公开(公告)号：CN1698181A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000583.2

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/76801 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76817

Abstract: 图案形成方法，包括：形成由具有流动性的物质构成的流动性膜的工序；将推压面具有凹部及凸部中至少一个的推压构件的所述推压面推压到流动性膜，将所述凹部及凸部中至少一个转印到流动性膜的工序；在将推压面推压到流动性膜的状态下，通过将流动性膜加热到第1温度，使转印了凹部及凸部中至少一个的流动性膜固化，形成固化膜的工序；以及通过将固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成由已焙烧的固化膜构成的图案的工序。

公开(公告)号：CN1698182A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000668.0

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76817 ,  H01L21/76828

Abstract: 半导体器件的制造方法，包括：使推压面具有凸部的推压构件的推压面推压到流动性膜，在流动性膜形成转印了凸部的第1凹部。其次，在将推压构件推压到流动性膜的状态下，将流动性膜加热到第1温度而使流动性膜固化，形成具有第1凹部的固化膜。其次，将固化膜加热到比第1温度高的第2温度而焙烧固化膜，形成具有第1凹部的焙烧膜。其次，形成具有第二凹部形成用开口部的掩模后，使用掩模对焙烧膜进行蚀刻，在焙烧膜上形成至少与第1凹部连通的第2凹部。在焙烧膜的第1凹部及第2凹部埋入金属材料而形成插塞及金属布线。

公开(公告)号：CN1475029A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN01819060.X

申请日：2001-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  远藤政孝 ,  平井义彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76819 ,  H01L21/31051

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质，在形成了流动性膜后，利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上，使流动性膜的表面平坦化。在该状态下，通过加热流动性膜使该流动性膜固化，形成具有平坦的表面的被固化了的膜。

公开(公告)号：CN100442436C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480000583.2

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/76801 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76817

Abstract: 图案形成方法，包括：形成由具有流动性的物质构成的流动性膜的工序；将推压构件具有凸部的推压面推压到流动性膜，将所述凸部转印到流动性膜的工序，且所述凸部包括用于形成金属布线的第1凸部与用于形成插塞的第2凸部；在将推压面推压到流动性膜的状态下，通过将流动性膜加热到第1温度，使转印了所述凸部的流动性膜固化，形成固化膜的工序；以及通过将固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成由已焙烧的固化膜构成的图案的工序。

公开(公告)号：CN1698187A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000582.8

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76885

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成由具有流动性的绝缘性物质形成的流动性膜的工序；将所述流动性膜推压到推压构件的平坦推压面使流动性膜表面平坦化的工序；通过使推压面推压到流动性膜的状态下将流动性膜加热到第1温度使流动性膜固化，形成表面平坦的固化膜的工序；以及，通过将表面平坦的固化膜加热到比所述第1温度高的第2温度焙烧固化膜，形成表面平坦的焙烧膜的工序。

公开(公告)号：CN1210771C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN01819060.X

申请日：2001-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  远藤政孝 ,  平井义彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76819 ,  H01L21/31051

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质，在形成了流动性膜后，利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上，使流动性膜的表面平坦化。在该状态下，通过加热流动性膜使该流动性膜固化，形成具有平坦的表面的被固化了的膜。