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公开(公告)号：CN1971962A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610144784.0
申请日：2006-11-14
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： H01L45/144 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1675 , H01L45/1691
摘要： 一种相变化存储元件，其包括相变化存储单元，此存储单元用照相平版印刷形成并具有第一与第二电极、以及位于此二电极之间的相变化导桥，此导桥并与此二电极的相对侧边电连接。相变化导桥具有一长度、一宽度、以及一厚度。此宽度、厚度、以及长度小于用以形成相变化存储单元的工艺的最小照相平版印刷特征尺寸。用以形成存储单元的光阻掩模的尺寸可被缩小，以使得相变化导桥的宽度与长度各自小于最小照相平版印刷特征尺寸。
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公开(公告)号：CN1917249A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610089924.9
申请日：2006-05-26
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1691
摘要： 一种存储元件，包含存取电路，位于该存取电路上方的电极，位于该电极层之上的相变化存储桥阵列，以及位于该相变化存储桥阵列之上的多个位元线。该电极层包含电极对。电极对包含具有一上端的第一电极，具有一上端的第二电极以及介于该第一电极和该第二电极之间的绝缘构件。存储材料桥横越该绝缘构件，并定义横越该绝缘构件、介于该第一和第二电极的电极间的通路。
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公开(公告)号：CN1774807A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03826281.9
申请日：2003-04-03
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L27/102 , H01L27/06 , H01L21/822 , G11C7/18
CPC分类号： G11C7/18 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1226 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
摘要： 在具有平面表面(12)的衬底(10)上制作立体存储器阵列。立体存储器阵列包括组织成与平面表面(12)平行的一个以上平面(12，14)的多个第一选择线(20)。多个第二选择线(18)在垂直于衬底(10)的平面表面(12)设置的柱中形成。多个存储单元(22)分别耦合到多个第一(20)以及多个第二(18)选择线。
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公开(公告)号：CN1573844A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410005524.6
申请日：2004-02-11
IPC分类号： G09F9/30
CPC分类号： G09G3/3648 , G09G3/20 , G09G3/2011 , G09G3/2074 , G09G3/3225 , G09G2300/08 , G09G2300/0847 , G09G2300/0857 , G09G2300/088 , G09G2310/027 , G09G2310/04 , G09G2360/128 , H01L27/14643 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/3244 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10T428/10 , Y10T428/1064 , Y10T428/1352
摘要： 提供一种图像显示装置，可同时兼顾图像显示装置的功耗的降低、存储器面积的缩小和多位的图像数据的高画质显示。该图像显示装置具有由多个像素构成的显示部和对该显示部进行控制的控制部，其中，设置有由在各像素中将显示数据存储一定时间以上的至少一个开关和利用硫属化物材料的可变电阻存储元件组成的非易失性相变像素存储器，或是由在控制部中保持1帧显示数据的至少一个开关和利用硫属化物材料的可变电阻存储元件组成的非易失性相变帧存储器。
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公开(公告)号：CN1499522A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310115607.6
申请日：2003-11-10
申请人： 夏普株式会社
发明人： 田尻雅之
IPC分类号： G11C11/21
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L28/20 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/147
摘要： 提供一种具有在进行定标以减小平面上的投影面积的情况下抑制电阻增加的结构的非易失性可变电阻器，使用非易失性可变电阻器的存储器件，和非易失性可变电阻器的定标方法。形成在衬底上的第一电极和第二电极在衬底表面的方向中彼此面对。第一电极用作内部电极，非易失性可变电阻主体形成在第一电极的外表面上，第二电极作为外部电极形成在非易失性可变电阻主体的外表面上。
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公开(公告)号：CN108431978A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201780005021.4
申请日：2017-01-09
申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/283 , H01L27/115 , H01L27/2454 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： 提供了形成单片三维存储器阵列的方法。该方法包含在衬底上方形成第一垂直取向的多晶硅柱，该第一垂直取向的多晶硅柱由介电材料围绕，将第一垂直取向的多晶硅柱移除以形成介电材料中的第一空隙，并且用导电材料填充第一空隙以形成第一通孔。
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公开(公告)号：CN108431893A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680078253.8
申请日：2016-11-23
申请人： 许富菖
发明人： 许富菖
IPC分类号： G11C11/063 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/249 , H01L27/11514 , H01L27/11597 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1608
摘要： 三维垂直存储器阵列单元结构及工艺。在示例性实施例中，单元结构包括字线、选择器层以及存储器层。字线、选择器层及存储器层形成垂直单元结构，在该垂直单元结构中，选择器层和存储器层中的至少一个被分段，以形成阻止字线上的潜行路径泄漏电流的分段。
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公开(公告)号：CN104718625B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201380052469.3
申请日：2013-08-30
申请人： 美光科技公司
发明人： 费代里科·皮奥
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L45/16 , H01L27/0688 , H01L27/10 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/249 , H01L29/41758 , H01L29/7827 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 本发明提供三维存储器阵列架构及其形成方法。实例性存储器阵列可包含：堆叠，其包括位于许多层级处的多个第一导电线，所述多个第一导电线通过至少绝缘材料而彼此分离；及至少一个导电延伸部，其经布置以实质上垂直于所述多个第一导电线而延伸。围绕所述至少一个导电延伸部而形成存储元件材料。围绕所述至少一个导电延伸部而形成单元选择材料。所述至少一个导电延伸部、所述存储元件材料及所述单元选择材料位于所述多个第一导电线的共面对之间。
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公开(公告)号：CN107887507A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610863789.2
申请日：2016-09-29
申请人： 华邦电子股份有限公司
CPC分类号： G11C13/0097 , G11C13/004 , G11C2213/32 , H01L27/2463 , H01L27/249 , H01L45/10 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , G11C13/0002
摘要： 本发明涉及一种电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法，包括第一电极、第二电极以及电荷捕捉层。第二电极位于第一电极上。电荷捕捉层位于第一电极与第二电极之间。电荷捕捉层包括第一区域与第二区域。第一区域具有第一掺质并靠近第一电极。第二区域具有第二掺质并靠近第二电极。本发明的电阻式随机存取存储器具有非线性电阻值且不需要额外的选择元件，因此，可缩小面积，进而达到高密度的三维堆叠式RRAM阵列。
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公开(公告)号：CN107768517A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710362544.6
申请日：2017-05-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1641 , H01L45/04
摘要： 公开包括二维材料的相变存储器件、操作其的方法和相变层。所述相变存储器件可包括包含二维(2D)材料的相变层。所述相变层可包括包含一个或多个2D材料层的层状结构。所述相变层可提供在第一电极和第二电极之间，并且所述2D材料层的一个或多个的至少一部分的相可基于通过所述第一电极和所述第二电极施加到所述相变层的电信号而改变。所述2D材料可包括基于硫属化物的材料或磷烯。所述2D材料可具有大于或等于约200℃且低于或等于约500℃的相变温度。
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