公开(公告)号：CN119514605A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411521462.8

申请日：2024-10-29

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  黄旭 ,  马国坤 ,  桃李 ,  冯辰胤 ,  汪宝元 ,  王浚英 ,  董文静 ,  夏晨

IPC: G06N3/0464 ,  G06N3/048 ,  G06N3/063 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明提供一种基于不完全指定函数的神经网络硬件实现方法及系统，该方法包括：对神经网络的输入数据及权值进行量化，并获取非零权值的位置索引；遍历训练集，基于不完全指定函数根据所述非零权值的位置索引获取与所述非零权值有关的多个数据集合；基于所述多个数据集合进行逻辑最小化，生成基于不完全指定函数的布尔逻辑表达式，根据所述布尔逻辑表达式的立方体以及所述布尔逻辑表达式中的逻辑变量，确定闪存逻辑阵列规模及内部端口连线；根据闪存逻辑阵列规模及内部端口连线构建闪存逻辑阵列，并构建所述闪存逻辑阵列的外围电路，所述外围电路主要用于对所述闪存逻辑阵列的输出数据进行处理。本发明降低神经网络硬件实现过程中的功耗和延时。

公开(公告)号：CN119486147A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411447027.5

申请日：2024-10-16

Applicant: 湖北大学

Inventor： 马国坤 ,  黄雨欣 ,  林振南 ,  王金龙 ,  万厚钊 ,  饶毅恒 ,  冯辰胤 ,  王浩

IPC: H10B63/10 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提出了一种引入As、Si元素的GeSe OTS选通管材料的制备方法。通过构建引入As、Si元素的GeSe OTS选通管的非晶态模型，比较引入As、Si元素后材料模型的非晶程度和态密度，阐明了AsGeSeSi材料的非晶程度更大，基态电阻更大。接着根据成键特性阐明了选择引入As、Si元素后的GeSe OTS选通管材料结构更稳定，为优化OTS阈值器件性能提供指导意义。

公开(公告)号：CN116865690A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310893513.9

申请日：2023-07-20

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  李振东 ,  饶毅恒 ,  吕琳 ,  韩伟 ,  冯辰胤 ,  桃李

IPC: H03F1/42 ,  H03F1/26 ,  H03F1/56

Abstract: 本发明属于低噪声放大器技术领域，具体公开了一种基于非对称变压器的超宽带低功耗紧凑型低噪声放大器；其由匹配电感、级间变压器以及通过匹配电感级联的第一级放大结构和第二级放大结构构成；级间变压器由第一电感和第二电感反向耦合而成，第一级放大结构与第一电感的线圈异名端相连，第二级放大结构与第二电感的线圈异名端相连；第一电感的线圈同名端、第二电感的线圈同名端均连接偏置电压。本发明适用于改善低噪声放大器的性能，能够拓展电路带宽、降低电路面积、优化电路噪声。