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公开(公告)号：CN104362987A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410559718.4
申请日：2014-10-18
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/3205 , H03F3/165 , H03F2200/372 , H03G1/0029
Abstract: 超宽带可变增益放大器涉及射频集成电路技术领域。该放大器包括Cascode输入级，电流复用放大级，输出缓冲级和电流镜增益控制级。本发明采用Cascode结构实现输入匹配和噪声匹配，同时获得高增益。本发明采用两级电流复用结构将放大级和输出缓冲级连接起来，有效地降低该放大器的功耗。本发明采用电流镜增益控制结构实现增益可控，同时保证了电路的良好线性度和功率效率。
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公开(公告)号：CN103532517A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310503445.7
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供一种具有大电感值、高Q值的新型可调有源电感，涉及射频集成电路技术，以解决现有的有源电感具有等效电感值和Q值较低，并且带宽较窄的缺点的问题。该发明包括输入输出端、Cascode结构和偏置电流源，其中，还包括有源电阻反馈和分流支路，所述有源电阻反馈包括无源电阻和第二NMOS管并联，并且所述有源电阻反馈两端分别与所述第二晶体管的基极和所述第三晶体管的集电极连接；所述分流支路包括第一NMOS管，并且所述第一NMOS管的漏极与第三晶体管的发射极连接。本发明通过对有源电阻反馈和分流支路中的NMOS管电压的调节，实现了有源电感具有大的电感值、高的Q值以及对电感值和Q值的可调谐性。
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公开(公告)号：CN119578089A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411708188.5
申请日：2024-11-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/14 , G06F119/12 , G06F119/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于热光耦合的半导体激光器阵列寿命预测方法，以达到在较短时间内准确预测出半导体激光器阵列寿命的目的。采用加速寿命实验方法，在两种不同的环境温度应力下分别测试半导体激光器阵列在从初始工作时刻至光功率下降5％过程中光功率随时间的退化关系，计算光功率的退化率，同时考虑光功率退化过程中由热光耦合引起的温升对半导体激光器阵列中功耗和热阻的影响，分别确定功耗、热阻及光功率退化模型；并外推光功率在两种不同的环境温度应力下降30％时半导体激光器阵列的寿命，进而外推出半导体激光器阵列在常温条件下的工作寿命。同时，实验测试结果与理论预测结果吻合较好，从而证明了本发明的有效性。
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公开(公告)号：CN119562638A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411694020.3
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种具有周期性光控单元的垂直入射型Si基Si/SiGe HPT的制备方法，属于半导体光电子技术领域，方法包括：在p型Si基衬底上生长Si/SiGe HPT外延结构，包括复合基区，淀积掩膜层，制作周期性光控单元，刻蚀发射区、基区和集电区台面，淀积电学隔离层，刻蚀光窗口和接触孔，套刻后溅射金属Ti/Au，带胶剥离退火形成金属电极。本发明利用周期性光控单元将垂直入射平面波耦合为横向传输波的能力，增强Si/SiGe HPT吸收区的吸收效率，并减少特定波段入射光在表面的反射率，同时减少PN结电容面积，有利于器件快速工作，可以在不改变吸收层厚度的前提下，兼顾探测器的响应度和效率。
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公开(公告)号：CN114448388B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210045299.7
申请日：2022-01-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 一种宽频带压控有源电感，包括低噪声跨导单元(1)，双支路跨导单元(2)，第一可调偏置单元(3)，第二可调偏置单元(4)，可调补偿单元(5)共5个单元。低噪声跨导单元(1)与双支路跨导单元(2)连接构成感性反馈回路，并取得低的噪声；第一可调偏置单元(3)和第二可调偏置单元(4)共同为反馈回路提供偏置电流，同时与可调补偿单元(5)的两个可调电压源一起，实现对有源电感性能的调控。通过所述5个单元及其4个调控端(Vtune1、Vtune2、Vtune3、Vtune4)的分工合作，使有源电感在高频区的同一频率下高Q峰值和电感峰值、宽频带且频带可相对于电感峰值独立调节、低噪声等多种性能集于一体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113868905B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111063458.8
