公开(公告)号：CN102738180A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210245865.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则 ,  木村肇 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H04M1/02

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。

公开(公告)号：CN1890698B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200480035706.6

申请日：2004-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  桑原秀明 ,  前川慎志 ,  藤井严 ,  伊佐敏行

IPC: G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1292 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够通过利用改进的材料以及通过简化的制造步骤来制造的显示器件，并且提供其制造技术。本发明的显示器件的一个特征是包括具有开口的绝缘层、形成在所述开口中的第一导电层、以及形成在所述绝缘层和第一导电层上的第二导电层，其中第一导电层比第二导电层更宽和更厚，以及其中通过喷溅含有导电材料的微滴来形成第二导电层。

公开(公告)号：CN101630639A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910161174.5

申请日：2005-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  藤井严 ,  城口裕子 ,  森末将文

IPC: H01L21/02 ,  B05D1/12

CPC classification number: G02B5/201 ,  G03F7/0007 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3281 ,  H01L27/3295 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。

公开(公告)号：CN100570834C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200510106745.7

申请日：2005-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小路博信 ,  前川慎志 ,  吉住健辅 ,  本田达也 ,  铃木幸惠 ,  川俣郁子 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5281 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明提供了一种用于制造显示装置的方法，该显示装置具有高速工作的TFT，同时利用少量光掩模并提高了材料的应用效率，其中阈值很难发生改变。在本发明中，将催化成分用于非晶形半导体膜中，对该非晶形半导体膜进行加热而形成结晶半导体膜。从该结晶半导体膜中清除掉膜该催化成分之后，制成具有平面结构的顶栅型薄膜晶体管。此外，通过使用选择性地形成显示装置元件的微滴释放法，可简化该过程并降低材料的损耗。

公开(公告)号：CN100550295C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510004768.7

申请日：2005-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  藤井严 ,  城口裕子 ,  森末将文

IPC: H01L21/02 ,  B05D1/12

CPC classification number: G02B5/201 ,  G03F7/0007 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3281 ,  H01L27/3295 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。

公开(公告)号：CN100533746C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200510091032.8

申请日：2005-08-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小路博信 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  本田达也 ,  藤井严 ,  铃木幸惠 ,  川俣郁子

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供了一种显示器件的制造方法，所述显示器件具有能够在较小阈值电压改变的情况下高速操作的TFT，其中高效率使用所述材料并且需要少量光掩模。本发明的显示器件包括形成在绝缘表面上的栅电极层和像素电极层、形成在栅电极层上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的晶体半导体层、形成得与晶体半导体层相接触的具有一种导电类型的半导体层、形成得与具有一种导电类型的半导体层相接触的源电极层和漏电极层、稍后形成在源电极层、漏电极层和像素电极层上的绝缘层、形成在绝缘层中以到达源电极层或漏电极层的第一开口、形成在栅绝缘层和绝缘层中以到达像素电极层的第二开口、以及形成在第一开口和第二开口中以便于将源电极层或漏电极层与像素电极层电连接的配线层。

公开(公告)号：CN101452893A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810185705.X

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福地邦彦 ,  藤井岩 ,  中村理 ,  前川慎志

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78678 ,  C25D5/022 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造法。根据本发明的一个方面，通过液滴喷射方法形成制造显示装置所需的至少一个或多个图案，例如形成布线或电极的导电层以及掩模。那时，其中不在半导体层下的一部分栅极绝缘薄膜在本发明的制造步骤过程中被除去。

公开(公告)号：CN100451797C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200480040429.8

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福地邦彦 ,  藤井岩 ,  中村理 ,  前川慎志

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L29/78678 ,  C25D5/022 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/288 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265

Abstract: 根据本发明的一个方面，通过液滴喷射方法形成制造显示装置所需的至少一个或多个图案，例如形成布线或电极的导电层以及掩模。那时，其中不在半导体层下的一部分栅极绝缘薄膜在本发明的制造步骤过程中被除去。

公开(公告)号：CN1934713A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580008835.0

申请日：2005-03-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  城口裕子 ,  藤井严

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L29/78678 ,  G03F7/70791 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78675

Abstract: 根据本发明的一种形成图案的方法包括步骤：在具有透光性质的衬底上形成掩模；在衬底和掩模上形成具有包含光吸收材料的物质的第一区域；通过使用具有可由光吸收材料吸收的波长、通过衬底的光照射该物质以修改物质表面的一部分而形成第二区域；以及通过将包含图案形成材料的化合物排放到第二区域来形成图案。

公开(公告)号：CN1906650A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200480040414.1

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  藤井岩 ,  桑原秀明 ,  舘村祐子

IPC: G09F9/00 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786 ,  H01L21/288 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种显示装置，其可以通过改进材料使用效率的简化制造方法制造。本发明的另一个目的是提供一种该显示装置的制造方法。本发明的另一个目的是提供改进图案粘合性的制造技术。鉴于以上问题，根据本发明，通过液滴喷射方法形成图案。特别在本发明中，基础预处理在通过液滴喷射方法形成图案之前/之后进行。作为这种基础预处理的结果，可以改进图案粘合性以及可以使图案更精细。