公开(公告)号：CN112909168B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202110308197.5

申请日：2021-03-23

Applicant: 湖北大学

Inventor： 马国坤 ,  夏雅馨 ,  桃李 ,  饶毅恒 ,  段金霞 ,  董文静 ,  万厚钊 ,  王浩

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明提供了一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法，该多功能存储器件包括：底电极，转变层和顶电极；转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。本申请的多功能存储器件，转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。且氧化铌是一种良好的相变材料，制备工艺简单；该材料价格较低，成本可控；本申请采用锂掺杂氧化铌作为转变层，由于锂金属易氧化且与氧空位相互作用，锂和氧空位一起形成的导电细丝更加稳定，故而使得基于该器件阻变过程中的最低限流低至500μA时实现稳定的双极性转变性能。同时基于该材料所得的器件还具有良好的忆阻特性，并且可以用来模拟神经突触；本申请的基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，也可实现选通性能。

公开(公告)号：CN112909168A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110308197.5

申请日：2021-03-23

Applicant: 湖北大学

Inventor： 马国坤 ,  夏雅馨 ,  桃李 ,  饶毅恒 ,  段金霞 ,  董文静 ,  万厚钊 ,  王浩

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供了一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法，该多功能存储器件包括：底电极，转变层和顶电极；转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。本申请的多功能存储器件，转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。且氧化铌是一种良好的相变材料，制备工艺简单；该材料价格较低，成本可控；本申请采用锂掺杂氧化铌作为转变层，由于锂金属易氧化且与氧空位相互作用，锂和氧空位一起形成的导电细丝更加稳定，故而使得基于该器件阻变过程中的最低限流低至500μA时实现稳定的双极性转变性能。同时基于该材料所得的器件还具有良好的忆阻特性，并且可以用来模拟神经突触；本申请的基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，也可实现选通性能。