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公开(公告)号：CN119374727A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411307876.0
申请日：2024-09-19
Applicant: 湖北大学
IPC: G01J5/00 , G01J1/42 , G01J1/04 , G01J5/07 , G01J5/03 , G08B17/10 , G08B17/12 , G08B7/06 , H04L67/02 , H04L67/125 , H04L67/55
Abstract: 本申请提供一种多光谱火焰探测系统。其中，通过高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器、红外探测器和可见光探测器可以实现多光谱的火焰探测，从而可以不受工作环境影响，在复杂的野外环境或者在工厂等特殊燃烧材料的场景都能够进行火焰火源探测。此外，通过可运动的扫描平台，可以进行扫描式探测，实现更大的范围内的火焰探测，同时，还可以进行多点位的方位确认，可以得到具体火焰方位。此外，还加入物联网功能，将数据传输至云端服务器，方便远程监控操作。
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公开(公告)号：CN118734915B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411224497.5
申请日：2024-09-03
Applicant: 湖北大学
IPC: G06N3/063 , G11C13/00 , G06N3/0464
Abstract: 本发明通过权重冻结搭建忆阻器阵列，尤其适用于RRAM共享阵列，我们增强了多个独立神经网络模型之间的关联性，并将传统方案中需要单独设计的卷积模块扩展为共享设计。这意味着一个RRAM权重阵列可以参与多个任务的计算，从而提高了神经网络加速器架构的资源利用率，从而实现在存内计算架构中搭建存内计算共享模块，这不仅能优化硬件资源配置，还能降低设计成本，从而为部署多个神经网络模型进行多任务处理提供了一个更为高效和经济的方案。
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公开(公告)号：CN118600534A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410715184.3
申请日：2024-06-04
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于快速降温化学气相沉积法制备大面积二维硒化铟薄膜晶体材料的方法及其制备的产品和应用，涉及二维材料制备技术领域。本发明方法中的前驱体与衬底的垂直距离为3毫米左右和1毫米左右，相较于传统化学气相沉积法所需的10cm以上距离，此超短的传输距离可以在生长衬底上提供一个稳定、均匀且持续的气源供应，从而获得大尺寸的硒化铟薄膜。按本发明方法制备的二维硒化铟薄膜是具有高电子迁移率、高质量和较宽带隙，且β′和α相存在铁电效应，在铁电晶体管和光电探测器的应用中具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN118734915A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411224497.5
申请日：2024-09-03
Applicant: 湖北大学
IPC: G06N3/063 , G11C13/00 , G06N3/0464
Abstract: 本发明通过权重冻结搭建忆阻器阵列，尤其适用于RRAM共享阵列，我们增强了多个独立神经网络模型之间的关联性，并将传统方案中需要单独设计的卷积模块扩展为共享设计。这意味着一个RRAM权重阵列可以参与多个任务的计算，从而提高了神经网络加速器架构的资源利用率，从而实现在存内计算架构中搭建存内计算共享模块，这不仅能优化硬件资源配置，还能降低设计成本，从而为部署多个神经网络模型进行多任务处理提供了一个更为高效和经济的方案。
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公开(公告)号：CN120027917A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510183757.7
申请日：2025-02-19
Applicant: 湖北大学
IPC: G01J5/00 , G08B17/12 , G08B21/18 , H04L67/12 , H10F77/20 , H10F30/227 , H10F77/12 , G01J1/42 , G01J1/04 , G01J5/07 , G01J5/03
Abstract: 本申请提供一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外多光谱火焰探测系统。其中，通过高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器、红外探测器和可见光探测器可以实现多光谱的火焰探测，从而可以不受工作环境影响，在复杂的野外环境或者在工厂等特殊燃烧材料的场景都能够进行火焰火源探测。此外，通过可运动的扫描平台，可以进行扫描式探测，实现更大的范围内的火焰探测，同时，还可以进行多点位的方位确认，可以得到具体火焰方位。此外，还加入物联网功能，将数据传输至云端服务器，方便远程监控操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118510281A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410576315.4
申请日：2024-05-10
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供一种环绕式垂直沟道3D NAND存储器及其测试方法，包括填充层、金属层、沟道、源极、漏极、选择管、多个控制栅、隧穿层、电荷俘获层和阻挡层；填充层、金属层、沟道、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和控制栅从内到外绕垂直轴依次布设；多个控制栅呈层叠结构，相邻两个控制栅之间存在间距；选择管包括上选择管和下选择管，分别位于层叠结构的两端，与隧穿层接触；源极和漏极分别位于垂直轴两端，源极与填充层、金属层、沟道接触，漏极与金属层、沟道接触。本发明可以提高3D NAND Flash的擦除速度，同时能使保持每个存储单元擦除的一致性，且同样适用于高层器件，不大幅度修改制造工艺或器件布局。
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公开(公告)号：CN117594676A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311795201.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于大面积、高质量的In2Se3/Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用，涉及光电探测器技术领域。本发明所述的In2Se3/Ga2O3异质结结构，包括Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜，其中：所述Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜的尺寸均为英寸级。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结结构可用于日盲型紫外光电探测器和/或三端场效应晶体管。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；In2Se3薄膜；金电极。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上转移了英寸级的大面积In2Se3薄膜。该异质结大大降低了日盲型紫外光电探测器的暗电流并提升了器件的光电性能，使其在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
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公开(公告)号：CN116865690A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310893513.9
申请日：2023-07-20
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明属于低噪声放大器技术领域，具体公开了一种基于非对称变压器的超宽带低功耗紧凑型低噪声放大器；其由匹配电感、级间变压器以及通过匹配电感级联的第一级放大结构和第二级放大结构构成；级间变压器由第一电感和第二电感反向耦合而成，第一级放大结构与第一电感的线圈异名端相连，第二级放大结构与第二电感的线圈异名端相连；第一电感的线圈同名端、第二电感的线圈同名端均连接偏置电压。本发明适用于改善低噪声放大器的性能，能够拓展电路带宽、降低电路面积、优化电路噪声。
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公开(公告)号：CN120035252A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411154090.X
申请日：2024-08-21
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属掺杂氧化镓薄膜光电探测器及其制备方法，属于光电器件制备技术领域。本发明所述的探测器依次包括蓝宝石衬底、金属掺杂的氧化镓薄膜层、和金属导电电极。本发明通过CVD工艺，让金属掺杂的氧化镓薄膜材料“自由生长”，生长的金属掺杂的氧化镓薄膜择优取向，结晶度高，且制备成本极低。并且，本发明对金属掺杂的氧化镓薄膜进行后退火处理，以提高薄膜结晶质量，高纯氧气氛围退火进一步提高了金属掺杂的氧化镓薄膜的结晶质量，增加了金属掺杂的氧化镓薄膜表面的氧原子悬挂键以便于形成肖特基以降低日盲光电探测器的暗电流。
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公开(公告)号：CN117594676B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311795201.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于In2Se3/Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用，涉及光电探测器技术领域。本发明所述的In2Se3/Ga2O3异质结结构，包括Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜，其中：所述Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜的尺寸均为英寸级。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结结构可用于日盲型紫外光电探测器和/或三端场效应晶体管。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；In2Se3薄膜；金电极。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上转移了英寸级的大面积In2Se3薄膜。该异质结大大降低了日盲型紫外光电探测器的暗电流并提升了器件的光电性能，使其在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
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