公开(公告)号：CN108431893A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680078253.8

申请日：2016-11-23

申请人： 许富菖

发明人： 许富菖

IPC分类号： G11C11/063 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/249 ,  H01L27/11514 ,  H01L27/11597 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2427 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1608

摘要： 三维垂直存储器阵列单元结构及工艺。在示例性实施例中，单元结构包括字线、选择器层以及存储器层。字线、选择器层及存储器层形成垂直单元结构，在该垂直单元结构中，选择器层和存储器层中的至少一个被分段，以形成阻止字线上的潜行路径泄漏电流的分段。