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公开(公告)号：CN104520062A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380042579.1
申请日：2013-07-29
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: B23K35/26 , B23K1/00 , B23K35/22 , C22C13/02 , C22C30/02 , C22C30/04 , C22C30/06 , H05K3/34 , B23K101/40
CPC classification number: B23K35/28 , B23K1/0016 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2101/40 , C22C12/00 , C22C13/02 , C22C30/02 , C22C30/04 , C22C30/06 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H05K3/3463 , Y10T403/479 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供在250℃这样高温环境下具有优异的拉伸强度、伸长率的高温无铅焊料合金。为了使Sn-Sb-Ag-Cu焊料合金的组织微细化来分散施加于该焊料合金的应力，以质量％计，向包含Sb：35～40％、Ag：8～25％、Cu：5～10％、余量Sn的焊料合金中添加选自由Al：0.003～1.0％、Fe：0.01～0.2％和Ti：0.005～0.4组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN103501959A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280020363.0
申请日：2012-02-27
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor： H·J·阿尔布雷希特 , K·维尔克 , 菅沼克昭 , 上岛稔
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/0244 , C22C1/02 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H05K1/0263 , H05K3/3463 , Y10T403/479
Abstract: 本发明涉及焊料接头，其是用于功率器件等的、能够耐受高电流密度而不发生电迁移的焊料接头，所述焊料接头由Sn-Ag-Bi-In系合金形成。该焊料接头是利用本质上由2～4质量%的Ag、2～4质量%的Bi、2～5质量%的In、余量的Sn组成的焊料合金形成的。该焊料合金还可以含有Ni、Co和Fe中的一种以上。
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公开(公告)号：CN101675558B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200880014828.5
申请日：2008-03-12
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor： 上岛稔
CPC classification number: H01R4/04 , C22C1/0483 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22C30/04 , H01B1/22 , H01R12/52 , H05K3/323 , H05K2203/0425
Abstract: 本发明解决以下技术问题：在以往的使用低熔点粒子作为导电性粒子的各向异性导电材料中，必须具有良好的导通性的上下方向的导体间的电导率却低，而必须具有高绝缘电阻的相邻导体间的绝缘电阻却低。本发明采用以下技术手段解决技术问题：在本发明的各向异性导电材料中，低熔点粒子的固相线温度为125℃以上，且峰值温度为200℃以下，并且固相线温度与峰值温度的温度差为15℃以上；另外，混入的低熔点粒子之中大的低熔点粒子的最大径比相邻导体间隔的1/4小。
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公开(公告)号：CN102909481A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210384775.4
申请日：2008-07-14
Applicant: 千住金属工业株式会社
IPC: B23K35/26 , C22C13/00 , C22C13/02 , B23K101/36
CPC classification number: C22C13/00 , B23K35/262 , C22C13/02 , H05K3/3463
Abstract: 本发明提供可以用于车载电路的锡焊的具有优异耐热循环性或机械强度的Sn-Ag-Cu-Bi无铅焊料。包含2.8～4质量％的Ag、1.5～6质量％的Bi、0.8～1.2质量％的Cu、剩余量的Sn。
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公开(公告)号：CN101001716B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200580026759.6
申请日：2005-05-09
Applicant: 千住金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/40 , B23K35/0222 , B23K35/025 , B23K35/22 , C22C2001/1052 , Y10T428/1216
Abstract: 现有的成形焊料制造方法是在熔融焊料中直接投入规定量的高熔点金属粒，之后使高熔点金属粒分散，因此需要搅拌很长时间。为此在现有的成形焊料制造方法中，高熔点金属粒会熔进熔融焊料中而粒径变小。若是用这种粒径变小的成形焊料进行半导体元件和电路板的软钎焊，则软钎焊部间变窄，得不到充分的接合强度。在本发明中，首先制作高熔点金属粒的配合量多的混合母合金，将该混合母合金投入熔融焊料中并使高熔点金属粒分散，因此能够在短时间内使高熔点金属粒均一地分散在焊料中。因此，由本发明的成形焊料制造方法得到的成形焊料，由于能够使软钎焊部间保有规定的间隙，所以接合强度充分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101267911B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680034253.4
