公开(公告)号：CN111081702A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911128738.5

申请日：2019-11-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 孙晟 ,  金冬月 ,  张万荣 ,  吴玲 ,  曹路明 ,  贾晓雪

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/737 ,  H01L21/82

Abstract: 一种等温分布的介质槽隔离结构SiGe HBT阵列，应用于无线通信系统、全球定位系统等射频功率集成电路中。由M×N个SiGe HBT单元构成，且每个单元均包含浅槽隔离结构和共用的深槽隔离结构。其中深槽隔离结构用于相邻单元间的隔离，浅槽隔离结构用于单元内部电极间隔离。同时，依据各单元位于SiGe HBT阵列中的位置，浅槽隔离结构深度由中心处向四周呈增大的对称分布；深槽隔离结构距单元中心处长度或宽度按照由中心向两侧呈线性减小的对称分布。与常规SiGe HBT阵列相比，本发明所述SiGe HBT阵列可有效改善各单元峰值结温分布和功率分布均匀性，进而实现稳态和瞬态热效应的同时改善。

公开(公告)号：CN111081702B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201911128738.5

申请日：2019-11-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 孙晟 ,  金冬月 ,  张万荣 ,  吴玲 ,  曹路明 ,  贾晓雪

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/737 ,  H01L21/82

Abstract: 一种等温分布的介质槽隔离结构SiGe HBT阵列，应用于无线通信系统、全球定位系统等射频功率集成电路中。由M×N个SiGe HBT单元构成，且每个单元均包含浅槽隔离结构和共用的深槽隔离结构。其中深槽隔离结构用于相邻单元间的隔离，浅槽隔离结构用于单元内部电极间隔离。同时，依据各单元位于SiGe HBT阵列中的位置，浅槽隔离结构深度由中心处向四周呈增大的对称分布；深槽隔离结构距单元中心处长度或宽度按照由中心向两侧呈线性减小的对称分布。与常规SiGe HBT阵列相比，本发明所述SiGe HBT阵列可有效改善各单元峰值结温分布和功率分布均匀性，进而实现稳态和瞬态热效应的同时改善。

公开(公告)号：CN110556420A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910781958.1

申请日：2019-08-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  吴玲 ,  张万荣 ,  那伟聪 ,  孙晟 ,  杨绍萌

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/36 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明公开了一种掺杂浓度可调的横向SiGe异质结双极晶体管，为NPN型或PNP型横向SiGe HBT。通过在NPN型器件发射区和基区下方衬底电极加正电压(或在PNP型器件发射区和基区下方衬底电极加负电压)，可有效增大发射区掺杂浓度并减小基区掺杂浓度，同时提高电流增益和特征频率；通过在NPN型器件集电区下方衬底电极加负电压(或在PNP型器件集电区下方衬底电极加正电压)，可有效降低集电区掺杂浓度，提高击穿电压。与常规横向SiGe HBT相比，所述晶体管可通过改变位于发射区、基区和集电区下方衬底电极的外加电压来独立调节上述三个区的掺杂浓度，从而实现特征频率、电流增益和击穿电压的同步提高。

公开(公告)号：CN110556420B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201910781958.1

申请日：2019-08-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  吴玲 ,  张万荣 ,  那伟聪 ,  孙晟 ,  杨绍萌

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/36 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明公开了一种掺杂浓度可调的横向SiGe异质结双极晶体管，为NPN型或PNP型横向SiGe HBT。通过在NPN型器件发射区和基区下方衬底电极加正电压(或在PNP型器件发射区和基区下方衬底电极加负电压)，可有效增大发射区掺杂浓度并减小基区掺杂浓度，同时提高电流增益和特征频率；通过在NPN型器件集电区下方衬底电极加负电压(或在PNP型器件集电区下方衬底电极加正电压)，可有效降低集电区掺杂浓度，提高击穿电压。与常规横向SiGe HBT相比，所述晶体管可通过改变位于发射区、基区和集电区下方衬底电极的外加电压来独立调节上述三个区的掺杂浓度，从而实现特征频率、电流增益和击穿电压的同步提高。