公开(公告)号：CN104197909A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410390459.7

申请日：2014-08-08

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张卫平 ,  唐健 ,  汪濙海 ,  刘亚东 ,  成宇翔 ,  孙殿竣 ,  邢亚亮 ,  陈文元

IPC: G01C19/56 ,  G01C25/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01C19/56 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00539 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00849 ,  G01C25/00

Abstract: 本发明提供了一种双半球结构微型谐振陀螺仪及其制备方法，包括一个单晶硅基底、十六个均匀分布式电极、两个对称的微型半球谐振子、一个中心固定支撑柱，其中：中心固定支撑柱的上下两端分别连接两个微型半球谐振子，每个微型半球谐振子周围均匀分布八个电极；两个微型半球谐振子具有相同的中心轴，彼此独立、互不影响。本发明采用静电驱动的方式分别激励两个微型半球谐振子工作，驱动模态和检测模态分别相互匹配。本发明结合MEMS体硅加工工艺和表面硅加工工艺进行制作。本发明通过差分处理的方式减小离心力、向心力、共模噪声、二次非线性项等因素的影响；在单一器件上同时实现高带宽、高分辨率、高灵敏度、高动态范围等性能指标。

公开(公告)号：CN104011261A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280063754.0

申请日：2012-12-21

Applicant: 奈克松有限公司

Inventor： 刘峰名 ,  Y·江 ,  M·格林

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/31

CPC classification number: H01M4/386 ,  B81C1/00539 ,  C23C18/1601 ,  C23C18/1639 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/31 ,  C23C18/38 ,  C23C18/42 ,  C23F1/34 ,  C23F1/40 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0492 ,  H01M4/366 ,  H01M10/052

Abstract: 一种刻蚀硅的方法，该方法包括以下步骤：将第一金属无电沉积在待刻蚀的硅表面上，其中无电沉积的第一金属部分覆盖所述待刻蚀的硅表面；将不同于第一金属的第二金属沉积在所述硅表面和无电沉积的第一金属上，其中沉积的第二金属的膜覆盖所述待刻蚀的硅表面；从覆盖在第一金属上的沉积的第二金属的膜区域除去第一金属和第二金属以使得第二金属部分覆盖待刻蚀的硅表面；和通过将硅表面暴露于包含氧化剂和氟化物离子源的水性刻蚀组合物来刻蚀所述硅。

公开(公告)号：CN103782368A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280026969.5

申请日：2012-05-31

Applicant: 安万托特性材料股份有限公司

Inventor： W·R·格米尔 ,  G·韦斯特伍德

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B81C1/00539 ,  C08J7/12 ,  C09K13/00 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/2044 ,  C11D3/2058 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31133

Abstract: 提供了有效的用于从半导体衬底移除后蚀刻处理(PET)聚合物膜和光致抗蚀剂的一种组合物。该组合物展现出优异的聚合物膜移除能力，而同时维持了对于铜和低κ电介质的相容性，并且包含水、乙二醇、二醇醚溶剂、吗啉代丙胺和腐蚀抑制剂化合物，以及任选地包含一种或多种金属离子螯合剂、一种或多种其他极性有机溶剂、一种或多种叔胺、一种或多种铝腐蚀抑制剂、以及一种或多种表面活性剂。

公开(公告)号：CN102119117A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200980125032.1

申请日：2009-06-30

Applicant: 阿尔卡特朗讯美国公司

Inventor： 克里斯蒂安·A·博列 ,  弗拉维奥·帕尔多

IPC: B81B7/04 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/0361 ,  B81B2203/0384 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00539 ,  H01L21/3065 ,  Y10T428/24479

Abstract: 如本文所述，提供一种包括微柱体的装置。所述装置包括具有平面表面的基底、位于所述平面表面上的多个微柱体，其中每一个微柱体具有在所述平面表面上的底座部分和位于对应底座部分的上表面上的柱体部分，并且其中所述底座部分的侧面与所述平面表面以斜角相交。

公开(公告)号：CN1271689C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200410031450.3

申请日：2004-02-10

Applicant: 雅马哈株式会社

Inventor： 青岛知保

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  C23F1/32

CPC classification number: B81C1/00539 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  Y10T428/24273

Abstract: 通过热氧化作用在硅基底的一个主表面上形成硅氧化物膜，之后，用CVD在硅氧化物膜上形成硅氮化物膜。选择性地干式蚀刻硅氧化物膜和硅氮化物膜的叠层，以形成掩模开口(22)并留下由叠层被留下的区域所组成的蚀刻掩模。通过利用蚀刻掩模用例如TMAH的碱性蚀刻剂选择性并且各向异性地蚀刻基底，以形成基底开口。通过设定硅氧化物膜的厚度与硅氮化物膜的厚度的比例为1.25或者更大，优选地是1.60或者更大，则可能避免开口内壁蚀刻形状的变形和蚀刻掩模中的裂纹。

公开(公告)号：CN1534738A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031450.3

申请日：2004-02-10

Applicant: 雅马哈株式会社

Inventor： 青岛知保

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  C23F1/32

CPC classification number: B81C1/00539 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  Y10T428/24273

Abstract: 通过热氧化作用在硅基底的一个主表面上形成硅氧化物膜，之后，用CVD在硅氧化物膜上形成硅氮化物膜。选择性地干式蚀刻硅氧化物膜和硅氮化物膜的叠层，以形成掩模开口22并留下由叠层被留下的区域所组成的蚀刻掩模。通过利用蚀刻掩模用例如TMAH的碱性蚀刻剂选择性并且各向异性地蚀刻基底，以形成基底开口。通过设定硅氧化物膜的厚度与硅氮化物膜的厚度的比例为1.25或者更大，优选地是1.60或者更大，则可能避免开口内壁蚀刻形状的变形和蚀刻掩模中的裂纹。