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公开(公告)号：CN109346330A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811057925.4
申请日：2018-09-11
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性棉布负载双金属硒化物NixCo9-xSe超级电容器电极材料及其制备方法和应用。本发明的柔性棉布负载双金属硒化物NixCo9-xSe超级电容器电极材料，所述NixCo9-xSe中，x为0≤x≤9，x优选为4.5，所述电极材料是以纯棉布为基底，依次将基底进行除油、敏化、活化、化学镀镍、制备前驱体及硒化处理后制得。将本发明制得的NixCo9-xSe电极材料应用于超级电容器，测试结果表明本发明的电极材料均表现出高效的赝电容性能和比电容，特别是镍钴配比为1：1条件下制备的电极材料的电化学性能最优异，其在电流密度为2mA cm-2条件下，比电容可高达8.85F cm-2。
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公开(公告)号：CN120027917A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510183757.7
申请日：2025-02-19
Applicant: 湖北大学
IPC: G01J5/00 , G08B17/12 , G08B21/18 , H04L67/12 , H10F77/20 , H10F30/227 , H10F77/12 , G01J1/42 , G01J1/04 , G01J5/07 , G01J5/03
Abstract: 本申请提供一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外多光谱火焰探测系统。其中，通过高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器、红外探测器和可见光探测器可以实现多光谱的火焰探测，从而可以不受工作环境影响，在复杂的野外环境或者在工厂等特殊燃烧材料的场景都能够进行火焰火源探测。此外，通过可运动的扫描平台，可以进行扫描式探测，实现更大的范围内的火焰探测，同时，还可以进行多点位的方位确认，可以得到具体火焰方位。此外，还加入物联网功能，将数据传输至云端服务器，方便远程监控操作。
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公开(公告)号：CN119486147A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411447027.5
申请日：2024-10-16
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提出了一种引入As、Si元素的GeSe OTS选通管材料的制备方法。通过构建引入As、Si元素的GeSe OTS选通管的非晶态模型，比较引入As、Si元素后材料模型的非晶程度和态密度，阐明了AsGeSeSi材料的非晶程度更大，基态电阻更大。接着根据成键特性阐明了选择引入As、Si元素后的GeSe OTS选通管材料结构更稳定，为优化OTS阈值器件性能提供指导意义。
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公开(公告)号：CN118762733B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411226802.4
申请日：2024-09-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 发明为了提高权重写入验证速度，设计了两步写入验证方案，该方案在第二步写入时，需要在每次写入完成后对MLC单元的阻值进行读取，并建立各阻态和实现各阻态的脉冲数量关系的查找表，在对存储单元初步写入时通过读取查找表，并向该单元输送对应的脉冲个数，大量减少读取验证的次数，减少了系统能耗。
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公开(公告)号：CN118510281A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410576315.4
申请日：2024-05-10
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供一种环绕式垂直沟道3D NAND存储器及其测试方法，包括填充层、金属层、沟道、源极、漏极、选择管、多个控制栅、隧穿层、电荷俘获层和阻挡层；填充层、金属层、沟道、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和控制栅从内到外绕垂直轴依次布设；多个控制栅呈层叠结构，相邻两个控制栅之间存在间距；选择管包括上选择管和下选择管，分别位于层叠结构的两端，与隧穿层接触；源极和漏极分别位于垂直轴两端，源极与填充层、金属层、沟道接触，漏极与金属层、沟道接触。本发明可以提高3D NAND Flash的擦除速度，同时能使保持每个存储单元擦除的一致性，且同样适用于高层器件，不大幅度修改制造工艺或器件布局。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118336153A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410486524.X
申请日：2024-04-22
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种具有阻燃效果的有机共溶剂电解液及其应用，属于锌离子电池技术领域。本发明通过调节去离子水与1,5戊二醇(PD)的体积比设计了一种具有阻燃效果有机共溶剂电解液，并且在锌阳极表面原位形成了一层SEI。本发明还通过一系列的表征方法研究SEI的微观结构和形成机理。通过MD模拟研究PD对Zn2+溶剂化结构的调节作用。最后，本发明还通过电化学测试，探究PD添加剂对锌离子电池整体性能的提升。因此，本发明提出了一种稳定界面化学的新策略，为锌离子电池的实际应用提供了一种可行有效的方法。
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公开(公告)号：CN113113314A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110373948.1
申请日：2021-04-07
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法，包括以下步骤：将MOS管置于超临界流体反应腔体内，向反应腔体内加入水；向反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为100～140℃，反应1～2h。本发明的方法，超临界二氧化碳流体能够顺利进入MOS管纳米级孔隙或空间而不造成损伤，通过超临界流体携带有效的反应性物质水进入MOS管内部，从而有效的钝化界面缺陷，改善其介电常数；本发明能显著地降低MOS管的漏电流和提升漏极饱和电流，解决了MOS管尺寸减小引发的漏电流升高和漏极饱和电流降低的难题，达到了提升MOS管器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN111243871B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010055548.1
申请日：2020-01-17
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种新型NiSe2包覆介孔空心碳球复合材料及其制备方法和在超级电容器中的应用。本发明采用无任何表面活性剂的一步法，常温搅拌原位合成孔径和粒径均可调控的介孔碳纳米球，然后在其表面利用简单的化学沉淀法水浴均匀沉积一层Ni(OH)2纳米片，最后硒化获得目标产物(HMCS/NiSe2)，解决了单纯Ni(OH)2纳米片过度聚集的问题；同时，碳的引入还提升整个材料的电导率。介孔碳的引入，在很大程度上缓解了单纯NiSe2纳米片在电化学测试充放电过程当中体积膨胀的问题，将本发明的复合材料作为超级电容器正极活性材料，其倍率性能很好，在循环5000次后，依然保持有80.5％的容量。
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公开(公告)号：CN112909168A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110308197.5
申请日：2021-03-23
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法，该多功能存储器件包括：底电极，转变层和顶电极；转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。本申请的多功能存储器件，转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。且氧化铌是一种良好的相变材料，制备工艺简单；该材料价格较低，成本可控；本申请采用锂掺杂氧化铌作为转变层，由于锂金属易氧化且与氧空位相互作用，锂和氧空位一起形成的导电细丝更加稳定，故而使得基于该器件阻变过程中的最低限流低至500μA时实现稳定的双极性转变性能。同时基于该材料所得的器件还具有良好的忆阻特性，并且可以用来模拟神经突触；本申请的基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，也可实现选通性能。
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公开(公告)号：CN111243871A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010055548.1
申请日：2020-01-17
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种新型NiSe2包覆介孔空心碳球复合材料及其制备方法和在超级电容器中的应用。本发明采用无任何表面活性剂的一步法，常温搅拌原位合成孔径和粒径均可调控的介孔碳纳米球，然后在其表面利用简单的化学沉淀法水浴均匀沉积一层Ni(OH)2纳米片，最后硒化获得目标产物(HMCS/NiSe2)，解决了单纯Ni(OH)2纳米片过度聚集的问题；同时，碳的引入还提升整个材料的电导率。介孔碳的引入，在很大程度上缓解了单纯NiSe2纳米片在电化学测试充放电过程当中体积膨胀的问题，将本发明的复合材料作为超级电容器正极活性材料，其倍率性能很好，在循环5000次后，依然保持有80.5％的容量。
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