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公开(公告)号：CN112420922A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011309719.5
申请日：2020-11-20
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于钛银合金的低功耗CBRAM器件及其制备方法和应用，该低功耗CBRAM器件包括：底电极；插入层，位于底电极一侧表面；阻变层，位于插入层远离所述底电极一侧表面；顶电极，位于阻变层远离所述底电极一侧表面；其中，插入层的材料为Ti、Ag合金材料。本申请制备得到的基于钛银合金的低功耗CBRAM器件，采用Ti、Ag合金代替传统的Ag制备的CBRAM器件，其高低阻态的电阻分布更加集中，进一步提高了器件性能的稳定性；本申请制备得到的基于钛银合金的低功耗CBRAM器件可以在更低的功耗下实现电导的连续调控，这为低功耗忆阻器阵列的搭建以及低功耗类脑神经形态芯片的研制提供了新的可能。
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公开(公告)号：CN108539014B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201810392810.4
申请日：2018-04-27
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于铌的氧化物的选通器件，从下至上依次包括底电极、转换层和顶电极，所述底电极为TiN或导电玻璃，所述转换层为铌的氧化物，所述顶电极为铂。本发明以铌的氧化物为转换层，以TiN或导电玻璃为底电极、金属铂为顶电极，构成了电学稳定性优异的基于铌的氧化物的选通器件。实验结果表明，本发明所提供的选通器件循环测试100圈，所得曲线的偏移程度很小，说明其具有优异的电学稳定性。
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公开(公告)号：CN108666419B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810458251.2
申请日：2018-05-14
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于GeTe的互补型阻变存储器及其制备方法，涉及新型微纳电子材料及功能器件领域。本发明的互补型阻变存储器包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层；设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极，其中，所述底层导电电极，GeTe薄膜介质层，顶层导电电极都是通过磁控溅射的方法制备得到的。本发明通过电激励和限制电流使GeTe薄膜介质层发生阻态切换实现互补型阻变功能。本发明提出的存储器有效解决了阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，具有制备方法简单、成本低廉、性能稳定、可微缩性好等特点，在开发高存储密度、低功耗、纳米尺寸非易失性存储器方面非常具有发展潜力和应用价值。
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公开(公告)号：CN108539014A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810392810.4
申请日：2018-04-27
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于铌的氧化物的选通器件，从下至上依次包括底电极、转换层和顶电极，所述底电极为TiN或导电玻璃，所述转换层为铌的氧化物，所述顶电极为铂。本发明以铌的氧化物为转换层，以TiN或导电玻璃为底电极、金属铂为顶电极，构成了电学稳定性优异的基于铌的氧化物的选通器件。实验结果表明，本发明所提供的选通器件循环测试100圈，所得曲线的偏移程度很小，说明其具有优异的电学稳定性。
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公开(公告)号：CN108258115A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810217430.7
申请日：2018-03-16
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件及其制造方法。本发明的1S1R器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆阻变层、氧化铌转换层和顶电极层；所述底电极层的厚度为100～300nm，所述阻变层的厚度为15～30nm，所述转换层的厚度为30～80nm，所述顶电极层的厚度为50～300nm，所述阻变层、转换层和顶电极层均是采用磁控溅射的方法形成。本发明采用氧化锆作为阻变层，氧化铌选通管作为转换层，制得的基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件具有较大的非线性值，能够有效减小漏电流、可实现十字交叉阵列的高密度集成，因此非常具有发展潜力和应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231823A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810217499.X
申请日：2018-03-16
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件及其制造方法。本发明的选通器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆隧穿层、氧化铌转换层和顶电极层；所述底电极层的厚度为50～300nm，所述隧穿层的厚度为1～5nm，所述转换层的厚度为30～100nm，所述顶电极层的厚度为50～300nm，所述隧穿层、转换层和顶电极层均是采用磁控溅射的方法形成。本发明在氧化铌转换层和底电极层之间增加了一层超薄的氧化锆隧穿层，氧化锆隧穿层有效减小了器件的操作电流和操作电压，可显著降低器件的使用功耗，增加高阻态电阻值，提升非线性度，因此，本发明制得的选通器件非线性值高，非常具有发展潜力和应用价值。
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公开(公告)号：CN108400238B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810457611.7
申请日：2018-05-14
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于GeTe的双功能器件及其制备方法，所述器件包括三层结构：顶电极、薄膜介质层和底电极。所述顶电极为W；所述薄膜介质层为GeTe薄膜；所述底电极的材料为选自ITO、FTO、ZTO、TaN或者TiN中的任一种。所述顶电极，薄膜介质层，底电极都是通过磁控溅射的方法制备。通过控制操作电流的大小使GeTe薄膜介质层发生不同的阻态切换从而实现常规阻变功能或互补型阻变功能。本发明提出的双功能器件的常规阻变功能可用作常规记忆存储元件，互补型阻变功能可以有效解决阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，通过合理地控制操作电流的大小，将两种功能相互转换，大大了提高器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN108666419A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810458251.2
申请日：2018-05-14
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于GeTe的互补型阻变存储器及其制备方法，涉及新型微纳电子材料及功能器件领域。本发明的互补型阻变存储器包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层；设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极，其中，所述底层导电电极，GeTe薄膜介质层，顶层导电电极都是通过磁控溅射的方法制备得到的。本发明通过电激励和限制电流使GeTe薄膜介质层发生阻态切换实现互补型阻变功能。本发明提出的存储器有效解决了阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题，具有制备方法简单、成本低廉、性能稳定、可微缩性好等特点，在开发高存储密度、低功耗、纳米尺寸非易失性存储器方面非常具有发展潜力和应用价值。
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公开(公告)号：CN112420922B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202011309719.5
申请日：2020-11-20
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于钛银合金的低功耗CBRAM器件及其制备方法和应用，该低功耗CBRAM器件包括：底电极；插入层，位于底电极一侧表面；阻变层，位于插入层远离所述底电极一侧表面；顶电极，位于阻变层远离所述底电极一侧表面；其中，插入层的材料为Ti、Ag合金材料。本申请制备得到的基于钛银合金的低功耗CBRAM器件，采用Ti、Ag合金代替传统的Ag制备的CBRAM器件，其高低阻态的电阻分布更加集中，进一步提高了器件性能的稳定性；本申请制备得到的基于钛银合金的低功耗CBRAM器件可以在更低的功耗(56)对比文件Sang-Jun Choi et al.."Improvement ofCBRAM Resistance Window by Scaling DownElectrode Size in Pure-GeTe Film"《.IEEEELECTRON DEVICE LETTERS》.2008,120-122.
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公开(公告)号：CN108598257B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201810394883.7
申请日：2018-04-27
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种存储与选通双功能器件，从下至上依次包括底电极、转换层和顶电极，所述底电极为TiN或导电玻璃，所述转换层为铌的氧化物，所述顶电极为钨。本发明以铌的氧化物为转换层，以TiN或导电玻璃为底电极、金属钨为顶电极，构成了具有存储与选通双功能的器件。实验结果表明，本发明所提供的器件在大限流时具有选通性能，在小限流时具有阻变性能(即存储性能)；同时在选通和阻变性能测试中，循环测试100圈，所得曲线的偏移程度很小，说明其还具有优异的稳定性；在阻变性能测试中，高阻态电阻阻值比上低阻态电阻阻值大于10，说明该器件还具有较大的存储窗口。
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