了一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法，包括如下步骤：在单晶生长基底上加载催化剂，退火后，在化学气相沉积系统中通入氢气进行所述催化剂的还原反应，并保持氢气的通入进行单壁碳纳米管的定向生长即得。该方法制备得到超高密度单壁碳纳米管水平阵列的密度超过130根/微米，这是目前世界上已报道直接生长密度最高的单壁碳纳米管水平阵列。对本发明制备的超高密度单壁碳纳米管水平阵列进行电学性能测试，其开电流密度达到380μA/μm，跨导达到102.5μS/μm，均是目前世界上碳纳米管场效应晶体管中的最高水平。
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公开(公告)号：CN107871817A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610847689.0
申请日：2016-09-23
申请人： 中国科学院大连化学物理研究所
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/0077 , H01L51/0002 , H01L51/4213
摘要： 本发明涉及一种有机-无机杂化钙钛矿材料的新合成方法，可用于快速合成钙钛矿微晶。利用钙钛矿材料溶解度的反温度效应，即低温下溶解度高，高温下溶解度低，在升温结晶过程中加入扰动磁子，即可快速得到微米级别的钙钛矿单晶。通过在前体溶液中改变卤素的比例，可以合成混合卤素钙钛矿微晶。本发明方法大大缩短结晶时间，合成时间在3-5分钟，而且操作简单，可用于工业化批量制备。
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公开(公告)号：CN107868934A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710863820.7
申请日：2017-09-22
申请人： 三星显示有限公司
CPC分类号： H01L51/0011 , C23C14/042 , C23C14/12 , H01L21/00 , H01L21/67 , H01L51/0002 , H01L51/001 , H01L51/0014 , H01L51/56
摘要： 本申请提供了一种制造分体式掩模的方法，所述方法包括：在第一方向上拉伸掩模构件的相对端部以将掩模构件固定至固定部分；在所固定的掩模构件上形成具有多个第一开口的第一图案部分，使得第一图案部分朝向第一图案部分的中部在第一方向上具有较长的长度；以及切割掩模构件的相对端部以使掩模构件从固定部分分离。
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公开(公告)号：CN107863443A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710961368.8
申请日：2017-10-17
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0002 , H01L51/0097 , H01L51/42
摘要： 本发明属于钙钛矿太阳能电池相关技术领域，其公开了一种柔性反式结构钙钛矿太阳能电池的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将酞菁铜通过热蒸发方法蒸镀在清洗后的柔性导电基底上以形成空穴传输层；(2)将旋涂液采用反溶剂法旋涂在所述空穴传输层的表面上，并对所述柔性导电基底进行加热，由此得到钙钛矿光吸收层；(3)将富勒烯衍生物溶液旋涂到所述钙钛矿光吸收层上以形成电子传输层；再采用蒸镀方法在所述电子传输层上形成对电极，由此得到柔性反式结构钙钛矿太阳能电池。本发明还涉及柔性反式结构钙钛矿太阳能电池。本发明降低了制备温度及制备成本，提升了电池性能，灵活性较高。
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公开(公告)号：CN107848969A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040791.8
申请日：2016-07-01
申请人： 默克专利有限公司
发明人： 埃米尔·侯赛因·帕勒姆 , 菲利普·斯托塞尔 , 克里斯托夫·普夫卢姆 , 安雅·雅提斯奇 , 约阿希姆·凯泽
IPC分类号： C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0072 , C07D209/80 , C07D209/86 , C07D209/88 , C07D219/02 , C07D219/04 , C07D241/48 , C07D265/38 , C07D279/20 , C07D471/04 , C07F5/027 , C07F7/0816 , C08G61/124 , C08G73/0672 , C08G2261/11 , C08G2261/12 , C08G2261/132 , C08G2261/226 , C08G2261/228 , C08G2261/3142 , C08G2261/3241 , C08G2261/3245 , C08G2261/3246 , C08G2261/3247 , C08G2261/364 , C08G2261/41 , C08G2261/411 , C08G2261/412 , C08G2261/414 , C08G2261/514 , C08G2261/95 , H01L51/0002 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0071 , H01L51/008 , H01L51/0094 , H01L51/5012 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5096
摘要： 本发明涉及被至少两个电子受体和至少两个电子供体取代的苯基衍生物化合物。式(I)RAaRDbRScC6，其中a是2、3或4；b是2、3或4；c是0、1或2；a+b+c＝6；RA在每次出现时独立地是具有-M效应的基团；RB在每次出现时独立地是具有+M效应的基团；RS如权利要求1中所限定的。所述化合物适合用于有机电子器件中，特别是有机电致发光器件中。
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公开(公告)号：CN107785488A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610722840.8
申请日：2016-08-25
申请人： 杭州纤纳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L51/48 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： H01G9/2059 , C23C16/30 , C23C16/4481 , C23C16/455 , C23C16/45502 , C23C16/45591 , C23C16/52 , C23C16/56 , C30B25/14 , C30B29/12 , H01G9/2031 , H01G9/204 , H01L51/0002 , H01L51/4246 , H01L51/42 , C23C16/44 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及一种钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备及其使用方法和应用，包括主腔体，在主腔体内分别设置有两个前驱物加热台以及基底固定槽，在前驱物加热台上分别设置有前驱物储存盒，在基底固定槽上放置有若干组待沉积薄膜的基底，每组基底背靠背紧贴地放置有两片基底，两片基底的待沉积薄膜的表面各自朝向主腔体的一端；在主腔体的左右两端分别连通带有载气进气控制阀的载气管道，在主腔体上还连通有抽真空装置，在主腔体上还设置有给基底加热的主腔体加热装置；在两端的载气管道上分别连通有溶剂蒸发装置。本发明采用从主腔室的两端同时进气以及基底“背靠背”的排布方式使得使用该方法制备钙钛矿薄膜的速率提高至了现有方法的两倍。
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