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公开(公告)号：CN118507575A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410594183.8
申请日：2024-05-14
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；Pd电极。本发明的高功函数Pd电极接触的日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上使用高真空电子束复合热蒸发镀膜设备蒸镀pd电极，使其具有极低的暗电流并在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
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