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公开(公告)号：CN102144342B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200980134707.9
申请日：2009-09-03
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。
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公开(公告)号：CN101471536B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810190673.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/34333
Abstract: 提供了一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片既可以改善其COD水平，也可以防止其I-L特性曲线陡峭上升并可以降低工作电压。该氮化物半导体激光器芯片包括：构成氮化物半导体层并形成在n型GaN衬底上的层；镜面，包括光发射镜面和光反射镜面；p侧欧姆接触，形成在上接触层上以到达镜面；和p侧垫接触，形成在离光发射镜面为距离L1的区域中。调节p侧欧姆接触的厚度d和p侧垫接触到光发射镜面的距离L1，使得注入至光发射镜面的电流量是注入至在p侧垫接触正下方的区域的电流量的20％以上且70％以下。
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公开(公告)号：CN101902014A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010194776.3
申请日：2010-05-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/02389 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0202 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体芯片及其制造方法。该氮化物半导体芯片由于改善的EL发射图案而提供提高的发光效能。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体芯片)具有：n型GaN基板10，具有在a轴方向上相对于m面具有偏角的面作为主生长面10a；和氮化物半导体层20，形成于n型GaN基板10的主生长面10a上。n型GaN基板10包括：凹陷部2(雕刻区域3)，在厚度方向上从主生长面10a被雕刻；和未雕刻区域4，是未被雕刻的区域。形成于n型GaN基板10上的氮化物半导体层20具有其厚度以梯度方式朝向凹陷部2(雕刻区域3)减小的梯度厚度区域5和其厚度变化非常小的发射部形成区域6。在发射部形成区域6中，形成脊部28。
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公开(公告)号：CN101847823A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010144053.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/168 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/4031 , H01S2304/04
Abstract: 氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置。因为EL发射图案得到改进，氮化物半导体发光芯片的发光效率得到增强。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体发光芯片)含具有主生长面10a的氮化物半导体基板10以及在氮化物半导体基板10的主生长面10a上生长的氮化物半导体层11至18。GaN基板10的主生长面10a是相对于m面在a和c轴方向都具有偏角的面，而且在a轴方向的偏角大于在c轴方向的偏角。
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公开(公告)号：CN101383481B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810004011.1
申请日：2006-08-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 对具有氮化物半导体层的衬底解理，以形成谐振器端面，在所述谐振器端面上形成涂覆膜，从而制成氮化物半导体激光棒。将其划分为氮化物半导体激光元件。在谐振器端面形成涂覆膜之前，将谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的等离子体气氛中。当以“a”表示所述暴露之前所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“b”表示在所述暴露之前自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值，以“d”表示在暴露于所述等离子体气氛之后所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“e”表示在所述暴露之后自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值时，将由g＝(b·d)/(a·e)表示的值“g”设为满足g≥0.8的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101232151B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810005122.4
申请日：2008-01-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/22 , H01S5/34333
Abstract: 一种半导体激光器(10)包括在半导体发光部形成的用于调整反射率的涂布膜(31)，其中涂布膜(31)具有设定为满足R(d，n)＞R(d，n+0.01)和d＞λ/n的厚度，其中n表示涂布膜(31)对于激光发射波长λ的折射率，R(d，n)表示依据厚度d和折射率n的、所述发光部处的反射率。
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公开(公告)号：CN101615764A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910139684.2
申请日：2005-06-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 神川刚
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0206 , H01S5/0207 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 提供了一种半导体元件及其制造方法。该半导体器件包括：已处理衬底，具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层，所述已处理衬底具有在其上形成的包括至少一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分；以及氮化物半导体分层结构部分，包括至少一种类型的氮化物半导体薄膜，且设置在所述刻槽区域中和在所述脊部分的表面上。所述已处理衬底具有多个具有变化面积的非刻槽区域。设置在非刻槽区域上的氮化物分层结构的、从所述脊部分的表面到所述氮化物半导体分层结构部分的表面测量的厚度，根据所述脊部分的表面的面积而变化。
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公开(公告)号：CN100568563C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710085676.5
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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公开(公告)号：CN101540477A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910138134.9
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0243 , H01L21/02433
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN101499619A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910007989.8
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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