公开(公告)号：CN1619416A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410097946.0

申请日：2001-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社PD服务

Inventor： 笹子胜 ,  远藤政孝 ,  久继德重

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/20 ,  G03F1/22

Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。本发明的制造方法包含以下工程：(a)准备具有开口的热吸收用掩膜的工程；(b)将图形用掩膜用基片配置到所述热吸收用掩膜的下方的工程；(c)在所述图形用掩膜用基片的下面上堆积感光胶的工程；(d)用所述热吸收用掩膜作掩膜，用能透过所述图形用掩膜用基片的放射线照射所述感光胶使所述感光胶图形化的工程；(e)用所述感光胶作掩膜，由刻蚀所述图形用掩膜用基片形成具有开口的图形用掩膜的工程。

公开(公告)号：CN1406392A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN01805602.4

申请日：2001-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社PD服务

Inventor： 笹子胜 ,  远藤政孝 ,  久继德重

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/20 ,  G03F1/22

Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。如图2所示，本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)具备由玻璃形成的框架(20)、设在框架(20)的下面上的硅板(15)、设在硅板(15)的下面上的热吸收用掩膜(16)、设在热吸收用掩膜(16)的下面上的硅板(11)和设在硅板(11)的下面上的镂空掩膜(14)。镂空掩膜(14)由硅基片形成，具备为形成感光胶图形的狭缝状的图形用开口(14a)。热吸收用掩膜(16)由覆盖了SiN膜的硅基片形成，具备与镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)几乎相同图形形成的狭缝状开口(16a)。如图3(a)所示，开口(16a)形成的大小不遮蔽形成感光胶图形必须的电子束。即，开口(16a)的大小设置的与图形用开口(14a)的大小一致或开口(16a)稍大。还有，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有贯通框架(20)及硅板(15)、使热吸收用掩膜(16)的上面内形成开口(16a)的区域暴露出来的大开口(20a)。进一步，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有使贯通硅板(11)、热吸收用掩膜(16)的下面内形成开口(16a)的区域和镂空掩膜(14)的上面内形成图形用开口(14a)的区域暴露出来的空洞部(11a)。在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)中，如图3(a)所示，镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)和热吸收用掩膜(16)的开口(16a)沿水平方向位置对准。

公开(公告)号：CN1203525C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN01805602.4

申请日：2001-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社PD服务

Inventor： 笹子胜 ,  远藤政孝 ,  久继德重

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/20 ,  G03F1/22

Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。如图2所示，本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)具备由玻璃形成的框架(20)、设在框架(20)的下面上的硅板(15)、设在硅板(15)的下面上的热吸收用掩膜(16)、设在热吸收用掩膜(16)的下面上的硅板(11)和设在硅板(11)的下面上的镂空掩膜(14)。镂空掩膜(14)由硅基片形成，具备为形成感光胶图形的狭缝状的图形用开口(14a)。热吸收用掩膜(16)由覆盖了SiN膜的硅基片形成，具备与镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)几乎相同图形形成的狭缝状开口(16a)。如图3(a)所示，开口(16a)形成的大小不遮蔽形成感光胶图形必须的电子束。即，开口(16a)的大小设置的与图形用开口(14a)的大小一致或开口(16a)稍大。还有，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有贯通框架(20)及硅板(15)、使热吸收用掩膜(16)的上面内形成开口(16a)的区域暴露出来的大开口(20a)。进一步，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有使贯通硅板(11)、热吸收用掩膜(16)的下面内形成开口(16a)的区域和镂空掩膜(14)的上面内形成图形用开口(14a)的区域暴露出来的空洞部(11a)。在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)中，如图3(a)所示，镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)和热吸收用掩膜(16)的开口(16a)沿水平方向位置对准。

公开(公告)号：CN100343232C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN02823446.4

申请日：2002-11-28

Applicant: 和光纯药工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 前泽典明 ,  浦野文良 ,  远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: C07D209/48 ,  C07D409/14 ,  C07D487/04 ,  G03F7/039

CPC classification number: C07D209/48 ,  C07D487/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/121

Abstract: 本发明涉及作为在半导体元件等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物的酸产生剂或用于耐热性高分子合成原料有用的新的双二酰亚胺化合物，使用它们的酸产生剂和抗蚀剂组合物以及用该组合物的图案形成方法，进一步涉及作为双二酰亚胺化合物的合成中间体，例如耐热性高分子化合物，感光材料等的功能性化合物的中间体等有用的双(N-羟基)苯邻二甲酰亚胺化合物，即提供通式[1]所示的双二酰亚胺化合物：[式中，R，A1分别如权利要求1定义]使用它们的酸产生剂以及抗蚀剂组合物和用该组合物的图案形成方法。

公开(公告)号：CN1320602C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN03157733.4

申请日：2003-08-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30

CPC classification number: G03F7/2043 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/2041 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/949

Abstract: 本发明提供一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(101)后，在抗蚀膜(102)上以供给暂时贮存在溶液贮存部中的含有triphenylsulphoniumnonaflate并且不断循环的水(103)的状态，在抗蚀膜(102)上选择性照射曝光光(104)进行图形曝光。对于进行图形曝光后的抗蚀膜(102)，一旦在进行二次加热后通过碱性显影液显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成并具有良好剖面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明的图形形成方法，可以使通过浸渍光刻得到的抗蚀图形的剖面形状优良。

公开(公告)号：CN1308707C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03134833.5

申请日：2003-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G02B5/08 ,  G02B1/10 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0891 ,  G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/06

Abstract: 一种曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法。所述曝光装置具备，反射型掩模(20)和第一反射镜(30a)、第二反射镜(30b)、第三反射镜(30c)以及第四反射镜(30d)。反射型掩模(20)具有，选择性地形成在掩模基板上且反射极紫外线的反射层、形成在反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域的红外线吸收层。反射镜具有形成在镜面基板上并反射极紫外线的反射层和形成在反射层上并吸收红外线的吸收层。根据本发明，向抗蚀膜选择性地照射极紫外线之后，通过显影而得到的抗蚀图的形状不会劣化。

公开(公告)号：CN1282033C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN03155716.3

申请日：2003-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041

Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。

公开(公告)号：CN1763633A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510118182.3

申请日：2003-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041

Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。

公开(公告)号：CN1725111A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510083389.1

申请日：2005-07-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/2041

Abstract: 一种曝光装置，在曝光部(20)中，在晶片(70)上形成的抗蚀剂膜上配置了浸液用的液体(71)的状态下，将经掩模(72)的曝光光照射到抗蚀剂膜上，浸液用液体供给部(30)向图案曝光部(20)供给液体。该液体供给部(30)从多个液体单元(31a、31b)等中，选择折射率不同的多个液体(71)中的1个供给至晶片(71)上。通过使浸液平板印刷术中分辨率的提高和焦点深度的维持同时实现，可良好地构成图案形状。

公开(公告)号：CN1702552A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073036.3

申请日：2005-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸村真治 ,  远藤政孝 ,  屉子胜 ,  上田充 ,  饭森弘和 ,  福原敏明

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一种包含基础聚合物的抗蚀材料，其中基础聚合物中含有的化合物包含由以化学式1的通式所表示的第一单元和以化学式2的通式所表示的第二单元共同形成的共聚物，其中R1、R2、R3、R7、R8和R9相同或者不同，为氢原子、氟原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基；R4是碳原子数为0～20的直链亚烷基、或者支链或环状亚烷基；R5和R6相同或者不同，为氢原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、氟代烷基、或者由酸脱离出来的保护基。