公开(公告)号：CN118568901A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410565712.1

申请日：2024-05-08

Applicant: 北京工业大学 ,  西南技术物理研究所

Inventor： 金冬月 ,  王毅华 ,  张万荣 ,  那伟聪 ,  张洪源 ,  王焕哲 ,  关宝璐

IPC: G06F30/18 ,  G06F30/27 ,  G06N3/126 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种基于遗传算法的VCSEL阵列排布优化方法，以达到改善VCSEL阵列热问题从而提高器件整体性能的目的。本发明直接选取VCSEL阵列单元排布的位置坐标来进行染色体的编码，可实现任意单元个数的VCSEL阵列优化，解决了因VCSEL单元个数增加导致人工设计困难的问题。此外，搭建了表征VCSEL阵列温度均匀性的适应度函数来提供优化标准，并且每一条染色体的温度分布都通过热电反馈模型计算，使遗传算法迭代和VCSEL的优化结果更准确。同时，将复杂繁琐的优化过程交给计算机迭代，极大的节省了人力和时间成本。最后，以具有37个单元的六边形VCSEL阵列为例进行了排布优化设计，证明了本发明方法的有效性。

公开(公告)号：CN119578089A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411708188.5

申请日：2024-11-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  张洪源 ,  张万荣 ,  王毅华 ,  王焕哲 ,  关宝璐

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/14 ,  G06F119/12 ,  G06F119/06 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种基于热光耦合的半导体激光器阵列寿命预测方法，以达到在较短时间内准确预测出半导体激光器阵列寿命的目的。采用加速寿命实验方法，在两种不同的环境温度应力下分别测试半导体激光器阵列在从初始工作时刻至光功率下降5％过程中光功率随时间的退化关系，计算光功率的退化率，同时考虑光功率退化过程中由热光耦合引起的温升对半导体激光器阵列中功耗和热阻的影响，分别确定功耗、热阻及光功率退化模型；并外推光功率在两种不同的环境温度应力下降30％时半导体激光器阵列的寿命，进而外推出半导体激光器阵列在常温条件下的工作寿命。同时，实验测试结果与理论预测结果吻合较好，从而证明了本发明的有效性。