公开(公告)号：CN118510281A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410576315.4

申请日：2024-05-10

Applicant: 湖北大学

Inventor： 马国坤 ,  吕琳 ,  刘志成 ,  吴瑞 ,  万厚钊 ,  饶毅恒 ,  韩伟 ,  王浩

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  G11C16/04 ,  G11C16/14 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明提供一种环绕式垂直沟道3D NAND存储器及其测试方法，包括填充层、金属层、沟道、源极、漏极、选择管、多个控制栅、隧穿层、电荷俘获层和阻挡层；填充层、金属层、沟道、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和控制栅从内到外绕垂直轴依次布设；多个控制栅呈层叠结构，相邻两个控制栅之间存在间距；选择管包括上选择管和下选择管，分别位于层叠结构的两端，与隧穿层接触；源极和漏极分别位于垂直轴两端，源极与填充层、金属层、沟道接触，漏极与金属层、沟道接触。本发明可以提高3D NAND Flash的擦除速度，同时能使保持每个存储单元擦除的一致性，且同样适用于高层器件，不大幅度修改制造工艺或器件布局。