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公开(公告)号：CN118600534A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410715184.3
申请日：2024-06-04
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于快速降温化学气相沉积法制备大面积二维硒化铟薄膜晶体材料的方法及其制备的产品和应用，涉及二维材料制备技术领域。本发明方法中的前驱体与衬底的垂直距离为3毫米左右和1毫米左右，相较于传统化学气相沉积法所需的10cm以上距离，此超短的传输距离可以在生长衬底上提供一个稳定、均匀且持续的气源供应，从而获得大尺寸的硒化铟薄膜。按本发明方法制备的二维硒化铟薄膜是具有高电子迁移率、高质量和较宽带隙，且β′和α相存在铁电效应，在铁电晶体管和光电探测器的应用中具有广阔前景。
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