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/23 , G06N3/006 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种运用粒子群算法优化VCSEL阵列排布的方法，基于改善结温分布均匀性的目的，本发明运用迭代收敛技术将优化过程分为两个部分，分别是热电反馈计算过程和粒子群排布优化过程。在粒子群算法中引入基于最小势能原理的适应度函数来提供优化标准，同时在更新粒子群速度和位置时引入随机因子，以增加群体的随机性，提高算法的优化效率。以具有4×4个单元的VCSEL阵列为例进行了排布优化设计，证明了本发明方法的有效性。
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公开(公告)号：CN113449423B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202110740255.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F18/214 , G06F18/20
Abstract: 本发明涉及一种应用于微波器件的新型高效电磁优化方法，属于微波器件设计优化领域，用于解决电磁优化中的局部优化方法容易因为优化起点不佳而陷入局部最优解和全局优化方法的收敛速率总是相对较低的问题。本发明具体提出了一种新型的包含并行局部采样和贝叶斯优化(BayesianOptimization，BO)方法的高效电磁优化方法。传统BO仅使用优化迭代中潜在最优解的信息，本发明提出一种新式并行局部采样策略，提高潜在最优解附近的采样能力，局部采样范围由当前潜在最优解的导数信息确定，使用局部采样点与潜在最优解共同建立替代模型进而指导优化过程。采用本发明能够对多数微波器件高效的进行设计优化，优化的收敛速度快，能有效的指导微波器件的生产。
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公开(公告)号：CN112347704B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202011414317.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/17 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种高效的基于贝叶斯理论的人工神经网络微波器件建模方法，用于解决目前的微波器件神经网络建模方法繁琐耗时，难以满足日益提高的缩短微波器件和电路设计周期要求的问题。本方法首先找到对应的神经网络模型所需的最优的有效参数个数，然后通过这个最优的有效参数个数，计算得出所对应的神经网络模型的最优的隐藏层神经元个数，从而得到每个微波器件的神经网络模型的最优结构。此外，该方法可以直接嵌入到神经网络自动模型生成算法中，无论初始设置的隐藏层神经元个数是否接近最优值，均可以非常快速地找到对于当前微波器件建模问题来说最优的神经网络模型结构。该方法与现有技术相比，大大缩短了建模时间，提高了建模效率。
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公开(公告)号：CN111884622B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202010639282.5
申请日：2020-07-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 一种宽频带工作的差分有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一N型MOS晶体管(M1)，第二N型MOS晶体管(M2)，第三N型MOS晶体管(M3)，第四N型MOS晶体管(M4)，第五P型MOS晶体管(M5)，第六P型MOS晶体管(M6)，第七N型MOS晶体管(M7)，第八N型MOS晶体管(M8)以及由无源电感L和MOS变容管并联构成的LC谐振电路。其中，晶体管M1、M3和M2、M4构成差分有源电感架构，M5、M6、M7和M8构成有源电感偏置电流源，LC谐振电路加在晶体管M3与M4漏极之间、晶体管M1与M2栅极之间，实现了有源电感宽的工作频带、在宽频带及高频下具有高的Q值和大的电感值，并实现电感值和Q值可调谐。
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公开(公告)号：CN110556420B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201910781958.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/36 , H01L29/40
Abstract: 本发明公开了一种掺杂浓度可调的横向SiGe异质结双极晶体管，为NPN型或PNP型横向SiGe HBT。通过在NPN型器件发射区和基区下方衬底电极加正电压(或在PNP型器件发射区和基区下方衬底电极加负电压)，可有效增大发射区掺杂浓度并减小基区掺杂浓度，同时提高电流增益和特征频率；通过在NPN型器件集电区下方衬底电极加负电压(或在PNP型器件集电区下方衬底电极加正电压)，可有效降低集电区掺杂浓度，提高击穿电压。与常规横向SiGe HBT相比，所述晶体管可通过改变位于发射区、基区和集电区下方衬底电极的外加电压来独立调节上述三个区的掺杂浓度，从而实现特征频率、电流增益和击穿电压的同步提高。
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