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公开(公告)号:CN107925005A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680047027.3
申请日:2016-06-16
Applicant: 原子能和能源替代品委员会 , ISORG公司 , 曲克赛尔股份有限公司
CPC classification number: H01L51/442 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L51/441 , H01L51/5012 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/56 , H01L2251/5392 , H01L2251/568 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种用于制造第一电极/有源层/第二电极的叠层的方法,该叠层旨在用于电子器件,尤其是有机光电探测器或有机太阳能电池,所述工艺包括以下步骤:(a)将第一导电材料层(2)沉积在衬底的正面,以形成第一电极;(b)沉积有机半导体薄层形式的有源层(3),所述层包括不连续区域。所述方法的特征在于,其还包括以下步骤:(d)将薄的树脂层(4)沉积在叠层的与衬底相对的一面,该衬底至少为部分透明的;(e)经由所述衬底的背面(10)来绝缘树脂层(4);(f)对树脂层进行显影;(g)沉积第二导电材料层(5),以形成第二导电电极。
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公开(公告)号:CN108604639B
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN201680075746.6
申请日:2016-12-21
Applicant: 原子能和能源替代品委员会 , ISORG公司 , 曲克赛尔股份有限公司
Abstract: 光电装置(1)包括布置在电绝缘的基底(2)上的层的堆叠,该堆叠至少包括:一个阴极(3),其由功函数为的材料制成;电子收集层(4),其布置在所述阴极(3)之上,并且由功函数为薄层电阻为R的材料制成;有源层(5),其包括至少一个p型有机半导体材料,所述p型有机半导体材料具有能级HO1,其特征在于:所述电子收集层(3)的所述功函数与有源层(5)的所述能级HO1形成能够阻止空穴从所述阴极(3)注入所述有源层(5)的势垒,并且所述电子收集层(4)的所述薄层电阻R大于或等于108Ω。
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公开(公告)号:CN107534443B
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN201680022831.6
申请日:2016-02-22
Applicant: 原子能和能源替代品委员会 , 曲克赛尔股份有限公司
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明涉及一种sigma‑delta转换器,其包括sigma‑delta调制器,所述sigma‑delta调制器适用于生成表示将要数字化的模拟输入信号(Vin)的二进制样本系列(BS(k)),其中,调制器中的至少一个模拟信号由根据第一预定法则(f)变化的因子来加权。
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公开(公告)号:CN105794199A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201480065540.6
申请日:2014-10-30
Applicant: 曲克赛尔股份有限公司
Inventor: L·夏里尔
IPC: H04N5/378 , H01L21/768
CPC classification number: H03K19/00392 , G11C5/02 , G11C5/025 , G11C5/04 , G11C5/063 , G11C7/18 , G11C11/4097 , H03K19/20 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及一种集成电路(10),其包括多个以索引j为索引的N个相邻的相同模块,当前模块(Bj)与前一模块(Bj?1)和后一模块(Bj+1)连接,每个模块包括识别电路(Ij),所述识别电路包括:N个有序的以i为索引的输入(Ei(j)),其与具有相同索引的前一模块(Bj?1)的N个输出连接;以及N个有序的以i为索引的输出(Si(j)),其与具有相同索引的后一模块(Bj+1)的N个输入连接;并且当前模块(Bj)的每个输入i(Ei(j)),i≠N,通过以i为索引的布线(Li)连接至当前模块的输出i+1(Si+1(j))。当前模块(Bj)的最后输入N(EN(j))不与所述当前模块的输出连接,以及当前模块(Bj)的第一输出1(S1(j))不与所述当前模块的输入连接,每个模块(B)还包括:至少一个连接垫(Pad0)以及以i为索引的N个逻辑门(Pi),每个逻辑门(Pi)包括第一输入(Pin1(i));第二输入(Pin2(i))和输出(Pout(i));以及以i为索引的N个总线,每个总线包括穿过全部的N个模块的线,每个总线与单个逻辑门(Pi)的输出(Pout(i))连接。
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公开(公告)号:CN102405640B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN200980157833.6
申请日:2009-12-09
Applicant: 曲克赛尔股份有限公司
IPC: H04N5/357
Abstract: 本发明涉及一种用于校正通过光敏点阵列获得的图像的方法。当阵列受到电磁干扰时,所述方法特别有用。根据本发明,校正方法包括逐行读取阵列的第一步骤(E2)。每一行的第一读取期间的信号读取代表阵列暴露于可见光辐射之后累积的电荷,对于阵列的每一列,可以形成离散信号X(n)。第二读取期间的信号读取代表在未曝光情况下累积的电荷,对于阵列的每一列,形成离散信号OF(n)。在方法的第二步骤(E3)中,确定与未曝光的情况下在第一读取期间形成的信号OF(n)基本对应的信号OFX(n),在第三步骤(E4)中,从信号X(n)中逐列减去信号OFX(n)。
