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公开(公告)号：CN109950133A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910194844.7
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/02 , H01L23/544
Abstract: 本申请公开了一种便于识别的碳化硅外延片圆片制备方法。本申请的制备方法包括，在对碳化硅外延片圆片进行光刻机光刻曝光的过程中，将某一次或某几次的曝光图形旋转大于0度、小于360度的角度，根据被旋转的曝光图形所在的位置或旋转的角度，区分识别碳化硅外延片圆片。本申请的制备方法，其制备的碳化硅外延片圆片可通过直观的外观区别，即各次曝光图形旋转情况，直接辨识碳化硅外延片圆片编号；并且，本申请制备的辨识标记不会在后续加工中磨损消失，避免了由于标识不清造成的使用困扰，解决了现有圆片标记磨损的棘手难题。本申请的制备方法简单易操作，不仅可以兼容现有生产线，且不会影响现有生产流程和产品质量，节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN109728079A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811473664.4
申请日：2018-12-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本申请提供一种晶体管，其包括GaN外延片、源极、栅极、结栅、漏极、中间层，源极和结栅通过互联区域相互连接。本申请还提供一种晶体管制作方法，其包括如下过程：制备GaN外延片，沉积GaN延伸层和p-GaN层；在GaN外延片上刻蚀出结栅结构；在GaN外延片上刻蚀出栅极窗口，沉积栅介质；在栅极区域沉积金属；制成源极金属电极区、栅极金属电极区、结栅金属电极区和漏极金属电极区；在第一TOES层上刻蚀出互联区域；沉积金属，使得源极金属电极区和结栅金属电极区通过互联区域相互连接。本申请的晶体管制作方法流程简单，可操作性强，所制得的晶体管可防止栅介质过早退化，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN103474459B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310403969.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/0688 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/7391 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 本申请公开了一种隧穿场效应晶体管，包括栅电极层、栅介质层、源区、连通区和漏区，其中源区包括第一源区和第二源区，第二源区包括内层源区和外层源区，连通区包括扩展区和高阻区，内层源区和外层源区的材料掺杂类型相反，内层源区材料的禁带宽度小于外层源区材料的禁带宽度；外层源区覆盖内层源区所形成的接触面为曲面。本申请的有益效果是：通过将隧穿场效应晶体管的外层源区与内层源区的接触面形成曲面结构，增大了外层源区与内层源区的接触面积，增加了载流子通过接触面隧穿的几率，因此增大了开态电流，具有良好的电流驱动能力。
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公开(公告)号：CN102185301B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110132583.X
申请日：2011-05-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H02H9/00
Abstract: 本发明公开了一种静电放电ESD保护电路，包括具有一个或多个MOS管的静电放电支路，还包括栅极触发信号产生电路，用于产生栅极触发信号，所述栅极触发信号连接到至少一个MOS管的栅极；衬底触发信号产生电路，用于产生衬底触发信号，所述衬底触发信号连接到所述至少一个MOS管的衬底；其中，所述衬底触发信号的反应时间不小于所述静电放电电压的上升时间或者不小于20ns。提高了静电放电保护电路的保护能力，降低误触发引起漏电流的可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544073A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110424189.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 深港产学研基地
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种无结纳米线场效应晶体管，包括沟道、源区和漏区，所述源区设置在沟道的一端，所述漏区设置在沟道的另一端，所述沟道的外表面覆盖有栅氧化层，所述栅氧化层的表面覆盖有栅电极层，所述栅电极层包括接近源区的第一栅电极层和接近漏区的第二栅电极层。与现有技术相比，本发明实施例引入分裂栅结构，使得无结纳米线场效应晶体管的载流子在沟道中速度提高，从而使得开态电流增大，不考虑阈值电压的影响，同时也使得器件的关态电流变小，并且屏蔽了漏极对器件的影响，使得漏致势垒降低效应明显减弱，提高了电流的驱动能力。同时，分裂栅的引入使得无结纳米线场效应晶体管在低压时的跨导特性明显提高。
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公开(公告)号：CN114636909B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202210174248.4
申请日：2022-02-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Inventor： 林信南
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请公开一种场效应晶体管单脉冲雪崩能量检测系统和方法，包括直流电源、测试电路、信号采集装置、信号发生器和雪崩能量获取装置。直流电源用于提供直流电源，测试电路用于与待检测的场效应晶体管进行连接，信号发生器用于向场效应晶体管的栅极发送方波信号，信号采集装置用于获取场效应晶体管的电压变化曲线图和电流变化曲线图，雪崩能量获取装置用于依据电压和电流变化曲线图获取场效应晶体管的雪崩能量。该系统和方法适用于任意碳化硅垂直双扩散型器件，可以快速得到用于雪崩能量测试的电压变化曲线图和电流变化曲线图，在曲线图获取场效应晶体管的雪崩能量参数时不需要根据器件的不同而设置不同的参数，具有一定的通用性。
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公开(公告)号：CN109244057B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810770430.X
申请日：2018-07-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种封装基板及基于该基板形成的共源共栅氮化镓器件，该封装基板包括基板本体，基板本体的一个端面印制器件线路铜层，另一个端面印制热排气铜层，器件线路铜层包括第一铜层面和第二铜层面，第一铜层面和第二铜层面之间电气隔离；热排气铜层上设置有若干条延伸到基板边界的间隙。本发明优化了封装基板的结构和器件线路铜层的相对位置，改变封装基板器件线路铜层和硅器件及GaN器件的连线关系，不仅实现了共源共栅氮化镓器件的同侧Gate、Drain、Source顺序的管脚排布，同时，也把其中起主要的作用的共源寄生电感优化到了最小值。
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公开(公告)号：CN109841520A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910168911.8
申请日：2019-03-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/335 , H01L21/3063 , H01L29/778
Abstract: 本申请公开了一种制备增强型GaN HEMT器件的凹槽栅刻蚀方法。本申请制备增强型GaN HEMT器件的凹槽栅刻蚀方法，增强型GaN HEMT器件包括AlGaN/GaN异质结构，凹槽栅刻蚀方法包括，采用激光处理，使AlGaN/GaN材料表面发生氧化，然后在化学试剂作用下进行电化学刻蚀，去除氧化层，获得凹槽栅结构的增强型GaN HEMT器件。本申请的凹槽栅刻蚀方法，能有效控制刻蚀深度，可控性较高、便于操控；并且，本申请的凹槽栅刻蚀方法简单、易操作、产品一致性好，能大批量生产高品质的增强型GaN HEMT器件。本申请制备的增强型GaN HEMT器件品质高，能抑制功率器件泄漏电流，降低器件静态功耗。
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公开(公告)号：CN109742137A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811474151.5
申请日：2018-12-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/16 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种DMOS器件及其制造方法，其中该器件包括半导体衬底，还包括：设置在衬底上的外延层、形成在外延层内的有P型体区以及P型体区内的N型源区；P型体区表面设置有多条沟槽；还包括形成在多条沟槽表面的栅极区域以及形成在栅极区域上的第一金属层、设置在栅极区域和第一金属层之间的介质层和设置在N型源区上的第二金属层。该器件可以有效减少该DMOS器件的导通电阻，改善器件在开关过程中栅漏电荷的积累和释放速度，改善了器件的短路性能，从而有效解决了低导通功率损失与低开关损失之间冲突的技术问题。
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