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公开(公告)号：CN114122259B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010890201.9
申请日：2020-08-29
申请人： 杭州纤纳光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种钙钛矿薄膜太阳能电池，包括钙钛矿薄膜层，在钙钛矿薄膜层内包含钙钛矿前驱体材料，所述钙钛矿前驱体材料包括有机胺卤化物、卤化铅和硼酸衍生物。本发明还公开一种该钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法。本发明使钙钛矿前驱体溶液得以长期地保存使用，提高了所制备的钙钛矿薄膜层的一致性，减少钙钛矿薄膜的晶体缺陷，使钙钛矿薄膜太阳能电池器件获得高的光电化学性能，并提高了器件的长期稳定性。
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公开(公告)号：CN118119243A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211530244.1
申请日：2022-11-30
申请人： 杭州纤纳光电科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域，涉及一种钙钛矿薄膜的制备方法，在基底上涂覆预先配制的碘化铅溶液得到碘化铅薄膜，然后再将预先配制的聚合物溶液滴加在碘化铅薄膜表面得到聚合物薄膜，在聚合物薄膜涂覆钙钛矿胺盐溶液得到钙钛矿薄膜。本发明在溶液两步法制备钙钛矿薄膜的第二步过程中，通过向钙钛矿碘化铅薄膜表面制备超薄聚合物薄膜延缓钙钛矿胺盐和碘化铅薄膜的迅速扩散、反应，减缓钙钛矿胺盐材料和碘化铅薄膜的迅速反应，实现钙钛矿胺盐溶液先完全均匀铺展到整个碘化铅薄膜表面然后两者再发生反应，从而实现大面积均匀钙钛矿薄膜的两步法制备。
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公开(公告)号：CN118119241A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211530275.7
申请日：2022-11-30
申请人： 杭州纤纳光电科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及一种钝化钙钛矿层晶界缺陷的设备，所述设备包括真空辐照腔室和冲洗腔室，在真空辐照腔室内设置电子束源，在电子束源的下方设置带冷却装置的辐照底座，待钝化的表面已制备有钙钛矿活性层薄膜的基片放置在辐照底座上，在冲洗腔室内分别设置惰性溶剂喷头以及惰性气体喷嘴，在惰性溶剂喷头和惰性气体喷嘴的下方设置用于放置辐照后的基片的喷淋底座，惰性溶剂喷头和惰性气体喷嘴分别对辐照处理后的基片进行喷淋处理和风淋处理。本发明还公开钝化钙钛矿层晶界缺陷的方法及钙钛矿组件。本发明使用电子束扩大钙钛矿活性层的晶界缝隙，再将传输层的制备材料填充并覆盖钙钛矿活性层，达到钝化和消除钙钛矿活性层表面晶界缺陷。
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公开(公告)号：CN108987577B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201710406252.8
申请日：2017-06-02
申请人： 杭州纤纳光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种钙钛矿薄膜后处理设备，包括溶液喷涂清洗部分和/或溶剂沉积部分，溶液喷涂清洗部分包括第一传送装置、第一密闭腔室以及溶液喷涂装置、高压气体喷嘴装置和高温干燥装置，高压气体喷嘴装置设置在溶液喷涂装置和高温干燥装置之间，第一传送装置横跨第一密闭腔室。溶剂沉积部分包括传动轴装置、第二密闭腔室以及加热装置和溶剂蒸发装置，溶剂蒸发装置靠近溶液喷涂清洗部分，传动轴装置的转动轴从上下设置的加热装置和溶剂蒸发装置之间通过。本发明还涉及一种钙钛矿薄膜后处理设备的使用方法和应用。本发明对已制备了钙钛矿薄膜基片进行后续清洗和退火处理，对钙钛矿薄膜的缺陷进行修补处理，进一步提高钙钛矿薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN111435706B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201910580860.X
申请日：2019-06-29
申请人： 杭州纤纳光电科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及一种复合空穴传输层所述复合空穴传输层包括氧化镍层以及在该氧化镍的表层经过含硫材料处理形成的硫化镍层，所述复合空穴传输层通过以下方法制备：在导电基底上制备氧化镍，将沉积了氧化镍的基底浸泡在含硫材料溶液中反应，之后取出真空烘干，再进行高温烧结。本发明还公开使用该太阳能电池及其制备方法。本发明基本消除钙钛矿太阳能电池的滞后效应，改善对钙钛矿太阳能电池的降解，使得钙钛矿太阳能电池更稳定、可靠。
