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公开(公告)号：CN113594370B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110808484.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法，该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜，通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布，并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列，即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进，得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测，大视场成像等优点，极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
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公开(公告)号：CN113594370A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110808484.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法，该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜，通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布，并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列，即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进，得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测，大视场成像等优点，极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
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公开(公告)号：CN112820824A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110005175.1
申请日：2021-01-05
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了提供了一种钙钛矿忆阻器及其制备方法，包括自下而上排列的底电极、无铅钙钛矿层、聚合物保护层和顶电极层；其中，所述无铅钙钛矿层为无铅金属卤化物钙钛矿，所述无铅金属卤化物钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒结构。所述方法包括：在底电极上采用热动态旋涂法旋涂无铅金属卤化物钙钛矿前驱体溶液，退火处理在底电极上形成无铅钙钛矿层；在无铅钙钛矿层上旋涂聚合物溶液，退火，在无铅钙钛矿层上形成聚合物保护层；在聚合物保护层上通过热蒸发制备顶电极，在聚合物保护层上形成顶电极层，得到钙钛矿忆阻器。本发明避免了毒性铅的使用，并且无铅钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒，覆盖率高，防止短路。
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公开(公告)号：CN109473550A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811196299.7
申请日：2018-10-15
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备相关技术领域，其公开了一种大面积钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括基底、形成在所述基底的表面上的电子传输层、形成在所述电子传输层远离所述基底的表面上的钙钛矿光敏层、形成在所述钙钛矿光敏层远离所述电子传输层的表面上的空穴传输层及形成在所述空穴传输层远离所述钙钛矿光敏层的表面上的碳对电极；所述空穴传输层为酞菁铜空穴传输层；所述电子传输层为CdS电子传输层；所述基底为FTO基底或ITO基底。本发明可实现大面积制备，简单易行，能耗低。
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公开(公告)号：CN113659039B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110961231.9
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109638159A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811314114.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L51/4213 , H01L51/0077 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/305 , H01L2251/306
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备领域，并具体公开了可循环利用的钙钛矿太阳能电池及其制备与循环利用方法，其采用如下步骤制备：在预处理后的基底上从下至上依次制备N型半导体氧化物致密层、N型半导体氧化物多孔层、卤化铅薄膜层和多孔碳对电极层；将器件浸泡在钙钛矿反应溶液中制备钙钛矿光敏层；利用异丙醇溶液对器件进行清洗，烘干获得所需的可循环利用的钙钛矿太阳能电池。将需循环利用电池放入甲醇或乙醇溶液中，以溶解钙钛矿光敏层中的非铅有机卤化物；将处理后的电池浸泡在钙钛矿再生溶液中重新合成钙钛矿光敏层；利用异丙醇溶液清洗，烘干实现电池的循环利用。本发明的电池可反复循环利用，制备简单，可行性强，材料浪费少，无污染。
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公开(公告)号：CN113659039A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110961231.9
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl3紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形转移，采用薄膜沉积工艺在衬底上沉积得到CsCl前驱体图案，该CsCl前驱体图案位于十字交叉型电极阵列中并与其连接；S3采用薄膜沉积工艺在CsCl前驱体图案上沉积前驱体PbCl2层，退火使CsPbCl3钙钛矿扩散结晶，得到图案化CsPbCl3钙钛矿薄膜。本发明克服了传统溶液法与光刻工艺不兼容的问题，可降低像元尺寸、提高像元密度，并降低电极面积占比，提升成像器件阵列密度，实现探测器小型化、集成化。
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公开(公告)号：CN112563420A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011457667.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于日盲光电探测技术领域，具体涉及一种日盲紫外钙钛矿光电探测器及其制备方法。本发明日盲紫外钙钛矿光电探测器，沿光的进入方向，依次设置有滤光层、下转换发光窗口层、导电玻璃层、钙钛矿光敏层和金属电极层，所述下转换发光窗口层能够将日盲紫外光转化为荧光，所述钙钛矿光敏层能够将荧光转换为电信号。本发明将钙钛矿可见光探测器和下转化窗口层进行集成，日盲紫外光首先被下转换层薄膜吸收后转换为肉眼可见的荧光，再由钙钛矿可见光探测器捕获并转化为电信号导出，有效克服了传统钙钛矿材料的光谱响应限制，具有广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN112331740B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011163942.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0264
Abstract: 本发明公开了一种旋涂‑蒸发两步法的无机钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于能量转化技术领域。太阳能电池的光吸收层为CsPbBr3无机钙钛矿层，其通过先旋涂PbBr2再蒸发CsBr的方法制备，具体为：先将CsBr加热升华成蒸气，该蒸气遇到PbBr2层后在PbBr2表面形成CsBr，并进行退火处理，PbBr2和CsBr相互扩散形成CsPbBr3无机钙钛矿层。本发明采用旋涂‑蒸发两步法制备的全无机钙钛矿作为光吸收层，解决了CsBr溶解度低的问题，并且避免了有毒溶剂甲醇的使用，并使得PbBr2和CsBr可以充分反应得到纯度更高的CsPbBr3无机钙钛矿层，无机钙钛矿具有更高的湿度和热稳定性，使得电池的制备能够在空气中制备，降低了对于生产设备的要求，有利于电池的大规模生产，且制备的电池稳定性好，电池性能衰减较慢。
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公开(公告)号：CN107993848B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201711088549.0
申请日：2017-11-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了基于镍掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)对导电基底进行清洗处理；(2)采用水浴法在所述导电基底上沉积金红石相的镍掺杂二氧化钛薄膜以形成光阳极，退火温度为450℃～500℃；(3)在所述光阳极的表面旋涂钙钛矿前驱体溶液，并进行加热处理以得到光吸收层；(4)在所述光吸收层的表面蒸镀一层酞菁铜以形成空穴传输层；(5)通过丝网印刷商用碳桨成膜来在所述空穴传输层上形成碳对电极层，由此结束。本发明还还涉及基于镍掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池。本发明减小了生产成本，大大提高了电池的性能和稳定性，有利于电池的大规模商业化生产。
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