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公开(公告)号：CN118673978B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411162297.1
申请日：2024-08-23
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供一种自适应自反馈LIF神经元电路，包括：前神经元电路，用于输出第一膜电位值；突触电路，用于对第一膜电位值进行处理得到第二膜电位值；后神经元电路，用于根据前一时刻自身发放的脉冲进行计算，将计算结果输入激活函数进行处理，将处理后得到的值与突触电路当前时刻输出的第二膜电位进行卷积运算，根据卷积运算结果得到当前时刻的膜电位值，根据膜电位值输出当前时刻的脉冲，之后根据不同类别神经元当前时刻的脉冲信号进行竞争机制选择，胜出者再次将脉冲信号输入到第二膜电位进行卷积运算，最终输出下一时刻的脉冲。本发明在处理较弱信号、较强信号以及噪声时有着更强稳定性和鲁棒性，使得脉冲更准确地发放。
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公开(公告)号：CN115020660B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210404309.1
申请日：2022-04-18
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/60 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种PQ‑MnO2复合电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域。本发明是以PQ、乙炔黑、高锰酸钾、浓硫酸等为原材料，首先将高锰酸钾、浓硫酸等原材料配成溶液、其次进行水热反应、抽滤、干燥，从而得到MnO2，再将其与PQ以及乙炔黑一起研磨混合均匀、最后进行球磨，从而使PQ和MnO2均匀形成PQ‑MnO2复合电极材料。本发明通过机械球磨混合，得到PQ‑MnO2复合电极材料，其中PQ与MnO2的相互作用，提高了PQ的电压平台，且较单独的PQ或MnO2，复合材料的容量更高，循环稳定性更好。
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公开(公告)号：CN114229903B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111395962.8
申请日：2021-11-23
Abstract: 本发明公开了一种MnO2电极材料及其制备方法和应用，属于储能材料技术领域。本发明MnO2电极材料的制备方法，包括以下几个步骤：(1)将聚乙二醇滴入高锰酸钾水溶液中搅拌均匀；(2)将配制好的溶液放入高压反应釜中进行水热反应；(3)对反应后的溶液进行过滤、干燥处理；(4)收集干燥后的样品并在空气中进行退火处理，得到所述的MnO2电极材料。本发明制备得到的MnO2电极材料具有较高的表面活性位点，而且MnO2表面有一层C膜，使得MnO2电极材料具有良好的导电性和较高的比容量。其在5A/g电流密度下充放电2000圈后比容量从143.0mAh/g降到98.6mAh/g，比容量保持率接近70％。
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公开(公告)号：CN115879530A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310186971.9
申请日：2023-03-02
IPC: G06N3/08 , G06N3/0464 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种面向RRAM存内计算系统阵列结构优化的方法，主要是利用后训练量化算法中的相应公式对基于RRAM的存内计算系统阵列结构进行优化处理，在保证计算准确率和精度的情况下，减小阵列面积，降低系统功耗。本发明的有益效果是：本发明适配于多层感知机和卷积神经网络等多种神经网络，在相同计算情况下，通过减半1T1R阵列规模，有效减少系统面积、降低系统能耗，提升系统计算效率，结合RRAM器件制备工艺不够成熟的现状，更适用于商业化落地；本发明在CNN卷积层的卷积核数量增多的情况下，阵列规模是常规技术的一半，但额外添加计算XZWQ和XQWZ的乘法器数量保持不变，系统总体性能优势十分显著。
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公开(公告)号：CN114229903A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111395962.8
申请日：2021-11-23
Abstract: 本发明公开了一种MnO2电极材料及其制备方法和应用，属于储能材料技术领域。本发明MnO2电极材料的制备方法，包括以下几个步骤：(1)将聚乙二醇滴入高锰酸钾水溶液中搅拌均匀；(2)将配制好的溶液放入高压反应釜中进行水热反应；(3)对反应后的溶液进行过滤、干燥处理；(4)收集干燥后的样品并在空气中进行退火处理，得到所述的MnO2电极材料。本发明制备得到的MnO2电极材料具有较高的表面活性位点，而且MnO2表面有一层C膜，使得MnO2电极材料具有良好的导电性和较高的比容量。其在5A/g电流密度下充放电2000圈后比容量从143.0mAh/g降到98.6mAh/g，比容量保持率接近70％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118510281A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410576315.4
