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发明公开
CN108431978A 使用牺牲多晶硅柱形成的单片三维存储器阵列 无效 - 撤回

使用牺牲多晶硅柱形成的单片三维存储器阵列
摘要：
提供了形成单片三维存储器阵列的方法。该方法包含在衬底上方形成第一垂直取向的多晶硅柱，该第一垂直取向的多晶硅柱由介电材料围绕，将第一垂直取向的多晶硅柱移除以形成介电材料中的第一空隙，并且用导电材料填充第一空隙以形成第一通孔。
摘要（英）：

A method is provided for forming a monolithic three-dimensional memory array. The method includes forming a first vertically-oriented polysilicon pillar above a substrate, the first vertically-oriented polysilicon pillar surrounded by a dielectric material, removing the first vertically-oriented polysilicon pillar to form a first void in the dielectric material, and filling the first void with a conductive material to form a first via.

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