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公开(公告)号：CN120035252A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411154090.X
申请日：2024-08-21
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属掺杂氧化镓薄膜光电探测器及其制备方法，属于光电器件制备技术领域。本发明所述的探测器依次包括蓝宝石衬底、金属掺杂的氧化镓薄膜层、和金属导电电极。本发明通过CVD工艺，让金属掺杂的氧化镓薄膜材料“自由生长”，生长的金属掺杂的氧化镓薄膜择优取向，结晶度高，且制备成本极低。并且，本发明对金属掺杂的氧化镓薄膜进行后退火处理，以提高薄膜结晶质量，高纯氧气氛围退火进一步提高了金属掺杂的氧化镓薄膜的结晶质量，增加了金属掺杂的氧化镓薄膜表面的氧原子悬挂键以便于形成肖特基以降低日盲光电探测器的暗电流。
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公开(公告)号：CN119342926A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411454585.4
申请日：2024-10-17
Applicant: 湖北大学
IPC: H10F71/00 , H10F30/222 , H10F77/12
Abstract: 本发明属于深紫外光电探测器技术领域，尤其涉及一种超宽禁带半导体的制备方法及其在异质结深紫外光电探测器中的应用。本发明所述制备方法得到的超宽禁带半导体薄膜(Ga2O3)具有高的带隙值(4.4‑5.3eV)，稳定性良好，较高的击穿电压，其对应波段为200‑280nm的深紫外区间(UVC)。且放置在阳光下几乎没有任何的响应，对于深紫外光源的响应几乎不存在外界的干扰。由此制备得到的异质结深紫外光电探测器在254nm的紫外光照下可表现出优良的性能和较好的可重复性的稳定性，且具有自驱动功能，不需要外部电压就可实现对光的探测。
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公开(公告)号：CN117594676B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311795201.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于In2Se3/Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用，涉及光电探测器技术领域。本发明所述的In2Se3/Ga2O3异质结结构，包括Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜，其中：所述Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜的尺寸均为英寸级。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结结构可用于日盲型紫外光电探测器和/或三端场效应晶体管。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；In2Se3薄膜；金电极。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上转移了英寸级的大面积In2Se3薄膜。该异质结大大降低了日盲型紫外光电探测器的暗电流并提升了器件的光电性能，使其在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
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公开(公告)号：CN118673978A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411162297.1
申请日：2024-08-23
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供一种自适应自反馈LIF神经元电路，包括：前神经元电路，用于输出第一膜电位值；突触电路，用于对第一膜电位值进行处理得到第二膜电位值；后神经元电路，用于根据前一时刻自身发放的脉冲进行计算，将计算结果输入激活函数进行处理，将处理后得到的值与突触电路当前时刻输出的第二膜电位进行卷积运算，根据卷积运算结果得到当前时刻的膜电位值，根据膜电位值输出当前时刻的脉冲，之后根据不同类别神经元当前时刻的脉冲信号进行竞争机制选择，胜出者再次将脉冲信号输入到第二膜电位进行卷积运算，最终输出下一时刻的脉冲。本发明在处理较弱信号、较强信号以及噪声时有着更强稳定性和鲁棒性，使得脉冲更准确地发放。
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公开(公告)号：CN118507575A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410594183.8
申请日：2024-05-14
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；Pd电极。本发明的高功函数Pd电极接触的日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上使用高真空电子束复合热蒸发镀膜设备蒸镀pd电极，使其具有极低的暗电流并在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118239520A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410360080.5
申请日：2024-03-27
Applicant: 湖北大学
