公开(公告)号：CN101645463A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910163621.0

申请日：2009-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  宫永昭治 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一在于提供一种在使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜的薄膜晶体管中减少源电极或漏电极的接触电阻的薄膜晶体管及其制造方法。通过在源电极层及漏电极层和IGZO半导体层之间意图性地设置载流子浓度比IGZO半导体层高的缓冲层，形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN101640221A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910161721.X

申请日：2009-07-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  宫永昭治 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78618 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/3674 ,  G09G2310/0286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种半导体装置，其中使用含有In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间包括设置有缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的缓冲层，来形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN101640220A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910160557.0

申请日：2009-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  宫永昭治 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明的课题在于提供包括电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及没有不均匀性地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于使用包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并包括在半导体层和源电极层及漏电极层之间设置有缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层及漏电极层和半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的包含In、Ga及Zn的缓冲层，形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN100449712C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN03158812.3

申请日：2003-09-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  下村明久 ,  高野圭惠 ,  古山将树 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/324 ,  B23K26/00 ,  H01S3/00 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明的目的是提供使激光能量更稳定的激光装置、激光照射方法和半导体器件的制作方法。为此，对振荡器发射的激光束的一部分进行采样，以生成包含激光束的能量波动作为数据的电信号。对该电信号进行信号处理，以计算激光束能量波动的频率、幅度、和相位。光量调节装置的透射比被控制，使得透射比变化的相位与激光束能量波动的相位相反，且幅度能够减小振荡器发射的激光束的幅度，该控制根据与从振荡器发射的激光束的振荡同步的信号的相位与计算得到的相位之间的相位差、根据采样的激光束与从振荡器发射的激光束的能量比率、以及根据计算得到的频率和幅度进行。在光量调节装置中，从振荡器振荡的激光束的能量被调节。

公开(公告)号：CN100446181C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200610006425.9

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  B23K26/073 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN101308772A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810088431.2

申请日：2008-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1266

Abstract: 本发明的目的在于提供高性能且廉价的半导体装置及其制造方法。在衬底上设置具有分开单晶半导体层的第一区域和具有非单晶半导体层的第二区域。另外，更优选为在所述分开单晶半导体层或所述非单晶半导体层的任一方上形成覆盖膜，而从所述覆盖膜的上方向所述第一区域及所述第二区域照射激光束。

公开(公告)号：CN100409409C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN03102283.9

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN119032637A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202380034483.4

申请日：2023-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  中岛基

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H10B41/27

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括：第一导电体；与第一导电体电连接并具有开口的第一氧化物及第二氧化物；与第一氧化物电连接的第二导电体；配置在第一氧化物所包括的开口内侧的第三导电体；与第三导电体电连接的第四导电体；与第二氧化物电连接的第五导电体；配置在第二氧化物所包括的开口内侧的第六导电体；与第六导电体电连接的第七导电体；以及与第二导电体及第七导电体电连接的第八导电体。第四导电体设置在与第七导电体相同的层中，第四导电体的延伸方向与第五导电体的延伸方向相同。

公开(公告)号：CN117178222A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280029579.7

申请日：2022-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  加藤翔

IPC: G02B27/02

Abstract: 提供一种亮度高的电子设备。电子设备包括第一显示装置、第二显示装置以及光学元件。第一显示装置包括第一发光元件，第二显示装置包括第二发光元件。从第一发光元件发射的第一光的颜色与从第二发光元件发射的第二光的颜色不同。光学元件设置在第一显示装置与第二显示装置之间。光学元件包括第一导光板和第二导光板。

公开(公告)号：CN105514124B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201610070960.4

申请日：2009-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，其目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。