申请日：2024-05-10
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供一种环绕式垂直沟道3D NAND存储器及其测试方法，包括填充层、金属层、沟道、源极、漏极、选择管、多个控制栅、隧穿层、电荷俘获层和阻挡层；填充层、金属层、沟道、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和控制栅从内到外绕垂直轴依次布设；多个控制栅呈层叠结构，相邻两个控制栅之间存在间距；选择管包括上选择管和下选择管，分别位于层叠结构的两端，与隧穿层接触；源极和漏极分别位于垂直轴两端，源极与填充层、金属层、沟道接触，漏极与金属层、沟道接触。本发明可以提高3D NAND Flash的擦除速度，同时能使保持每个存储单元擦除的一致性，且同样适用于高层器件，不大幅度修改制造工艺或器件布局。
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公开(公告)号：CN116865690A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310893513.9
申请日：2023-07-20
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明属于低噪声放大器技术领域，具体公开了一种基于非对称变压器的超宽带低功耗紧凑型低噪声放大器；其由匹配电感、级间变压器以及通过匹配电感级联的第一级放大结构和第二级放大结构构成；级间变压器由第一电感和第二电感反向耦合而成，第一级放大结构与第一电感的线圈异名端相连，第二级放大结构与第二电感的线圈异名端相连；第一电感的线圈同名端、第二电感的线圈同名端均连接偏置电压。本发明适用于改善低噪声放大器的性能，能够拓展电路带宽、降低电路面积、优化电路噪声。
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公开(公告)号：CN114203458B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202111397572.4
申请日：2021-11-23
Abstract: 本发明公开了一种导电聚合物包覆的磷化镍纳米线及其制备方法和应用，属于超级电容器电极材料的技术领域。本发明的制备方法是以去离子水、单质磷、金属镍盐、十六烷基三甲基溴化铵为原材料通过一步水热法制备前驱体材料，再对前驱体材料在冰水混合物环境氛围中进行聚合物包覆过程，最后将包覆了聚合物的磷化镍纳米线材料在氩气或氮气氛围中退火得到最终产物。利用本发明所制得的导电聚合物包覆的磷化镍纳米线作为电极材料的超级电容器，具有较大的比表面积、较高的表面活性位点，比电容大，并且稳定性优异。
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公开(公告)号：CN114212826B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111397586.6
申请日：2021-11-23
Abstract: 本发明公开了一种Mo金属掺杂MnO2电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域。本发明是以乙炔黑、高锰酸钾、浓硫酸、钼酸钠为原材料，首先将原材料配制成混合反应液、其次进行水热反应、抽滤、干燥，从而使高锰酸钾加热分解形成Mo金属掺杂MnO2电极材料。本发明通过简单的一步水热掺杂，得到Mo金属掺杂MnO2电极材料，其中的Mo元素在高度可逆的充放电过程中替换了部分原MnO2中Mn的位置，高价的Mo通过抑制Mn的溶解从而提高了MnO2的循环性能，改善了锰基材料锌离子电池的整体电化学性能。
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公开(公告)号：CN115988955A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310002648.1
申请日：2023-01-03
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于过渡金属硫属化物和有机聚合物的忆阻器及其制备方法，属于半导体存储相关技术领域。本发明所述忆阻器自下而上依次包括底电极、忆阻功能层及顶电极，忆阻功能层位于所述顶电极及所述底电极之间。本发明所述忆阻器采用如下方法制备而成：步骤1，将ITO导电玻璃放在紫外光下UV处理作为底电极；步骤2，制备含过渡金属硫属化物纳米片和聚合物的混合液，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；步骤3，使用掩膜板通过热蒸镀的方法镀金属顶电极。本发明操作简单成本不高，并且环保灵活，对实验仪器要求不高。另外，将基板换为涂有ITO的PET基材(用具有氧化铟锡涂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯)作为底部电极时，可以制成柔性忆阻器。
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