IPC: C01G45/02 , C01B32/05 , H01M10/36 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01M4/02 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M4/50
Abstract: 本发明公开了一种基于Cu/Mn双金属MOF的Cu/MnO@C纳米复合材料及其制备方法和应用，属于电极材料技术领域。本发明设计了一种利用低毒性、低成本材料在常温的温和条件下合成Cu/Mn双金属MOF复合材料的工艺，然后了利用高温固相法进一步处理，制备具有丰富缺陷和无序碳/非晶碳的Cu掺杂MnO纳米复合材料。MOF结构衍生产生的无序碳/非晶碳能够提供高效的导电网络和更多反应活性位点。同时Cu通过高温固相法掺杂进入MnO晶格，产生非均匀的局部电子结构(缺陷)，提高了复合材料的导电性并为ZSH、ZnxMnO(OH)2转换反应动力学提供了丰富的反应活性位点。在测试中，Cu/MnO@C表现出了优异的倍率性能。并在长循环测试中表现出2000圈剩余98.26％的可逆容量(1Ag‑1)。展现了其良好的电化学性能。
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公开(公告)号：CN112420922B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202011309719.5
申请日：2020-11-20
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于钛银合金的低功耗CBRAM器件及其制备方法和应用，该低功耗CBRAM器件包括：底电极；插入层，位于底电极一侧表面；阻变层，位于插入层远离所述底电极一侧表面；顶电极，位于阻变层远离所述底电极一侧表面；其中，插入层的材料为Ti、Ag合金材料。本申请制备得到的基于钛银合金的低功耗CBRAM器件，采用Ti、Ag合金代替传统的Ag制备的CBRAM器件，其高低阻态的电阻分布更加集中，进一步提高了器件性能的稳定性；本申请制备得到的基于钛银合金的低功耗CBRAM器件可以在更低的功耗(56)对比文件Sang-Jun Choi et al.."Improvement ofCBRAM Resistance Window by Scaling DownElectrode Size in Pure-GeTe Film"《.IEEEELECTRON DEVICE LETTERS》.2008,120-122.
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公开(公告)号：CN114050281B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111290349.X
申请日：2021-11-02
Abstract: 本发明提供了一种空心碳纳米球复合催化剂及其制备方法和应用，该复合催化剂的制备方法，包括以下步骤：制备碳空心球；将Pt前驱物、乙酰丙酮金属化合物，加入至醇溶剂中，然后再加入碳空心球混合均匀后，得到混合粉末；将混合粉末置于管式炉中在还原气体下热解还原即得空心碳纳米球复合催化剂。本发明制备得到的复合催化剂，在还原气体下采用化学气相沉积方法，将各类前驱物金属原子热解还原后原位同步沉积在碳空心球上，获得了尺寸、成分可控的Pt基纳米合金‑碳空心球复合电催化剂；该方法不仅有效地控制了合金颗粒的尺寸，而且实现了纳(56)对比文件Chen, ZY等.Iron and Nitrogen Co-dopedCarbon Spheres as High Efficiency OxygenReduction Catalyst《.INTERNATIONAL JOURNALOF ELECTROCHEMICAL SCIENCE》.2021,第16卷(第5期),第1-8页.
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公开(公告)号：CN116974173A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310810325.5
申请日：2023-07-04
Applicant: 湖北大学
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明属于时间数字转换器技术领域，具体公开了一种用于提取时间数字转换器量化余量的电路及方法，本发明在现有时间数字转换器的基础上增加异或门和传输门单元将时间数字转换器时间余量进行提取，并通过动态或门输出。通过本发明提供的电路能够提取出时间数字转换器不能量化的时间余量，精确的测量量化误差，从而可以针对时间余量进行进一步的测量，提高整个时间数字转换器的测量精度。通过本发明提供的电路和方法，不仅能够提取出时间数字转换器不能量化的时间余量，还能准确获知触发信号的延时链中所处的位置。
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公开(公告)号：CN111223986B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202010037678.2
申请日：2020-01-14
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铪转变层的银插层选通器件及其制造方法，属于微电子技术领域。本发明的选通器件从下至上依次包括底电极层、转变层、银插层和顶电极层；其中：所述底电极材料为氮化钛、钛或铂中的任一种，所述转变层材料为氧化铪薄膜，所述顶电极材料为金属钨、钛或铂中的任一种。本发明制备的选通器件展现了十分小的漏电流，达到pA级别；并且其低阻态电流和高阻态电流之比超过107，展现了非常高的非线性度。另外，本发明的选通器件还展示了明显的双向阈值选通特性，有利于器件的集成。
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