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发明公开
基于AsGeSeSi的OTS选通管材料及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119486147A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411447027.5

申请日：2024-10-16

Applicant: 湖北大学

Inventor： 马国坤 , 黄雨欣 , 林振南 , 王金龙 , 万厚钊 , 饶毅恒 , 冯辰胤 , 王浩

IPC: H10B63/10 , C23C14/35 , C23C14/06

Abstract: 本发明提出了一种引入As、Si元素的GeSe OTS选通管材料的制备方法。通过构建引入As、Si元素的GeSe OTS选通管的非晶态模型，比较引入As、Si元素后材料模型的非晶程度和态密度，阐明了AsGeSeSi材料的非晶程度更大，基态电阻更大。接着根据成键特性阐明了选择引入As、Si元素后的GeSe OTS选通管材料结构更稳定，为优化OTS阈值器件性能提供指导意义。

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