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公开(公告)号：CN105304771A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510703819.9
申请日：2015-10-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开一种具有高扩展效应的发光二极管的制作方法，包括以下步骤：提供一外延衬底；使用MOCVD在所述外延衬底上生长发光二极管外延层；在所述发光二极管外延层表面形成保护胶，然后在所述发光二极管外延层侧面四周的两面交替蒸镀复数层Ni-Fe合金膜与Si3N4膜；在所述发光二极管外延层侧面四周的另两面交替蒸镀复数层Si3N4膜与Ni-Fe合金膜；去除所述发光二极管外延层表面保护胶，露出p电极和n电极，并分离成独立的发光二极管器件。本发明达到了有效增强发光二极管的N、P型的电流扩展效果，而又不会增加了电极挡光面积，以及提高在大面积尺寸芯片的N型电流扩展效果。
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公开(公告)号：CN105226157A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510652928.2
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种大尺寸发光二极管制作工艺，包括以下步骤：一，在外延衬底上依次生成布拉格反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、电流扩展层及复合的多层欧姆接触层结构；二，在复合的多层欧姆接触层结构上采用掩膜、光刻、湿法腐蚀工艺露出阶梯状表面；三，在裸露的阶梯状表面蒸镀ITO导电层，形成阶梯状接触面，在ITO导电层上生成第一电极，在衬底上生成第二电极。本发明可以提高ITO导电层的电流扩展效果，减少扩展电极的挡光面积，提高发光二极管的发光效率，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN105206719A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510627355.8
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/145
Abstract: 本发明公开一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次形成非掺层u-GaN、n型导电层n-GaN、有源区和限制层P-AlGaN；在所述限制层P-AlGaN上形成V型坑蚀刻层；在所述V型坑蚀刻层上形成V型坑成核层；在所述V型坑成核层上形成V型坑三维快速层；在所述V型坑三维快速层上形成V型坑二维快速层；在所述V型坑二维快速层上依次形成P型导电层、P型接触层和ITO导电层。本发明增加P型区域空穴注入有源区的数量，提高内量子效率；减少V型坑形成漏电通道，提高发光二极管的可靠性，能够提高蓝绿光芯片的内量子效率。
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公开(公告)号：CN106025027B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610557066.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构及其制造方法，包括衬底、N型层、有源层、P型层、N型半导体粗化层、透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成N型半导体粗化层，N型半导体粗化层由N型半导体材料经区域性粗化后形成的粗化区和未经粗化的电流阻挡区构成，粗化区由同一个平面上多个单独的锥形凸块组成，粗化深度为露出P型层，N型半导体粗化层以及粗化后露出的P型层上形成与其欧姆接触的透明导电层，透明导电层上形成P电极。本发明提升了出光效率、杜绝由于电流阻挡区被打线打裂导致的掉电极现象、改善了芯片表面的电流分布。
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公开(公告)号：CN105938864B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201610451334.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种AC‑LED芯片及其制造方法，涉及LED生产技术领域。在透明导电层上设置两组图形化N型层和P型层，每组N型层连接在透明导电层上，每组P型层连接在N型层上；在N‑GaN层的两个下台阶面上方各自设置一组P型层和N型层，每组P型层连接在N‑GaN层上，每组N型层连接在P型层上；在相邻的下台阶面上方的一组P型层和N型层与透明导电层上方的一组N型层和P型层之间设置绝缘层；在各绝缘层以及相应的下台阶面上方的N型层与透明导电层上方的P型层上设置焊盘。本发方便生产，后端应用不需要区分正负极，可极大提升芯片的光效，还避免了频闪的隐患，利于多芯片的联接良率的有效提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105895761B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610396403.1
申请日：2016-06-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管，在衬底上设置AlN第一缓冲层，在AlN第一缓冲层上设置交替生长的SiO2腐蚀层及AlN第二缓冲层作为腐蚀通道层；在腐蚀通道层上设置SiO2图形层并形成PSS图形，PSS图形之间露出腐蚀通道层，腐蚀通道层两两相对且相邻间隔设置，在AlN第一缓冲层、SiO2图形层的PSS图形及腐蚀通道层上设置外延结构。本发明实现高效低成本剥离，缩短工艺时间，降低制造成本，提高二极管质量。
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公开(公告)号：CN105374914B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510751194.3
申请日：2015-11-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明涉及一种光电性好、结构简单、成本低的LED芯片及制备方法。本发明提供的一种LED芯片及LED芯片的制备方法，在现有电流阻挡层与P型层之间加入一第二电流扩散层，使一部分电流经第二电流扩散层至电流阻挡层正下方的有源层，使电流阻挡层下的有源层被充分利用，提高发光效率，增大有源层的利用区域同时减小电流密度，降低LED芯片的电压，同时该结构对光有反射效果，提高出光效率的同时，可对电极层进行简化，从而降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105789421B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201610273774.0
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管制作方法，在衬底上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一型导电层；在第一型导电层上沉积微米孔洞制作层；在微米孔洞制作层上形成上宽下窄的倒梯形微米孔洞；在孔洞内依次形成第一型导电层、有源区、电子阻挡层和第二型导电层；在微米孔洞制作层上表面形成第二型导电层，在第二型导电层上形成欧姆接触层；在欧姆接触层上蒸镀导电层；依次腐蚀部分导电层、欧姆接触层、第二型导电层、微米孔洞制作层，裸露部分第一型导电层；在第一型导电层上形成第一电极制作区，第一电极制作区形成第一电极，在导电层上形成第二电极。本发明可以多维度提高二极管发光效率，且制作工艺简单。
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公开(公告)号：CN105304771B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510703819.9
申请日：2015-10-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有高扩展效应的发光二极管的制作方法，包括以下步骤：提供一外延衬底；使用MOCVD在所述外延衬底上生长发光二极管外延层；在所述发光二极管外延层表面形成保护胶，然后在所述发光二极管外延层侧面四周的两面交替蒸镀复数层Ni‑Fe合金膜与Si3N4膜；在所述发光二极管外延层侧面四周的另两面交替蒸镀复数层Si3N4膜与Ni‑Fe合金膜；去除所述发光二极管外延层表面保护胶，露出p电极和n电极，并分离成独立的发光二极管器件。本发明达到了有效增强发光二极管的N、P型的电流扩展效果，而又不会增加了电极挡光面积，以及提高在大面积尺寸芯片的N型电流扩展效果。
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公开(公告)号：CN106025010A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610567047.5
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 吴奇隆 , 陈凯轩 , 张永 , 刘英策 , 李小平 , 魏振东 , 周弘毅 , 黄鑫茂 , 蔡立鹤 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开一种基于导电DBR结构的倒装LED芯片及其制作方法，在衬底上依次生长缓冲层、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层刻蚀形成台阶并将N‑GaN层部分裸露，在P‑GaN层台阶上依次形成DBR导电反射层和金属反射层，在N‑GaN层的裸露部分设置N金属导电层及电流扩展条，在金属反射层上方以及N金属导电层和N‑GaN层裸露部分的上方形成绝缘层；所述绝缘层上形成若干通孔，在绝缘层上分别设置P共金层和N共金层，P共金层通过通孔与金属反射层连接，N共金层通过通孔与N金属导电层连接，绝缘层将N金属导电层与P共金层隔离，将DBR导电反射层与N共金层隔离。本发明提高了发光二极管产品的发光可靠性，降低工艺难度和制作成本。
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