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公开(公告)号：CN220627833U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202322172123.0
申请日：2023-08-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过设置所述第一电极和/或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地，所述第一电极和/或第二电极包括含Au层和Al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为Au层，通过Al层中和Au层的价格，同时表面为化学性质稳定的Au层，进而节省成本的同时提高电极的稳定性。其次，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述Au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连；基于此，在节省成本的同时，充分利用Au良好的导电性的特点，使电极保持低内阻，进而可很好地保证电极的电流传导性能。
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公开(公告)号：CN220821599U
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202322629825.7
申请日：2023-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种垂直结构LED芯片，该垂直结构LED芯片包括水平设置于导电基板一侧的两个垂直发光结构，两个垂直发光结构彼此反向并联连接，用于连接到交流电源中使用，或用于垂直结构LED芯片的反向电压保护；既拓宽了LED的应用，使LED供电系统从直流驱动到交流驱动，又避免在实际应用时由于LED器件的电压极性接反被反向击穿，导致不能正常工作的危险；又省去了变压器、桥式整流器等，降低了在交流电下工作时LED光源器件的制作成本；且，垂直结构LED芯片在直流电下工作时或在接触外界带的静电时，两个垂直发光结构互为彼此的静电释放通道，可用来提高垂直结构LED芯片的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN218918893U
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202223031310.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种低热阻LED芯片，提供了一复合衬底，所述复合衬底包括沿第一方向依次堆叠的第一衬底、第一键合层以及第二衬底；从而使外延叠层通过第二键合层键合形成于所述第二衬底背离所述第一键合层的一侧表面，进一步地，所述第二键合层和所述第二衬底具有导电性。从而，通过第二衬底的高热导率解决了LED芯片的热阻；同时，通过复合衬底的临时支撑增强了LED晶片的强度，避免了制备过程中的翘曲和破片问题；同时，通过复合衬底的临时支撑可以免除研磨工艺，保证了LED芯片厚度的一致性，并节约了成本。尤其适用于大电流密度的LED芯片。
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公开(公告)号：CN218896648U
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202223418927.6
申请日：2022-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过所述第一电极作为LED芯片的一个控制接口，实现了呈水平结构的两接触电极(即第一电极和第二电极呈水平结构)或呈垂直结构的两接触电极(即基板和第二电极呈水平结构)。进一步地，本实用新型中，所述基板包括导电基板，其作为所述LED芯片的另一接触电极；该设计除了可以实现设计的灵活性，也可以通过测试所述第一电极、基板以及第二电极两两之间的伏安特性，以表征所述第一、第二型半导体的表面欧姆接触电阻率，从而为后续的芯片工艺设计提供数据参考，以获得高性能的LED产品。
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公开(公告)号：CN217239490U
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202220968167.7
申请日：2022-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。同时，在所述外延叠层的侧壁设有用于保护LED芯片的钝化层，且基于该结构，所述钝化层与所述绝缘层可在同道光刻及刻蚀工艺中图形化，即可同步实现LED芯片的侧壁钝化以及PAD的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220627837U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202322024302.X
申请日：2023-07-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过：在所述导电基板的表面依次设置导电型键合层、金属反射层、介质层、第二欧姆接触层以及外延叠层；其中，所述介质层具有若干个通孔，且在所述通孔内设有第一欧姆接触层；所述第二欧姆接触层与所述第一欧姆接触层形成接触。从而，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和通孔的配合接触，在保证金属反射层与外延叠层的半导体材料接触的同时，可横向阻挡所述金属反射层和电极的金属扩散。
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公开(公告)号：CN219937069U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202321506255.6
申请日：2023-06-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种抗静电的垂直结构LED芯片，通过设置非故意掺杂层，减少垂直结构LED芯片的晶格失配，并利用其具有高电阻及背景载流子的特性，由导电基板、金属键合层、第一型半导体层、非故意掺杂层以及第一电极构成静电释放通道，用于垂直结构LED芯片反向电压保护，来提高垂直结构LED芯片的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN219123256U
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202222534107.7
申请日：2022-09-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现较好的电流扩展能力；另外，在PAD制作时，通过刻蚀部分所述外延叠层至绝缘层的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，并保留边缘的外延叠层以形成独立的保护墙，该裸露部分承担PAD功能以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，并同步形成了保护墙，节约了成本。同时，所形成的保护墙弥补了外延叠层刻蚀时在边角所形成的高度差，从而减少了崩边崩角的风险。
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公开(公告)号：CN218039255U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202222545753.3
申请日：2022-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过：基板及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、第二金属层、外延叠层、第一电极以及第二电极。从而，实现了LED芯片的两个电极位于芯片同侧，但在发光区中，电流分布与垂直结构芯片类似，其电流和热量分布相较于普通的同侧电极结构更加均匀。而本方案与传统的垂直结构芯片相比，其所采用的基板不受是否导电的限制，可以采用高导热的金刚石、氮化硼、碳化硅等基板，以实现芯片更低的热阻，因此本方案可以很好地运用于高功率LED芯片。
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公开(公告)号：CN217507341U
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202221448357.2
申请日：2022-06-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种集成式LED芯片，集成式LED中的各LED发光单元具有一个共电极，且另一电极焊盘分布在集成式LED芯片的四周且通过第二金属层(即电极引线)与各LED发光单元连接，且所述LED发光单元的电极引线通过所述第一绝缘层与邻近的LED发光单元相互隔离的方式引出至导电基板的边缘，各自独立设置，进而可实现各LED发光单元的灵活控制。因此，基于上述设置，第二金属层既可以与各发光单元的第二半导体层实现电连接，也可充当引线，实现与集成式LED四周电极焊盘的电连接，在晶片端即完成电极引线和电极焊盘的布局，实现一体封装，可有效节省产品制作工艺及人工成本。
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