申请日：2006-08-18
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor： 上岛稔
CPC classification number: C22C28/00 , B23K35/26 , B23K35/264 , C22C12/00 , H05K3/3463
Abstract: 现有的低温焊料因含有Pb和Cd而形成公害问题，另外现有的无铅低温焊料对于耐热温度为130℃的低耐热零件来说液相线温度过高，有脆性，机械的强度弱。本发明的无铅低温焊料，In为48～52.5质量％，余量由Bi构成，组织没有脆性的BiIn2的金属间化合物占大部分。另外，为了进一步提高钎焊性，也能够添加Zn和La，而为了防止在高温、高温下的腐蚀，还能够少量添加P。
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公开(公告)号：CN1977368B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200580021535.6
申请日：2005-05-26
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor： 上岛稔
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/0244 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29298 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/15747 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 为了得到在芯片焊接接合电子零件的半导体元件和基板时，尽管是无铅软钎料的颗粒，但产生的空隙仍然少的颗粒，在软钎焊过热时，在Sn为主成分的无铅软钎料合金的表面形成：无色透明的由30～50原子％的O、5～15原子％的P以及余量实质Sn构成的保护膜；以及由10～30原子％的In、40～60原子％的O、5～15原子％的P以及余量实质Sn构成的保护膜，从而得到该颗粒，其厚度为0.05～1mm，形状与基板大致相同。
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公开(公告)号：CN101675558A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200880014828.5
申请日：2008-03-12
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor： 上岛稔
CPC classification number: H01R4/04 , C22C1/0483 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22C30/04 , H01B1/22 , H01R12/52 , H05K3/323 , H05K2203/0425
Abstract: 本发明解决以下技术问题：在以往的使用低熔点粒子作为导电性粒子的各向异性导电材料中，必须具有良好的导通性的上下方向的导体间的电导率却低，而必须具有高绝缘电阻的相邻导体间的绝缘电阻却低。本发明采用以下技术手段解决技术问题：在本发明的各向异性导电材料中，低熔点粒子的固相线温度为125℃以上，且峰值温度为200℃以下，并且固相线温度与峰值温度的温度差为15℃以上；另外，混入的低熔点粒子之中大的低熔点粒子的最大径比相邻导体间隔的1/4小。
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公开(公告)号：CN100464930C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610168831.5
申请日：2003-01-08
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B23K3/0646 , B23K1/08 , B23K35/262 , B23K2101/42 , H05K3/3463 , H05K3/3468
Abstract: 在本发明中，测定使用期间焊料浴中氧化抑制元素的下降率，依照焊料浴中的下降合适地添加焊料合金，所述焊料合金包括与量的下降率相比相同或更大的比例的氧化抑制元素。作为一个简单的方法，在Sn-Ag基或Sn-Ag-Cu基焊料合金的流动焊接中，为了补偿操作期间观察到的焊料浴的P含量的降低，供应用于补充焊料浴的在Sn-Ag基或Sn-Ag-Cu基焊料合金中包含60-100ppm(质量)的P的焊料合金以不仅维持P含量而且维持模塑焊料浴的表面水平。
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公开(公告)号：CN1977368A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021535.6
申请日：2005-05-26
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor： 上岛稔
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/0244 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29298 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/15747 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 为了得到在芯片焊接接合电子零件的半导体元件和基板时，尽管是无铅软钎料的颗粒，但产生的空隙仍然少的颗粒，在软钎焊过热时，在Sn为主成分的无铅软钎料合金的表面形成：无色透明的由30～50原子％的O、5～15原子％的P以及余量实质Sn构成的保护膜；以及由10～30原子％的In、40～60原子％的O、5～15原子％的P以及余量实质Sn构成的保护膜，从而得到该颗粒，其厚度为0.05～1mm，形状与基板大致相同。
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