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公开(公告)号:CN104040895A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201280066391.6
申请日:2012-11-14
Applicant: 原子能和能源替代品委员会 , 曲克赛尔股份有限公司
Inventor: J-L·莫洛
CPC classification number: H03M1/34 , G01J1/0238 , G01J1/18 , H03M1/18 , H03M1/60
Abstract: 本发明属于成像设备的领域,其包括:响应于入射光子辐射产生电荷的检测器(11)和形成用于读取产生的电荷的量的装置的模数转换电路(12)。模数转换电路(12)包括:可根据积分节点(A)上的电势(Va)和预先确定的阈值电势(Vthreshold)之间的比较来切换的比较器(122);随着比较器的每次切换而增量的计数器(123);随着比较器的每次切换在积分节点(A)处注入反电荷的量Qc的反电荷注入电路(124);以及确定所注入的反电荷的量Qc的控制装置(125)。模数转换电路(12)的特征在于,控制装置(125)根据计数器(123)的值确定注入的反电荷的量Qc。
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公开(公告)号:CN102084643A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200980123641.3
申请日:2009-04-15
Applicant: 曲克赛尔股份有限公司
Inventor: N·克拉弗里
IPC: H04N5/32
CPC classification number: H04N5/32
Abstract: 本发明涉及一种用于X射线系统的基站和移动暗盒之间的无线链路的同步方法。所述基站包括X射线发生器,所述暗盒包括X射线探测器。根据本发明,该方法包括:在所述基站和所述暗盒之间交换消息的步骤(22b,25b),该交换触发(25a,29)所述基站和所述暗盒中的计时,在各自的计时结束时运行(30,26)辐射序列和影像序列。通过使用本发明,在交换消息之后运行辐射序列,只有当X射线剂量能够被所述X射线探测器探测到并记录的情况下,患者才需要承受所述X射线剂量。
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公开(公告)号:CN107925005B
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN201680047027.3
申请日:2016-06-16
Applicant: 原子能和能源替代品委员会 , ISORG公司 , 曲克赛尔股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于制造第一电极/有源层/第二电极的叠层的方法,该叠层旨在用于电子器件,尤其是有机光电探测器或有机太阳能电池,所述工艺包括以下步骤:(a)将第一导电材料层(2)沉积在衬底的正面,以形成第一电极;(b)沉积有机半导体薄层形式的有源层(3),所述层包括不连续区域。所述方法的特征在于,其还包括以下步骤:(d)将薄的树脂层(4)沉积在叠层的与衬底相对的一面,该衬底至少为部分透明的;(e)经由所述衬底的背面(10)来绝缘树脂层(4);(f)对树脂层进行显影;(g)沉积第二导电材料层(5),以形成第二导电电极。
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公开(公告)号:CN108604639A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201680075746.6
申请日:2016-12-21
Applicant: 原子能和能源替代品委员会 , ISORG公司 , 曲克赛尔股份有限公司
CPC classification number: H01L51/4213 , B82Y30/00 , H01L27/308 , H01L51/0002 , H01L51/0026 , H01L51/0096 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 光电装置(1)包括布置在电绝缘的基底(2)上的层的堆叠,该堆叠至少包括:一个阴极(3),其由功函数为 的材料制成;电子收集层(4),其布置在所述阴极(3)之上,并且由功函数为 薄层电阻为R的材料制成;有源层(5),其包括至少一个p型有机半导体材料,所述p型有机半导体材料具有能级HO1,其特征在于:所述电子收集层(3)的所述功函数与有源层(5)的所述能级HO1形成能够阻止空穴从所述阴极(3)注入所述有源层(5)的势垒,并且所述电子收集层(4)的所述薄层电阻R大于或等于108Ω。
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公开(公告)号:CN103931171B
公开(公告)日:2017-05-03
申请号:CN201280043527.1
申请日:2012-07-09
Applicant: 曲克赛尔股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于控制包括光敏点的阵列的例如数字X射线探测器的光敏器件的方法。所述光敏器件包括列导线、行导线以及光敏点。每个光敏点连接在列导线和行导线中的一条之间,并且包括能够将光子流转换成电荷的光敏元件,以及能够基于由对应的行导线接收的信号的控制而将电荷传输到列导线的晶体管。本发明依赖在关断状态下每个晶体管的漏极和源极之间的交叉耦合的电容的存在。在接收到电子时,所述电容向列导线提供电位的变化。根据本发明的方法包括用于将电位变化与阈值进行比较的步骤(21、22、23、24),以及在比较结果为正的情况下进行光敏点的读取的步骤(25)。
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