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公开(公告)号：CN115347123A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110527250.0
申请日：2021-05-14
申请人： 杭州纤纳光电科技有限公司
发明人： 不公告发明人
摘要： 本发明涉及一种空穴传输层的制备方法，包括步骤：步骤一、将镍盐、表面活性剂和碱源混合后，加入去离子水，再进行加热反应，过滤，使用无水乙醇洗涤，干燥收集得到合成的氢氧化镍；步骤二、取上述合成的氢氧化镍加入剥离溶剂，加热静置，离心处理，取上清液，即得到氢氧化镍纳米片悬浮液；步骤三、取上述制备的氢氧化镍纳米片悬浮液，采用刮涂、旋涂、挤出式涂布中任意一种加工方式涂覆在导电基底上，然后对湿膜进行烧结退火，即在导电基底上得到空穴传输层。本发明还公开一种使用该制备方法制备钙钛矿光伏组件的方法。本发明提升氧化镍材料制备的空穴传输层在导电基底上的覆盖率和以及氧化镍薄膜的致密度，提升大面积钙钛矿光伏组件的性能。
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公开(公告)号：CN115207220A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110391173.0
申请日：2021-04-12
申请人： 杭州纤纳光电科技有限公司
发明人： 不公告发明人
摘要： 本发本发明涉及一种钙钛矿薄膜，含有分子式为ABX3型结构的钙钛矿晶体，钙钛矿晶体由前驱体BX2材料与前体AX材料先后成膜并相互反应形成，在前驱体BX2材料中还包含有主溶剂、含离子液体添加剂A1R、第二添加剂以及含阴离子R‑的溶液。本发明还公开使用该钙钛矿薄膜的太阳能电池，以及该钙钛矿薄膜和太阳能电池的制备方法。本发明通过添加含离子液体添加剂和第二添加剂用于稳定卤化铅的垂直定向生长的介孔结构，控制钙钛矿晶体生长使得卤化铅形成介孔、定向生长的薄膜形态，更为利于有机/无机卤化物蒸汽的扩散及反应结晶。
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公开(公告)号：CN115117253A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110291464.2
申请日：2021-03-18
申请人： 杭州纤纳光电科技有限公司
发明人： 不公告发明人
摘要： 本发明涉及一种全平面结构的钙钛矿太阳能组件，包括基底、底电极层、钙钛矿吸光层和顶电极层，在该组件中还分别间隔设置多组相互平行的P1沟槽、P2沟槽和P3沟槽，P1沟槽切断底电极层以露出基底，P2沟槽切断顶电极层和钙钛矿吸光层以露出底电极层，P3沟槽切断顶电极层以露出钙钛矿吸光层，在P1沟槽内填充满P1绝缘惰性层，在P2沟槽内填充满P2导电性层，在P3沟槽内填充满P3绝缘惰性层。本发明还公开该组件的制备方法。本发明的组件各功能层具有全平面结构，有利于封装胶膜与钙钛矿太阳能组件之间的紧密贴合排尽空气，避免出现封装时组件切槽处的胶膜难以铺装的问题。
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公开(公告)号：CN111435709B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010136324.3
申请日：2020-03-02
申请人： 杭州纤纳光电科技有限公司
发明人： 不公告发明人
摘要： 本发明涉及一种提高钙钛矿薄膜稳定性的方法，包括如下步骤：将表面含有钙钛矿薄膜的基片置于反应腔体，用惰性气体反复清洗反应腔体；向反应腔体内通入硫化氢气体使其与钙钛矿薄膜分子发生反应后在钙钛矿薄膜表面生成硫化物层；待反应结束后，用惰性气体反复清洗反应腔体，充气至常压，待反应腔体冷却后取出反应后的基片。本发明通过在钙钛矿薄膜材料的晶界与表面生成纳米级的硫化铅层，改变了钙钛矿材料表面及晶界处的化学组成，抑制钙钛矿的降解，从而提高钙钛矿薄膜材料的性能并延长其稳定性。
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公开(公告)号：CN110724934B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201810786067.0
申请日：2018-07-17
申请人： 杭州纤纳光电科技有限公司
发明人： 不公告发明人
IPC分类号： C23C16/448
摘要： 本发明涉及一种粉末蒸发装置，包括底座，在底座上设置了加热台，在加热台上设置了主腔体，在主腔体内设置了容器，在容器内盛装粉末材料，在容器的上方设有旋转的粉末铺平装置，粉末铺平装置包括升降并转动的转轴和设置在转轴末端的刮刀，刮刀随转轴下降到待蒸发的粉末材料内并对粉末材料进行搅拌，也随转轴下降到待蒸发的粉末材料的表面并把粉末材料的表面刮平；在主腔体上设置有充气管路和抽气管路，在所述抽气管路上外接有废气过滤装置和真空泵。本发明还涉及该装置的使用方法和应用。本发明具有封闭、真空度可控、带有粉末铺平装置等特点，蒸发时颗粒分散均匀，从而能用于制备大面积、结晶度高、均匀、致密的半导体薄膜。
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