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公开(公告)号：CN117594676B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311795201.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于In2Se3/Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用，涉及光电探测器技术领域。本发明所述的In2Se3/Ga2O3异质结结构，包括Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜，其中：所述Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜的尺寸均为英寸级。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结结构可用于日盲型紫外光电探测器和/或三端场效应晶体管。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；In2Se3薄膜；金电极。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上转移了英寸级的大面积In2Se3薄膜。该异质结大大降低了日盲型紫外光电探测器的暗电流并提升了器件的光电性能，使其在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
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公开(公告)号：CN118507575A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410594183.8
申请日：2024-05-14
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；Pd电极。本发明的高功函数Pd电极接触的日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上使用高真空电子束复合热蒸发镀膜设备蒸镀pd电极，使其具有极低的暗电流并在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
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公开(公告)号：CN119374727A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411307876.0
申请日：2024-09-19
Applicant: 湖北大学
IPC: G01J5/00 , G01J1/42 , G01J1/04 , G01J5/07 , G01J5/03 , G08B17/10 , G08B17/12 , G08B7/06 , H04L67/02 , H04L67/125 , H04L67/55
Abstract: 本申请提供一种多光谱火焰探测系统。其中，通过高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器、红外探测器和可见光探测器可以实现多光谱的火焰探测，从而可以不受工作环境影响，在复杂的野外环境或者在工厂等特殊燃烧材料的场景都能够进行火焰火源探测。此外，通过可运动的扫描平台，可以进行扫描式探测，实现更大的范围内的火焰探测，同时，还可以进行多点位的方位确认，可以得到具体火焰方位。此外，还加入物联网功能，将数据传输至云端服务器，方便远程监控操作。
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公开(公告)号：CN113540271B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110819572.2
申请日：2021-07-20
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，该日盲型紫外光电探测器，包括：导电基底，其上开设有沟道；Ga2O3纳米柱阵列，其位于所述沟道上；聚甲基丙烯酸甲酯层，其覆盖Ga2O3纳米柱阵列。本发明的日盲型紫外光电探测器，Ga2O3具有高的热稳定性和化学稳定性，其禁带宽度约为4.9eV，只对日盲区的深紫外光敏感，相比传统使用AlGaN、MgZnO等材料，Ga2O3不需要任何掺杂来调节带隙，避免了合金相的成分波动和相分离；而使用的聚甲基丙烯酸甲酯层，使得日盲型紫外光电探测器具有较低的暗电流，在低光强下仍具有较高的开关比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120027917A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510183757.7
申请日：2025-02-19
Applicant: 湖北大学
IPC: G01J5/00 , G08B17/12 , G08B21/18 , H04L67/12 , H10F77/20 , H10F30/227 , H10F77/12 , G01J1/42 , G01J1/04 , G01J5/07 , G01J5/03
Abstract: 本申请提供一种高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外多光谱火焰探测系统。其中，通过高功函数Pd电极接触的Ga2O3日盲紫外光电探测器、红外探测器和可见光探测器可以实现多光谱的火焰探测，从而可以不受工作环境影响，在复杂的野外环境或者在工厂等特殊燃烧材料的场景都能够进行火焰火源探测。此外，通过可运动的扫描平台，可以进行扫描式探测，实现更大的范围内的火焰探测，同时，还可以进行多点位的方位确认，可以得到具体火焰方位。此外，还加入物联网功能，将数据传输至云端服务器，方便远程监控操作。
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公开(公告)号：CN117594676A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311795201.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于大面积、高质量的In2Se3/Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用，涉及光电探测器技术领域。本发明所述的In2Se3/Ga2O3异质结结构，包括Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜，其中：所述Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜的尺寸均为英寸级。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结结构可用于日盲型紫外光电探测器和/或三端场效应晶体管。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；In2Se3薄膜；金电极。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上转移了英寸级的大面积In2Se3薄膜。该异质结大大降低了日盲型紫外光电探测器的暗电流并提升了器件的光电性能，使其在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。
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公开(公告)号：CN118600534A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410715184.3
申请日：2024-06-04
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于快速降温化学气相沉积法制备大面积二维硒化铟薄膜晶体材料的方法及其制备的产品和应用，涉及二维材料制备技术领域。本发明方法中的前驱体与衬底的垂直距离为3毫米左右和1毫米左右，相较于传统化学气相沉积法所需的10cm以上距离，此超短的传输距离可以在生长衬底上提供一个稳定、均匀且持续的气源供应，从而获得大尺寸的硒化铟薄膜。按本发明方法制备的二维硒化铟薄膜是具有高电子迁移率、高质量和较宽带隙，且β′和α相存在铁电效应，在铁电晶体管和光电探测器的应用中具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN115000211A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210587796.X
申请日：2022-05-27
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/102 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，该日盲型紫外光电探测器，包括：导电基底，其上开设有沟道；In掺杂的Ga2O3纳米柱阵列，其位于沟道上。本发明的日盲型紫外光电探测器，导电基底为自带沟道的导电基底，因而在导电基底的沟道两侧自然形成电极，而且目前大多数器件都需要额外制作电极，不仅增加了实验步骤还大大增加了实验成本，本发明采用自带沟道的导电基底不需要额外制备电极，大大简化了实验步骤和实验成本；同时本申请采用In掺杂的Ga2O3纳米柱阵列，使得日盲型紫外光电探测器器件具有更低的暗电流，在低光强下仍具有较高的开关比。
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公开(公告)号：CN113540271A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110819572.2
申请日：2021-07-20
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，该日盲型紫外光电探测器，包括：导电基底，其上开设有沟道；Ga2O3纳米柱阵列，其位于所述沟道上；聚甲基丙烯酸甲酯层，其覆盖Ga2O3纳米柱阵列。本发明的日盲型紫外光电探测器，Ga2O3具有高的热稳定性和化学稳定性，其禁带宽度约为4.9eV，只对日盲区的深紫外光敏感，相比传统使用AlGaN、MgZnO等材料，Ga2O3不需要任何掺杂来调节带隙，避免了合金相的成分波动和相分离；而使用的聚甲基丙烯酸甲酯层，使得日盲型紫外光电探测器具有较低的暗电流，在低光强下仍具有较高的开关比。
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