公开(公告)号：CN1629734A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410102205.7

申请日：2004-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041

Abstract: 本发明提供一种使通过浸渍光刻法得到的抗蚀图形具有良好形状的图形形成方法。在基板(101)上形成抗蚀膜(102)，将形成的抗蚀膜(102)的表面暴露于含有具有亲水基的酸性化合物如醋酸的水溶液(103)中。然后，在暴露于水溶液(103)中的抗蚀膜102上配置浸渍溶液(104)，在此状态下，对抗蚀膜(102)进行选择性曝光光(105)照射二进行图形曝光，接着，对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行显影，从而从抗蚀膜(102)形成抗蚀图形(102a)。

公开(公告)号：CN1203525C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN01805602.4

申请日：2001-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社PD服务

Inventor： 笹子胜 ,  远藤政孝 ,  久继德重

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/20 ,  G03F1/22

Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。如图2所示，本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)具备由玻璃形成的框架(20)、设在框架(20)的下面上的硅板(15)、设在硅板(15)的下面上的热吸收用掩膜(16)、设在热吸收用掩膜(16)的下面上的硅板(11)和设在硅板(11)的下面上的镂空掩膜(14)。镂空掩膜(14)由硅基片形成，具备为形成感光胶图形的狭缝状的图形用开口(14a)。热吸收用掩膜(16)由覆盖了SiN膜的硅基片形成，具备与镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)几乎相同图形形成的狭缝状开口(16a)。如图3(a)所示，开口(16a)形成的大小不遮蔽形成感光胶图形必须的电子束。即，开口(16a)的大小设置的与图形用开口(14a)的大小一致或开口(16a)稍大。还有，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有贯通框架(20)及硅板(15)、使热吸收用掩膜(16)的上面内形成开口(16a)的区域暴露出来的大开口(20a)。进一步，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有使贯通硅板(11)、热吸收用掩膜(16)的下面内形成开口(16a)的区域和镂空掩膜(14)的上面内形成图形用开口(14a)的区域暴露出来的空洞部(11a)。在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)中，如图3(a)所示，镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)和热吸收用掩膜(16)的开口(16a)沿水平方向位置对准。

公开(公告)号：CN1617306A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410092387.4

申请日：2004-11-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70341

Abstract: 一种半导体制造装置包括：液体供给部分，用于将液体供至所述平台上，所述平台用于保持芯片，抗蚀膜形成在芯片上；曝光部分，所述曝光部分利用设置在所述抗蚀膜上的所述液体、利用通过掩模的曝光用光来照射所述抗蚀膜；以及去除部分，用于从液体中去除包括在所述液体中的气体。这样，已经将气体去除的液体被设置在抗蚀膜上，因此包括在液体中的泡沫或者在曝光期间形成的泡沫能被去除。由此，诸如衍射异常等曝光异常能被防止，从而形成形状良好的抗蚀图案。

公开(公告)号：CN1592738A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN02823446.4

申请日：2002-11-28

Applicant: 和光纯药工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 前泽典明 ,  浦野文良 ,  远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: C07D209/48 ,  C07D409/14 ,  C07D487/04 ,  G03F7/039

CPC classification number: C07D209/48 ,  C07D487/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/121

Abstract: 本发明涉及作为在半导体元件等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物的酸产生剂或用于耐热性高分子合成原料有用的新的双二酰亚胺化合物，使用它们的酸产生剂和抗蚀剂组合物以及用该组合物的图案形成方法，进一步涉及作为双二酰亚胺化合物的合成中间体，例如耐热性高分子化合物，感光材料等的功能性化合物的中间体等有用的双(N－羟基)苯邻二甲酰亚胺化合物，即提供通式[1]所示的双二酰亚胺化合物，[式中，R，A1分别如权利要求1定义]使用它们的酸产生剂以及抗蚀剂组合物和用该组合物的图案形成方法。

公开(公告)号：CN1524200A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN02802641.1

申请日：2002-09-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸村真治 ,  远藤政孝 ,  笹子胜 ,  上田充 ,  藤之谷刚彦

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0395 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/146 ,  Y10S430/167 ,  Y10S430/168

Abstract: 一种具有含以[化1]表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，(其中，R1是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是由酸而离去的保护基。)

公开(公告)号：CN1475029A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN01819060.X

申请日：2001-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  远藤政孝 ,  平井义彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76819 ,  H01L21/31051

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质，在形成了流动性膜后，利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上，使流动性膜的表面平坦化。在该状态下，通过加热流动性膜使该流动性膜固化，形成具有平坦的表面的被固化了的膜。

公开(公告)号：CN1461047A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03128623.2

申请日：2003-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。

公开(公告)号：CN1461040A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03131009.5

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/0045 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种图案形成方法，在基板(10)上面形成表面粗糙的低介电常数绝缘膜(11)之后，在腔室(12)的内部，通过超临界流体(14)对低介电常数绝缘膜(11)进行表面处理，使低介电常数绝缘膜(11)的表面平滑化。然后在表面被平滑化的低介电常数绝缘膜(11)上面涂布化学放大型抗蚀剂，而形成抗蚀剂膜(16)之后，对该抗蚀剂膜(16)进行图案曝光。对经图案曝光的抗蚀剂膜(16)进行显影、冲洗和干燥，形成抗蚀图(19)。通过上述图案形成方法，在化学放大型抗蚀图中不产生或褶边缝边或咬边，提高图案形状。

公开(公告)号：CN1417843A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02148111.3

申请日：2002-10-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0045

Abstract: 一种图案形成方法，其特征在于，首先形成由含有丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中的至少一种酯的基本聚合物和受光照后会产生酸的酸发生剂的化学放大型抗蚀材料构成的抗蚀膜；然后对该抗蚀膜选择性地照射波长为1－30nm波段的远紫外线以曝光图案，并经过显影形成由抗蚀膜未曝光部分构成的抗蚀图案；对抗蚀图案进行加热处理，使所述抗蚀图案的粗糙度趋于平滑。

公开(公告)号：CN100573331C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510074297.7

申请日：2005-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70991

Abstract: 一种曝光装置及图案形成方法，能够得到优良的由平板印刷制造的抗蚀膜，尤其是由液体浸泡平板印刷制造的抗蚀膜的形状。曝光装置，包括用洗净液(25)洗净形成在晶片(20)上的抗蚀膜表面的洗净部(30)，和在抗蚀膜和投影透镜(44)之间填充液体浸泡用液体(26)进行图案曝光的曝光部(40)。